公开(公告)号：CN101383337A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810129458.1

申请日：2008-07-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·M·纽恩斯 ,  L·克鲁辛-艾尔鲍姆 ,  金德起 ,  陈冠能 ,  朴炳柱 ,  B·G·埃尔米格林 ,  林仲汉 ,  C·科桑达拉曼 ,  S·波卢索萨曼

IPC: H01L23/525 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种可编程相变材料(PCM)结构包括在半导体器件的BEOL级形成的加热器元件，该BEOL级包括低K电介质材料于其中；与加热器元件的第一端电接触的第一通孔和与加热器元件的第二端电接触的第二通孔，从而限定通过第一通孔、加热器元件和第二通孔的编程电流通路；置于加热器元件上的PCM元件，该PCM元件配置成通过使用经过加热器元件的编程电流在较低电阻结晶态与较高电阻非晶态之间编程；以及与PCM元件电接触的第三通孔，从而限定通过第三通孔、PCM元件、加热器元件和第二通孔的读出电流通路。

公开(公告)号：CN101068017A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200710104746.7

申请日：2007-04-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  权五正 ,  金德起 ,  J·W·阿德基桑

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78654

Abstract: 公开了具有包括氘的隔离结构的结构和相关方法。一种结构包括用于半导体器件的衬底，在衬底之内包括隔离结构，该隔离结构包括氘。衬底可以包括绝缘体上半导体衬底。一种方法可以包括步骤：在衬底中提供隔离结构，该隔离结构包括氘；和进行退火，以将氘扩散到衬底中(在形成栅电介质之前和/或之后)。这些结构和方法提供一种并入氘并且减少缺陷的更有效手段。另外，氘退火可以在生产线前端(FEOL)工艺期间栅电介质形成之前进行，以便可以使退火温度较高，以在减小的退火时间下改进氘并入。

公开(公告)号：CN101383337B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200810129458.1

申请日：2008-07-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·M·纽恩斯 ,  L·克鲁辛-艾尔鲍姆 ,  金德起 ,  陈冠能 ,  朴炳柱 ,  B·G·埃尔米格林 ,  林仲汉 ,  C·科桑达拉曼 ,  S·波卢索萨曼

IPC: H01L23/525 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种可编程相变材料(PCM)结构包括在半导体器件的BEOL级形成的加热器元件，该BEOL级包括低K电介质材料于其中；与加热器元件的第一端电接触的第一通孔和与加热器元件的第二端电接触的第二通孔，从而限定通过第一通孔、加热器元件和第二通孔的编程电流通路；置于加热器元件上的PCM元件，该PCM元件配置成通过使用经过加热器元件的编程电流在较低电阻结晶态与较高电阻非晶态之间编程；以及与PCM元件电接触的第三通孔，从而限定通过第三通孔、PCM元件、加热器元件和第二通孔的读出电流通路。

公开(公告)号：CN101241926B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810002085.1

申请日：2008-01-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 丹尼斯·M.·纽恩斯 ,  朴炳柱 ,  金德起 ,  布鲁斯·G.·埃尔米格林 ,  利亚·克鲁辛-艾尔鲍姆 ,  萨布拉玛尼安·S.·伊耶

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/2436 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/008 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种可编程相变材料(PCM)结构，包括在半导体器件的晶体管栅极级形成的加热器元件，加热器元件还包括由相对于电极的细线结构连接的一对电极，加热器元件配置成接收通过那里的编程电流，位于细线结构的一部分顶上的一层相变材料，以及配置成感测相变材料的电阻的感测电路系统。

公开(公告)号：CN101159258A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710153741.3

申请日：2007-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 阿尼尔·K·钦撒金迪 ,  金德起 ,  钱德拉撒克哈兰·科塞恩达拉曼

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种熔丝结构，该熔丝结构包括插入在基板和熔丝材料层之间的空腔。所述空腔不形成于所述熔丝材料层的侧壁，或与所述基板相对的熔丝材料的表面。当所述熔丝材料层包括突出的端部和较窄的中间区时，在使用自对准蚀刻法时，空腔可以形成插入所述基板和熔丝材料层之间。所述空腔通过支撑所述熔丝材料层的一对牺牲层基座而被隔离。包封所述空腔从而通过使用包封介电层而形成空腔。作为替代，当形成插入所述基板和熔丝材料层之间的空腔时，可以使用阻挡掩模。

公开(公告)号：CN101217143B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200810002202.4

申请日：2008-01-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金德起 ,  金成东 ,  权五正

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/7846 ,  Y10S257/908

Abstract: 本发明的实施例提供了一种采用双应力STI的器件、方法等等。提供了一种具有这样的衬底的半导体器件，所述衬底具有第一晶体管区域和不同于所述第一晶体管区域的第二晶体管区域。所述第一晶体管区域包括PFET；以及，所述第二晶体管区域包括NFET。此外，在所述衬底中提供邻近所述第一晶体管区域和所述第二晶体管区域的侧面并位于所述第一晶体管区域与所述第二晶体管区域之间的STI区域，其中每一个所述STI区域包括压缩区域、压缩衬里、拉伸区域以及拉伸衬里。

公开(公告)号：CN100530633C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200710153741.3

申请日：2007-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 阿尼尔·K·钦撒金迪 ,  金德起 ,  钱德拉撒克哈兰·科塞恩达拉曼

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种熔丝结构，该熔丝结构包括插入在基板和熔丝材料层之间的空腔。所述空腔不形成于所述熔丝材料层的侧壁，或与所述基板相对的熔丝材料的表面。当所述熔丝材料层包括突出的端部和较窄的中间区时，在使用自对准蚀刻法时，空腔可以形成插入所述基板和熔丝材料层之间。所述空腔通过支撑所述熔丝材料层的一对牺牲层基座而被隔离。包封所述空腔从而通过使用包封介电层而形成空腔。作为替代，当形成插入所述基板和熔丝材料层之间的空腔时，可以使用阻挡掩模。

公开(公告)号：CN101226898B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200810001386.2

申请日：2008-01-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·K·钦撒金蒂 ,  金德起 ,  李熙

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/108 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L29/94 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明公开了一种沟槽电容器及其制造方法。在由诸如凹隔离或浅沟槽隔离限定的沟槽中，形成电容器的设计结构，其具有用于去耦应用的适当大的值。该电容器提供与有源区共延的接触区域，并可以单独或少量的方式可靠地形成该电容器。优选地，通过延伸到形成电容器板的掺杂扩散区或在形成电容器板的掺杂扩散区之间延伸的注入区来实现板接触。可通过形成隔离结构之后的工艺来形成该电容器，使得可以使用优选的软掩模工艺来形成隔离结构，并且避免了工艺通用性和兼容性限制，同时可以与其他结构的处理一样的方式执行该电容器形成工艺。

公开(公告)号：CN100466263C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510123671.8

申请日：2005-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·L·霍 ,  W·F·埃里斯 ,  金德起 ,  P·C·帕里斯 ,  J·E·法尔特迈尔 ,  J·E·小巴思 ,  B·A·安德森 ,  S·伊耶 ,  R·W·曼 ,  R·迪瓦卡茹尼

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 一种被形成在半导体衬底中的去耦电容器结构，该半导体衬底具有被形成在其中的沟槽绝缘体结构，去耦电容器包括：电容器沟槽；内部去耦电容器电极；外部去耦电容器电极；有源区域，其与掺杂半导体材料区域的导电性相同，并被形成为与所述沟槽绝缘体结构相邻且接触所述外部去耦电容器电极；接触结构，其被形成在内部去耦电容器电极上，用于将所述内部去耦电容器电极电连接到第一形成的金属级；以及具有相同导电性的另一接触结构，其被形成在有源区域上，用于将外部去耦电容器电极电连接到第二形成的金属级。

公开(公告)号：CN101217143A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810002202.4

申请日：2008-01-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金德起 ,  金成东 ,  权五正

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/7846 ,  Y10S257/908

Abstract: 本发明的实施例提供了一种采用双应力STI的器件、方法等等。提供了一种具有这样的衬底的半导体器件，所述衬底具有第一晶体管区域和不同于所述第一晶体管区域的第二晶体管区域。所述第一晶体管区域包括PFET；以及，所述第二晶体管区域包括NFET。此外，在所述衬底中提供邻近所述第一晶体管区域和所述第二晶体管区域的侧面并位于所述第一晶体管区域与所述第二晶体管区域之间的STI区域，其中每一个所述STI区域包括压缩区域、压缩衬里、拉伸区域以及拉伸衬里。