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公开(公告)号：CN100470763C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200710056020.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/84
Abstract: 本发明属于平板显示驱动技术领域，具体涉及一种有源驱动有机电致发光显示屏中多晶硅TFT阵列的制作方法。首先是制作多晶硅薄膜，然后光刻形成TFT区、电容下极板区、有机电致发光二极管的阳极区和重掺杂多晶硅的连线；制作栅绝缘层之后光刻形成过孔，用于连接多晶硅和金属；再溅射金属，光刻金属，形成金属栅极和金属连线，同时给电容下极板掺杂区开出掺杂窗口，之后再利用自对准进行掺杂，对TFT的源漏电极，多晶硅短线互连区，电容下极板需要掺杂区进行重(BH3)P型掺杂；最后制备绝缘层、发光窗口、OLED发光层。本发明所述方法的整个工艺过程只需要4次光刻，与通常的Poly-Si TFT工艺过程相比减少2次以上，具有工艺简单的优良效果。
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公开(公告)号：CN1316633C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410010983.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明涉及多栅双沟道结构多晶硅薄膜晶体管，包括：绝缘基底(1)、SiO2缓冲层(51)、上绝缘层(53)、在上绝缘层(53)内的两个顶栅电极(24)、漏区(3)、源区(4)；此外，SiO2缓冲层(51)上还生长有一层下绝缘层(52)，在下绝缘层(52)内有底栅电极(23)，底栅电极(23)与顶栅电极(24)通过栅电极连接孔(25)连接；在下绝缘层(52)上生长有多晶硅薄膜形成的沟道(6)。本发明的TFT器件与在同样条件下制备的TFT有着同量级关态漏电流的同时，具有开态电流增加一倍、相同宽长比TFT驱动负载能力增大、提供同样电流在集成矩阵中占更小面积、有效提高开口率等优良效果。
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公开(公告)号：CN1684560A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510016594.6
申请日：2005-02-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，具体涉及有机电致发光器件铟锡氧化物(Indium Tin－Oxide，简称ITO)电极的一种处理方法，其过程是：首先将经过预处理的ITO电极和衬底用浓度为5－1000mg/L的高锰酸钾溶液超声清洗2－60分钟；接着使用高速旋转法使ITO电极表面上的高锰酸钾溶液均匀，并且使衬底(10)和ITO电极(11)干燥；然后将处理好的ITO电极应用于有机电致发光器件的制备中。本发明所述的电极的处理方法具有工艺简单且与现有的工业生产中的ITO电极清洗工艺设备兼容性好的特点。经过处理的ITO电极用于有机电致发光器件制作时，可明显地增强发光器件的性能，如提高发光效率和亮度等。
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公开(公告)号：CN1326176A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN01114143.3
申请日：2001-06-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种在彩色有机发光显示屏的制作中采用掩模板与衬底相对移动依次蒸镀三基色有机物发光层的技术。它是利用薄的金属板作为掩模板,采用在真空室内掩模板与衬底的相对移动将掩模板的第一条线依次与铟锡氧化物(ITO)图形的第一、二、三条线对准,同时掩模板的第二条线将依次与ITO图形的四、五、六条线对准,依此类推。这样,三基色有机发光材料便可被依次蒸镀到衬底的指定位置上。
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公开(公告)号：CN102709490A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210178915.2
申请日：2012-06-01
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明属于有机光电器件领域，具体涉及有机光电器件透明氧化物电极的一种处理方法，这是制作有机光电器件的一个工艺步骤，该方法可以提高有机光电器件的性能。其过程是先配置无机化合物LiClO4、NaClO4、NaMnO4、KClO4、RbClO4、RbMnO4、CsClO4、CsMnO4的去离子水溶液，然后将清洁处理的透明氧化物电极及其衬底浸入上述化合物的溶液中进行超声处理，取出后用去离子水冲掉电极表面残存溶液，烘干并进行紫外或等离子体处理。该方法成本低、操作简便，对器件的稳定性没有影响，可以大面积处理和批量处理，仅使用现有工业生产中的透明氧化物电极清洗设施即可完成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101123222A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710056020.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/84
Abstract: 本发明属于平板显示驱动技术领域，具体涉及一种有源驱动有机电致发光显示屏中多晶硅TFT阵列的制作方法。首先是制作多晶硅薄膜，然后光刻形成TFT区、电容下极板区、有机电致发光二极管的阳极区和重掺杂多晶硅的连线；制作栅绝缘层之后光刻形成过孔，用于连接多晶硅和金属；再溅射金属，光刻金属，形成金属栅极和金属连线，同时给电容下极板掺杂区开出掺杂窗口，之后再利用自对准进行掺杂，对TFT的源漏电极，多晶硅短线互连区，电容下极板需要掺杂区进行重(BH3)P型掺杂；最后制备绝缘层、发光窗口、OLED发光层。本发明所述方法的整个工艺过程只需要4次光刻，与通常的Poly－Si TFT工艺过程相比减少2次以上，具有工艺简单的优良效果。
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公开(公告)号：CN1187470C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN03110977.2
申请日：2003-01-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于有机电致发光镀膜机的坩埚式蒸发源。坩埚式蒸发源由支座、热电偶测温系统、加热体炉子及坩埚组成。炉子由上、下两个95#陶瓷圆环片(9)、金属钼炉丝(8)、位于上下两个陶瓷圆环片(9)间的筒状石英玻璃内屏蔽层(7)和筒状不锈钢外屏蔽层(6)组成，炉丝(8)上下回绕、通过另一小陶瓷圆环(12)嵌于两个陶瓷圆环片(9)内；上下两个95#陶瓷圆环片(9)用3个钼螺丝杆(5)连接在一起，炉体可以稳固地放置在陶瓷绝缘支座(4)上。该蒸发源具有寿命长、终年不需更换和维护、控温性能优越、蒸发速率稳定、保温性能好、同一真空室的各个蒸发源之间不互相污染、操作方便等优点。
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公开(公告)号：CN102709475A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210179120.3
申请日：2012-06-01
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于有机半导体器件技术领域，具体涉及一种应用碱金属铷化合物作为阴极缓冲层材料或电子注入层N型掺杂材料的有机半导体器件。碱金属铷化合物为RbBr、Rb2CO3、Rb2SO4、RbOH、RbNO3、RbClO4，RbCl、RbI、RbF等。本发明将Rb的化合物形成单一阴极缓冲层或与有机材料共掺杂制作在有机半导体器件中有机层和阴极之间，有效地增强了有机半导体器件的电子注入和传输，进而提高有机半导体器件的各项性能。
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