公开(公告)号：CN1150498C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN00131359.2

申请日：2000-11-01

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李峰 ,  赵毅 ,  杨开霞 ,  刘式墉

IPC: G09F9/30

Abstract: 本发明公开了一种在有机电致发光显示器件制作过程中的真空室外的对板技术，它是在基板上预先蒸镀上金属电极，然后在真空室外根据预先蒸镀上的金属电极的位置进行对板，这样只要真空室内的金属掩模板的位置保持不变，蒸镀出的金属电极的位置就和基板上预先蒸镀的金属电极的位置吻合。

公开(公告)号：CN1118508C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN00108814.9

申请日：2000-05-10

Applicant: 吉林大学

Inventor： 方鲲 ,  赵毅 ,  黄劲松 ,  李传南 ,  杨开霞 ,  侯晶莹 ,  刘式墉

IPC: C08K9/04 ,  C08L63/00 ,  C09K3/10

Abstract: 本发明涉及一种含有经表面活性极性处理的纳米硅基氧化物SiO2-x的有机硅改性环氧树脂单组份室温固化封装材料。封装材料中包含(重量比)：92.0-96.0%的有机硅改性环氧树脂基质(其中有机硅∶环氧树脂＝1∶1-1.4)、0.3-4.5%的p型纳米硅基氧化物SiO2-x、2.1-2.3%正硅酸己酯交联剂、1.4-1.7%低分子聚乙烯腊和/或邻苯二甲酸酯增塑剂、0-0.4%白炭黑补强剂、0.1-0.3%助剂。本封装材料具有制备工艺简单、室温固化、固化时间短等特点，可应用于有机电致发光器件OELD等电子电气器件的封装。

公开(公告)号：CN1289997A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN00131359.2

申请日：2000-11-01

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李峰 ,  赵毅 ,  杨开霞 ,  刘式墉

IPC: G09F9/30

Abstract: 本发明公开了一种在有机电致发光显示器件制作过程中的真空室外的对板技术,它是在基板上预先蒸镀上金属电极,然后在真空室外根据预先蒸镀上的金属电极的位置进行对板,这样只要真空室内的金属掩模板的位置保持不变,蒸镀出的金属电极的位置就和基板上预先蒸镀的金属电极的位置吻合。

公开(公告)号：CN1270979A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：CN00108814.9

申请日：2000-05-10

Applicant: 吉林大学

Inventor： 方鲲 ,  赵毅 ,  黄劲松 ,  李传南 ,  杨开霞 ,  侯晶莹 ,  刘式墉

IPC: C09K3/10 ,  C08L63/00 ,  C08K9/02

Abstract: 本发明涉及一种经表面活性处理后的纳米SiO2－x改性的有机硅/环氧树脂(PDMS/E44)单组份室温固化封装材料。封装材料中包含有:92.0—96.0%的有机硅/环氧基质、0.3—4.5%的纳米SiO2－x改性剂、2.1—2.3%正硅酸己酯交联剂、1.4—1.7%低分子聚乙烯腊和/或邻苯二甲酸酯增塑剂、0—0.4%白炭黑补强剂、0.1—0.3%助剂。本封装材料具有制备工艺简单、室温固化、固化时间短等特点,可应用于有机电致发光器件OELD等电子电气器件的封装。

公开(公告)号：CN1140891C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN01114144.1

申请日：2001-06-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 杨开霞 ,  黄劲松 ,  刘式墉

IPC: G09G3/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种制作有机量子阱结构电发光器件的方法。我们利用掺杂方法制备量子阱结构，并且掺杂母体采用空穴传输材料，使这种材料的未掺杂层作势垒层，掺杂层作势阱层，这种交替的掺杂结构形成量子阱结构。

公开(公告)号：CN1326177A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN01114144.1

申请日：2001-06-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 杨开霞 ,  黄劲松 ,  刘式墉

IPC: G09G3/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种制作有机量子阱结构电发光器件的方法。我们利用掺杂方法制备量子阱结构,并且掺杂母体采用空穴传输材料,使这种材料的未掺杂层作势垒层,掺杂层作势阱层,这种交替的掺杂结构形成量子阱结构。

公开(公告)号：CN1132961C

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN00131360.6

申请日：2000-11-01

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高文宝 ,  李传南 ,  杨开霞 ,  刘式墉

IPC: C23C14/04

Abstract: 本发明公开了一种在有机电致发光器件制作过程中，用于真空镀膜的掩膜板及其制作加工技术，它是在线切割及光刻腐蚀的基础上，利用齿(8)、槽(9)对镍铬合金丝(12)进行限位，从而形成精细的掩膜板，分辨率为3条线/mm，可实现平板显示屏的矩阵选址。

公开(公告)号：CN1291660A

公开(公告)日：2001-04-18

申请号：CN00131360.6

申请日：2000-11-01

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高文宝 ,  李传南 ,  杨开霞 ,  刘式墉

IPC: C23C14/04

Abstract: 本发明公开了一种在有机电致发光器件制作过程中,用于真空镀膜的掩膜板及其制作加工技术,它是在线切割及光刻腐蚀的基础上,利用齿(8)、槽(9)对镍铬合金丝(12)进行限位,从而形成精细的掩膜板,分辨率为3条线/mm,可实现平板显示屏的矩阵选址。