具有接触占位体结构的堆叠FET
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119923967A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202380066705.0

    申请日:2023-08-25

    Abstract: 提供了一种半导体结构,其包括第一FET器件区域,第一FET器件区域包括多个第一FET,多个第一FET中的每个第一FET包括位于功能栅极结构的每一侧上的第一源极/漏极区域(28)。第二FET器件区域堆叠在第一FET器件区域上方并且包括多个第二FET,多个第二FET中的每个第二FET包括位于功能栅极结构的每一侧上的第二源极/漏极区域(46)。该结构还包括邻近至少一个第一FET的第一源极/漏极区域中的一个第一源极/漏极区域定位的至少一个第一前侧接触占位体结构(32),以及邻近至少一个第二FET的第二源极/漏极区域中的至少一个第二源极/漏极区域定位的至少一个第二前侧接触占位体结构(52)。

    替代金属栅极之后埋入式电源轨
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118103971A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202280068357.6

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本文中的实施例包括具有连接到第一场效应晶体管(FET)区域的第一源极/漏极(S/D)、连接到第二FET区域的第二S/D和埋入式电源轨(BPR)区域的半导体结构。BPR区域可以包括BPR、内衬在BPR区域的第一横向侧的第一电介质衬垫和内衬在第二横向侧的第二电介质衬垫。第一电介质衬垫将BPR与第一FET区域和第一S/D隔离,并且第二电介质衬垫将BPR与第二FET区域隔离。实施例还可以包括通过BPR区域的第二横向侧电连接第二S/D和BPR的触点。衬垫使得BPR能够在栅极和S/D形成之后形成,从而BPR在栅极和S/D的退火工艺期间不引起问题。

    用于晶体管的自对准背侧接触集成

    公开(公告)号:CN118749129A

    公开(公告)日:2024-10-08

    申请号:CN202380023197.8

    申请日:2023-01-18

    Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括包含多个源极/漏极外延的晶体管。所述半导体器件还包括所述晶体管下方的至少一个背侧功率轨。所述半导体器件还包括位于多个源极/漏极外延和至少一个功率轨之间的背侧层间电介质(ILD)。所述半导体器件还包括将第一源极/漏极外延连接到所述至少一个背侧功率轨的第一背侧接触。所述半导体器件还包括形成在其它源极/漏极外延下面的一个或多个接触占位物。

    有限带宽条件下的流改变
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117957826A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202280061544.1

    申请日:2022-08-23

    Abstract: 提供了在有限带宽条件下的流改变。局域网上的路由器连续地监测来自局域网外部的源的传入的网络流量以检测传入的网络流量的带宽超过第一阈值。路由器向传入的网络流量的源发送请求以临时地将传入的网络流量重定向到优化分析器。对传入的流执行分析以识别一个或多个流以供改变。响应于识别出用于改变的传入的流中的一个或多个,对于每个所识别的传入的流,连续地改变所识别的传入的流,以及将改变的流重定向到本地设备。

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