公开(公告)号：CN1130762C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN98123985.4

申请日：1998-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·E·伊斯梅尔 ,  S·A·里斯顿 ,  K·L·森格尔

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2652 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575

Abstract: 介绍了一种场效应晶体管及其形成方法，其中场效应晶体管引入与原有的浅结区自对准的T形栅和源和漏接触。本发明提供一种低阻栅电极和自对准的低阻源/漏接触，适于亚微米FET器件，并可以缩小到更小器件尺寸。

公开(公告)号：CN1219761A

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN98123985.4

申请日：1998-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·E·伊斯梅尔 ,  S·A·里斯顿 ,  K·L·森格尔

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2652 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575

Abstract: 介绍了一种场效应晶体管及其形成方法,其中场效应晶体管引入与原有的浅结区自对准的T形栅和源和漏接触。本发明提供一种低阻栅电极和自对准的低阻源/漏接触,适于亚微米FET器件,并可以缩小到更小器件尺寸。