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公开(公告)号：CN117008234A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311030408.9
申请日：2023-08-16
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明属于超表面、微纳光子技术领域，具体涉及一种基于二氧化硅的双曲超表面及其制备方法和应用。本发明提供的基于二氧化硅的双曲超表面具有由若干条带状二氧化硅组成纳米光栅结构，能在8～10μm波段产生双曲型声子极化激元，有利于将光能量汇聚至特定区域，实现对光的有效压缩，而且该波段位于利用大气窗口，可以进行远距离红外热成像，有助于提升光电探测器性能和中红外波段超表面成像，而且该超表面集成度高，因此便于光子集成，本发明的双曲超表面可应用于超表面成像和光能量传输器件，制成超透镜，实现把光聚焦在比波长更小的地方，聚焦的光越紧密，焦点越小，图像的分辨率也就越高，适合超高密度集成光路设计。
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公开(公告)号：CN116736435A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310947806.0
申请日：2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明实施例中提供了一种用于硅异质集成的一维光子晶体级联狭缝波导，属于光电子器件技术领域，该狭缝波导包括：单晶硅层，所述单晶硅层构成了狭缝波导的本体；狭缝，所述狭缝设置在所述单晶硅层上；缺陷部，所述缺陷部周期性的设置在一维光子晶体狭缝波导中，所述缺陷部构成了一维光子晶体级联狭缝波导的谐振腔，进而形成一维光子晶体级联狭缝波导的级联谐振单元。本方案的一维光子晶体级联狭缝波导具有优于二维光子晶体结构的光带宽，并具有更低的传输损耗和更好的加工鲁棒性。
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公开(公告)号：CN119989698A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510092552.8
申请日：2025-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: G06F30/20 , H01S3/102 , G16C10/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于TTM‑MD仿真的抑制热电子发射方法，所述方法通过调节双脉冲的能量分布与延迟时间，对电子温度进行调控；并根据升温时间与延迟之间的关系，获得在满足加工要求下引入的最大延迟时间。本发明方法通过获得在满足加工要求的前提下能够引入的最大延迟，降低了电子温度，用以抑制热电子发射。
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公开(公告)号：CN119182044A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411257037.2
申请日：2024-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供一种压缩激光器谱线宽度的方法、本地振荡器及相干检测系统，属于相干光通信技术领域。本发明压缩硅基量子点激光器谱线宽度的方法通过降低泵浦源的外部载流子噪声实现，使得所述硅基量子点激光器使得所述硅基量子点激光器降低频率噪声，减少输出光的相位波动，并能够将该压缩硅基量子点激光器谱线宽度的方法用于制备相干检测本地振荡器光源。本发明的有益效果为：显著降低了硅基量子点激光器的线宽，并且抑制了再展宽现象，极大地优化了硅基激光器的性能，并提高了其输出的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117092743A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310872383.0
申请日：2023-07-14
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种具有强模式手性的片上集成光学谐振腔及滤波器，具有强模式手性的片上集成光学谐振腔包括：非对称结构的微环谐振腔本体，微环谐振腔本体的半径随圆心方位角逐渐放大；微环谐振腔本体的首端为内层缺口端面，尾端为外层缺口端面，微环谐振腔本体的首端和尾端不连续，内层缺口端面与圆心之间的连线、外层缺口端面与圆心之间的连线的夹角为θ，夹角θ可变；内层缺口端面用于诱导产生顺时针光波分量向逆时针光波分量的背向散射；外层缺口端面用于诱导产生逆时针光波分量向顺时针光波分量的背向散射；内层缺口端面与外层缺口端面之间的弧形部分的顶端设置有移相器。本发明实现了自由调控手性度，扩大了器件的功能特性和应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113740265A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110944872.3
申请日：2021-08-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明提供了一种多元素材料AnBxC1‑x元素配比的检测方法，其包括如下步骤：获取待测多元素材料AnBxC1‑x相干声子的频率和x的关系曲线；探测待测多元素材料AnBxC1‑x的能带隙宽度Eg；将一束高于Eg的超快泵浦光垂直于待测多元素材料的表面入射；将探测光与待测多元素材料的表面成θ角入射，并与泵浦光相交于一点，改变探测光和泵浦光之间的延迟时间，得到待测多元素材料的干涉强度随时间的变化曲线，对振荡部分进行拟合，得到相干声子的频率随着能流密度变化的曲线图，其中任意一点的能流密度下的相干声子的频率值，与步骤S1中的关系曲线进行对比分析，获得x值。本发明的技术方案，操作简单、灵敏度高。
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公开(公告)号：CN113790804B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111042288.5
申请日：2021-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及安全驾驶技术领域，特别涉及一种基于中红外探测器的疲劳驾驶监测提醒装置及方法。其中中红外探测器包括柔性透明的沟道、基底、漏电极、源电极，沟道连接在基底上，漏电极、源电极分别连接在沟道上的两端，中红外探测器以受光源照射点为中心，为镜像非对称结构，漏电极、源电极为异质电极，沟道为同质结结构；或所述漏电极、源电极为同质电极，沟道为p‑n结或异质结结构。并基于中红外探测器衍生了监测提醒装置和方法。本发明无需外部光源照射辅助、甚至无需焦平面成像阵列，使用中红外传感技术降低了监测系统的体积、成本与功耗；同时排除了环境可见光带来的影响，提高了装置识别的精准度。
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公开(公告)号：CN113790804A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111042288.5
申请日：2021-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及安全驾驶技术领域，特别涉及一种基于中红外探测器的疲劳驾驶监测提醒装置及方法。其中中红外探测器包括柔性透明的沟道、基底、漏电极、源电极，沟道连接在基底上，漏电极、源电极分别连接在沟道上的两端，中红外探测器以受光源照射点为中心，为镜像非对称结构，漏电极、源电极为异质电极，沟道为同质结结构；或所述漏电极、源电极为同质电极，沟道为p‑n结或异质结结构。并基于中红外探测器衍生了监测提醒装置和方法。本发明无需外部光源照射辅助、甚至无需焦平面成像阵列，使用中红外传感技术降低了监测系统的体积、成本与功耗；同时排除了环境可见光带来的影响，提高了装置识别的精准度。
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公开(公告)号：CN113740265B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202110944872.3
申请日：2021-08-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明提供了一种多元素材料AnBxC1‑x元素配比的检测方法，其包括如下步骤：获取待测多元素材料AnBxC1‑x相干声子的频率和x的关系曲线；探测待测多元素材料AnBxC1‑x的能带隙宽度Eg；将一束高于Eg的超快泵浦光垂直于待测多元素材料的表面入射；将探测光与待测多元素材料的表面成θ角入射，并与泵浦光相交于一点，改变探测光和泵浦光之间的延迟时间，得到待测多元素材料的干涉强度随时间的变化曲线，对振荡部分进行拟合，得到相干声子的频率随着能流密度变化的曲线图，其中任意一点的能流密度下的相干声子的频率值，与步骤S1中的关系曲线进行对比分析，获得x值。本发明的技术方案，操作简单、灵敏度高。
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公开(公告)号：CN220232014U
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202322026022.2
申请日：2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本实用新型实施例中提供了一种用于硅异质集成的一维光子晶体级联狭缝波导，属于光电子器件技术领域，该狭缝波导包括：单晶硅层，所述单晶硅层构成了狭缝波导的本体；二氧化硅层，所述二氧化硅层与所述单晶硅层相邻；狭缝，所述狭缝设置在所述单晶硅层上；缺陷部，所述缺陷部周期性的设置在一维光子晶体狭缝波导中，所述缺陷部构成了一维光子晶体级联狭缝波导的谐振腔，进而形成一维光子晶体级联狭缝波导的级联谐振单元。本方案的一维光子晶体级联狭缝波导具有优于二维光子晶体结构的光带宽，并具有更低的传输损耗和更好的加工鲁棒性。
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