公开(公告)号：CN101226898B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200810001386.2

申请日：2008-01-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·K·钦撒金蒂 ,  金德起 ,  李熙

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/108 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L29/94 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明公开了一种沟槽电容器及其制造方法。在由诸如凹隔离或浅沟槽隔离限定的沟槽中，形成电容器的设计结构，其具有用于去耦应用的适当大的值。该电容器提供与有源区共延的接触区域，并可以单独或少量的方式可靠地形成该电容器。优选地，通过延伸到形成电容器板的掺杂扩散区或在形成电容器板的掺杂扩散区之间延伸的注入区来实现板接触。可通过形成隔离结构之后的工艺来形成该电容器，使得可以使用优选的软掩模工艺来形成隔离结构，并且避免了工艺通用性和兼容性限制，同时可以与其他结构的处理一样的方式执行该电容器形成工艺。

公开(公告)号：CN101226898A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810001386.2

申请日：2008-01-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·K·钦撒金蒂 ,  金德起 ,  李熙

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/108 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L29/94 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明公开了一种沟槽电容器及其制造方法。在由诸如凹隔离或浅沟槽隔离限定的沟槽中，形成电容器的设计结构，其具有用于去耦应用的适当大的值。该电容器提供与有源区共延的接触区域，并可以单独或少量的方式可靠地形成该电容器。优选地，通过延伸到形成电容器板的掺杂扩散区或在形成电容器板的掺杂扩散区之间延伸的注入区来实现板接触。可通过形成隔离结构之后的工艺来形成该电容器，使得可以使用优选的软掩模工艺来形成隔离结构，并且避免了工艺通用性和兼容性限制，同时可以与其他结构的处理一样的方式执行该电容器形成工艺。