Patent search ap:("哈尔滨工业大学") AND inv:"侯朴" Page 1

1.

发明公开
一种薄膜温度传感器及其制备方法和温度场测量方法审中-实审

公开(公告)号：CN119469451A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411628664.2

申请日：2024-11-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郭政佑 , 杨强 , 刘中正 , 侯朴 , 师湫航 , 潘鑫 , 严强 , 孟松鹤 , 李金平

IPC: G01K7/16 , C04B41/87

Abstract: 本发明涉及一种薄膜温度传感器及其制备方法和温度场测量方法，属于温度传感器技术领域，所述薄膜温度传感器具有半导体特性；所述薄膜温度传感器包括SiBCN陶瓷和填料。本发明提供的薄膜温度传感器致密度高、表面质量好，与基体结合能力强，不易脱落，在0～800℃范围内均具有明显半导体特性，可满足高温工况下不同材质的平面、曲面、异形结构的工件表面的温度场测量需求。

Patent Agency Ranking