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公开(公告)号：CN103579503A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310566672.4
申请日：2013-11-14
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/5253
Abstract: 一种利用光交联聚合物对有机电子器件进行薄膜封装的方法，属于有机电子器件技术领域，具体涉及一种采用光交联聚合物对有机电子器件进行薄膜封装的方法，该封装方法可以有效的阻隔水汽和氧气向有机电子器件的渗透。该方法形成的薄膜具有稳定的化学和物理特性，其材料性质更潜在的适用于柔性有机电子器件。其首先在衬底上制备具有阳极、功能层和金属阴极结构的有机电子器件；然后在有机电子器件的金属阴极上悬滴光交联聚合物，利用旋涂方法得到一层有机封装薄膜；最后将涂有有机封装薄膜的有机电子器件在紫外条件下固化，从而完成对有机电子器件的封装。
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公开(公告)号：CN103107286A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310057235.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于有机电子器件领域，具体涉及一种采用非光刻工艺在有机电子器件的氧化锡铟电极上实现图形化的方法。首先将盐酸和去离子水混合，配制成溶液中H+浓度为6.0～7.0mol/L的刻蚀溶液；将带有胶黏层的保护膜切割成长方形，然后粘贴在具有ITO电极的衬底的中间区域；将衬底置于刻蚀溶液中1.5min～2min，将未被保护膜保护的ITO电极腐蚀掉，得到图形化的ITO电极；腐蚀结束后揭下保护膜，进而在图形化的ITO电极上制备有机电子器件。采用本发明方法得到的图形化的ITO电极，边缘整齐，无锯齿状，操作简单，无需特殊工艺和特殊设备，适用于制造半导体器件常用的金属氧化物电极，易于推广使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094479A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310055950.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明属于有机电子器件领域，具体涉及一种在有机电子器件薄膜封装过程中保护接触电极的方法，通过该方法可以有效避免器件电极被封装薄膜覆盖从而导致器件电极接触失效的现象。该保护膜为硅片保护膜等，采用双层构架形式，基底层使用双轴拉伸聚氯乙烯，胶黏层由经过处理的丙烯酸酯乳胶构成。在有机电子器件封装后保护膜可以被轻易撕除而无胶黏剂残留。可以有效的保证接触电极的导电性不发生任何改变。其具有粘性低且与金属、玻璃、硅、PET、PES等基材密和性优异的特点，因此前驱体材料无法从空隙中渗透，作为电极的保护层是有效的。保护膜起到阻隔ALD封装材料的作用，且能使器件经受住ALD封装温度。
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公开(公告)号：CN103107286B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310057235.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于有机电子器件领域，具体涉及一种采用非光刻工艺在有机电子器件的氧化锡铟电极上实现图形化的方法。首先将盐酸和去离子水混合，配制成溶液中H+浓度为6.0～7.0mol/L的刻蚀溶液；将带有胶黏层的保护膜切割成长方形，然后粘贴在具有ITO电极的衬底的中间区域；将衬底置于刻蚀溶液中1.5min～2min，将未被保护膜保护的ITO电极腐蚀掉，得到图形化的ITO电极；腐蚀结束后揭下保护膜，进而在图形化的ITO电极上制备有机电子器件。采用本发明方法得到的图形化的ITO电极，边缘整齐，无锯齿状，操作简单，无需特殊工艺和特殊设备，适用于制造半导体器件常用的金属氧化物电极，易于推广使用。
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公开(公告)号：CN103094479B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310055950.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明属于有机电子器件领域，具体涉及一种在有机电子器件薄膜封装过程中保护接触电极的方法，通过该方法可以有效避免器件电极被封装薄膜覆盖从而导致器件电极接触失效的现象。该保护膜为硅片保护膜等，采用双层构架形式，基底层使用双轴拉伸聚氯乙烯，胶黏层由经过处理的丙烯酸酯乳胶构成。在有机电子器件封装后保护膜可以被轻易撕除而无胶黏剂残留。可以有效的保证接触电极的导电性不发生任何改变。其具有粘性低且与金属、玻璃、硅、PET、PES等基材密和性优异的特点，因此前驱体材料无法从空隙中渗透，作为电极的保护层是有效的。保护膜起到阻隔ALD封装材料的作用，且能使器件经受住ALD封装温度。
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公开(公告)号：CN103834188B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201410066515.1
申请日：2014-02-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C08L101/00 , C08L83/04 , C08J5/18 , C08J3/28 , H01L51/00
CPC classification number: Y02P20/582
Abstract: 光交联聚合物-有机硅氧烷混合胶柔性衬底及用于制备有机电子器件，属于有机电子器件技术领域，具体涉及一种柔韧度可调节的光交联聚合物-有机硅氧烷混合胶制备的有机电子器件的柔性衬底，该柔性衬底具备更加柔韧的弯曲性能，且阻隔水汽和氧气向有机电子器件的渗透能力更加优异。是将光交联聚合物和有机硅氧烷以质量比100：1～70：1的比例混合在一起制备得到光交联聚合物-聚硅氧烷混合胶；混合胶离心后静止30～50min，然后利用旋涂方法在清洁的Si片上制备得到一层平整的混合胶涂层，厚度为80～3000μm；最后在紫外灯下固化后剥离，从而得到光交联聚合物-有机硅氧烷混合胶柔性衬底。
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公开(公告)号：CN103834188A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410066515.1
申请日：2014-02-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C08L101/00 , C08L83/04 , C08J5/18 , C08J3/28 , H01L51/00
CPC classification number: Y02P20/582
Abstract: 光交联聚合物-有机硅氧烷混合胶柔性衬底及用于制备有机电子器件，属于有机电子器件技术领域，具体涉及一种柔韧度可调节的光交联聚合物-有机硅氧烷混合胶制备的有机电子器件的柔性衬底，该柔性衬底具备更加柔韧的弯曲性能，且阻隔水汽和氧气向有机电子器件的渗透能力更加优异。是将光交联聚合物和有机硅氧烷以质量比100∶1～70∶1的比例混合在一起制备得到光交联聚合物-聚硅氧烷混合胶；混合胶离心后静止30～50min，然后利用旋涂方法在清洁的Si片上制备得到一层平整的混合胶涂层，厚度为80～3000μm；最后在紫外灯下固化后剥离，从而得到光交联聚合物-有机硅氧烷混合胶柔性衬底。
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