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公开(公告)号:CN113615319B
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN201980094717.8
申请日:2019-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H10K59/12 , H10K59/131 , H10K59/121 , G09F9/30 , H05B33/06 , H05B33/02 , H05B33/12
Abstract: 设于树脂基板层(15)上的TFT层(17)具有第一无机绝缘膜(24)、设于第一无机绝缘膜上的第二无机绝缘膜(36)以及设于第二无机绝缘膜上的引出布线(7),在边框区域(F)的折弯部(B)中,设于TFT层中的狭缝(81)由形成于第一无机绝缘膜第一狭缝(83)和第二狭缝(85)构成,在第二狭缝的内侧沿第一狭缝的宽度方向的两侧设置的段部(91)设有岛状的凸部(93),引出布线覆盖凸部的周端面,并且具有使凸部的上表面露出的开口(97)。
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公开(公告)号:CN112449711A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN201880095755.0
申请日:2018-07-20
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在显示区域以及弯折部(B)之间在与弯折部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸设置的多个第一上层布线(14d),经由形成在第二树脂层(8)以及无机绝缘膜(11、13)上的多个第一接触孔(Ha),分别与在树脂基板(10a)的第一树脂层(6)以及第二树脂层(8)之间在与弯折部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸且以横穿狭缝(S)的方式设置的多个下层布线(7b)电连接。
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公开(公告)号:CN111819614A
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN201880091027.2
申请日:2018-03-09
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 第一配线(18h)和第二配线(18i)延伸设置到从狭缝(S)露出的树脂基板的上表面,第一平坦化膜(8)在狭缝的内部,以在第一配线(18h)和第二配线(18i)延伸设置的部分之间使树脂基板的上表面露出的方式设置,第一配线(18h)和第二配线(18i)经由设置在第一平坦化膜(8)的端面和树脂基板的上表面之间的第三配线(18j)电连接。
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公开(公告)号:CN111149146A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201780095251.4
申请日:2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在边框区域(F)的弯折部(B)处,在构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜中形成贯穿该无机绝缘膜而使树脂基板(10)的上表面露出的开口部(A),边框配线(12ea)设置在从开口部(A)露出的树脂基板(10)上,构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜中的与树脂基板(10)的上表面接触的无机绝缘膜由氮氧化硅膜形成。
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公开(公告)号:CN110832626A
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201780092572.9
申请日:2017-06-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 柔性有机EL显示装置包括藉由电子背散射衍射法的硅的结晶方位对齐于001面的程度为3以上的多晶硅层(15)。
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公开(公告)号:CN110313057A
公开(公告)日:2019-10-08
申请号:CN201780086931.X
申请日:2017-02-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 在栅极电极形成工序中,在覆盖岛状的半导体层(16)的栅极绝缘膜(17)上形成成为TFT(7)的栅极电极(18)的金属膜,通过对该金属膜进行干式蚀刻而形成栅极电极(18),并对露出的栅极电极(18)实施使用氧或氮的等离子体处理。从而,能够在抑制生产效率下降的同时,防止形成针状结晶或粒状结晶。
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公开(公告)号:CN102822734B
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201180016393.X
申请日:2011-01-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136213 , G02F2001/136295 , G02F2201/40 , Y10T428/24331
Abstract: 本发明提供可以制造具备可靠性高的电子元件、配线的电子基板的方法。在本发明的电子基板的制造方法中,上述电子基板按顺序层叠地具有主基板、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层以及第三导电层,且上述第一导电层、上述第二导电层以及上述第三导电层在贯通上述第一绝缘层和上述第二绝缘层的开口部连接,上述制造方法包括:形成第一导电层的工序;形成以上述第一导电层的至少一部分露出的方式设有开口部的第一绝缘层的工序;在上述第一导电层的露出部上和上述第一绝缘层上涂敷导电膜的工序;在对上述导电膜上的一部分涂敷抗蚀剂后,蚀刻不与上述抗蚀剂重叠的导电膜,形成覆盖上述第一导电层的露出部的表面的第二导电层的工序;形成以上述第二导电层的至少一部分露出的方式设有开口部的第二绝缘层的工序;以及在上述第二导电层的露出部上和上述第二绝缘层上形成第三导电层的工序。
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公开(公告)号:CN111133566B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN201780095340.9
申请日:2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 源极电极(76)覆盖形成于无机绝缘膜(73)及无机绝缘膜(75)的一个接触孔(81),且分别电连接于在接触孔(81)内露出的栅极电极(72)及电容电极(74)。
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公开(公告)号:CN113287368B
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN201980088682.7
申请日:2019-01-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00
Abstract: 包括;第一树脂层(8),在构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜(17)中,以将沿着弯曲部(B)的延伸方向形成的狭缝(S)填埋的方式设置;以及多个第一引绕配线(18h),设置在第一树脂层平行地延伸,在第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)之间,与第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)接触,并且以与各第一引绕配线(18h)的至少一部分重叠的方式设置有第一保护层(7a)。(8)上,与弯曲部(B)的延伸方向正交的方向互相
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