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公开(公告)号：CN102742025A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180007919.8
申请日：2011-01-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/0288 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种背面电极型太阳能电池的制造方法、背面电极型太阳能电池及背面电极型太阳能电池模块。该背面电极型太阳能电池（1，16）的制造方法包括：在硅基板（4）的受光面涂布包括含有与硅基板（4）具有相同导电型的杂质的化合物、钛醇及乙醇的溶液（27）后进行热处理，由此形成受光面扩散层（6）和防止反射膜（7，12）的工序；在硅基板（4）的受光面上通过热处理形成受光面钝化膜（8）的工序。该背面电极型太阳能电池（1，16）具有：受光面扩散层（6）、在受光面扩散层（6）上且由含有与硅基板（4）相同导电型的杂质的二氧化钛形成的防止反射膜（7）。该背面电极型太阳能电池模块（35）包括该背面电极型太阳能电池（1，16）。
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公开(公告)号：CN1770490A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510118739.3
申请日：2005-10-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0％的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。
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公开(公告)号：CN1054704C
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN95108782.7
申请日：1995-08-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/30
Abstract: 本发明的发光二极管阵列包括：第一导电类型的半导体衬底和直线排列在衬底上的多个发光元件。每个发光元件包括：第一导电类型覆盖层；第二导电类型覆盖层；AlxGa1-x)yIn1-yP(这里0≤x≤1和0≤y≤1)激活层，它介于两覆盖层之间；以及第二导电类型电流扩散层，它淀积在第二导电类型覆盖层上。在发光二极管阵列中，在相邻两个发光元件之间，至少它们的第二导电类型电流扩散层和第二导电类型覆盖层是电绝缘的。
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公开(公告)号：CN1741294A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510096594.1
申请日：2005-08-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括n型电流扩散层3、n型AlInP覆层4、量子阱有源层5、p型AlInP覆层6、p型AlGaInP中间层7、p型GaInP结合接触层8、和结合到结合接触层8的p型GaP衬底10。p型GaP衬底10在量子阱有源层5的相对侧上具有倾斜的表面10a。量子阱有源层5中产生的且在LED中的反射表面上全反射的光束可以从倾斜的表面10a发射到外部。
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公开(公告)号：CN1495926A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03160266.5
申请日：2003-06-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/105
Abstract: 本发明公开了一种谐振腔型发光二极管，包括：由n型AlAs或Al0.5Ga0.5As制成的第一DBR；量子阱有源层；由p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P或Al0.5In0.5P制成的第二DBR；以及，位于n型GaAs衬底上的n型电流限制层。第一DBR和第二DBR形成谐振腔。量子阱有源层形成在谐振腔内驻波的波腹位置处。在第二DBR与电流限制层之间，提供有p型GaP蚀刻保护层，其具有通过用厚度除以电阻率而获得的1×103Ω或更高的值。由于电流限制层中形成的电流流动通道的电流几乎不会扩散到电流流动通道的外侧，所以几乎不会生成低电流密度区域而造成量子阱层响应速度的下降。因此，该发光二极管有很好的高速响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1630109A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410010488.2
申请日：2004-10-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079
Abstract: 本发明公开一种具有半导体压层的半导体发光元件，该压层包括有源层以及阶梯，其中，该有源层发射出预定发射波长的光，该阶梯位于超过该有源层的深度位置处。该元件还具有相对发射波长透明的衬底，位于该半导体压层的一个表面上的第一电极，以及位于该阶梯上的第二电极。相对发射波长透明的衬底提高了外发射效率。该第一和第二电极的位置基本阻止了电流流过半导体压层和衬底之间的直接连接介面。即使在该直接连接介面中由于小丘等而产生不完全连接的情况下，该元件也展现了良好的电特性。
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公开(公告)号：CN1497746A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101530.7
申请日：2003-10-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 由单层或多层半导体层组成的发光层4在未掺杂型、弱p型，或者n型第一半导体衬底上进行层叠。由单层或多层组成的n型半导体层5－7在该发光层4上进行层叠。对于发光层4所发射光的波长透明的第二半导体层8在n型半导体层7的表面形成。然后，第一半导体衬底被去除。对于发光层所发射光的波长透明的透明电极层9在通过去除第一半导体衬底所暴露的平面上形成。
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公开(公告)号：CN1118111A
公开(公告)日：1996-03-06
申请号：CN95108782.7
申请日：1995-08-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/30
Abstract: 本发明的发光二极管阵列包括：第一导电类型的半导体衬底和直线排列在衬底上的多个发光元件。每个发光元件包括：第一导电类型覆盖层；第二导电类型覆盖层；AlxGa1-x)yIn1-yP(这里0≤x≤1和0≤y≤1)激活层，它介于两覆盖层之间；以及第二导电类型电流扩散层，它淀积在第二导电类型覆盖层上。在发光二极管阵列中，在相邻两个发光元件之间，至少它们的第二导电类型电流扩散层和第二导电类型覆盖层是电绝缘的。
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公开(公告)号：CN100474643C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510096594.1
申请日：2005-08-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括n型电流扩散层3、n型AlInP覆层4、量子阱有源层5、p型AlInP覆层6、p型AlGaInP中间层7、p型GaInP结合接触层8、和结合到结合接触层8的p型GaP衬底10。p型GaP衬底10在量子阱有源层5的相对侧上具有倾斜的表面10a。量子阱有源层5中产生的且在LED中的反射表面上全反射的光束可以从倾斜的表面10a发射到外部。
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公开(公告)号：CN100399587C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410010488.2
申请日：2004-10-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079
Abstract: 本发明公开一种具有半导体压层的半导体发光元件，该压层包括有源层以及阶梯，其中，该有源层发射出预定发射波长的光，该阶梯位于超过该有源层的深度位置处。该元件还具有相对发射波长透明的衬底，位于该半导体压层的一个表面上的第一电极，以及位于该阶梯上的第二电极。相对发射波长透明的衬底提高了外发射效率。该第一和第二电极的位置基本阻止了电流流过半导体压层和衬底之间的直接连接介面。半导体压层的阶梯和直接连接介面之间的厚度不小于1μm且不大于4μm。即使在该直接连接介面中由于小丘等而产生不完全连接的情况下，该元件也展现了良好的电特性。
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