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公开(公告)号：CN100543361C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610128820.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种发光装置(10)，具备：发出一次光的发光元件(11)；和吸收所述一次光的一部分，发出具有一次光的波长以上长度波长的二次光的波长变换部(12)，其中，所述波长变换部(12)包含多个绿色或黄色系发光荧光体(14)及红色系荧光发光体(13)，绿色或黄色系发光荧光体(14)由从特定的2价的铕激活硅酸盐荧光体(A-1)、及特定的3价的铈激活硅酸盐荧光体(A-2)中选择的至少1种构成，所述红色系发光荧光体(13)由特定的2价的铕激活氮化物荧光体(B)构成，与原有的发光装置相比效率高，且发出高演色性的白色光。
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公开(公告)号：CN100376042C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200410090000.1
申请日：2004-10-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L2224/48463 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光元件，其可得到均匀的发光的同时，可实现半导体发光元件的小型化。其具有：n型GaAs衬底(3)；由n型AlInP下涂敷层(4a)、AlGaInP活性层(5)以及p型AlInP上涂敷层(4b)构成的发光区域层(6)；p型AlGaInP电流扩散层(9)；由AuZn构成的p型电极(10)；还具有用于将发光限制在电流扩散层(9)的发光区域层(6)侧而部分形成的n型GaP电流阻止层(8)；由AuGe构成的n型电极(2)。其中，通过由中央区域部分(8a)和从该中央区域部分(8a)介由电流扩散层(9)的区域部分包围的外侧区域部分(8b)形成电流阻止层(8)，从而将在光取出侧面得到的发光部分(7)形成为环状，并且使电极(10)朝向所述中央区域部分(8a)。
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公开(公告)号：CN1770490A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510118739.3
申请日：2005-10-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0％的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。
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公开(公告)号：CN1612368A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410090000.1
申请日：2004-10-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L2224/48463 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光元件，其可得到均匀的发光的同时，可实现半导体发光元件的小型化。其具有：n型GaAs衬底(3)；由n型AlInP下涂敷层(4a)、AlGaInP活性层(5)以及p型AlInP上涂敷层(4b)构成的发光区域层(6)；p型AlGaInP电流扩散层(9)；由AuZn构成的p型电极(10)；还具有用于将发光限制在电流扩散层(9)的发光区域层(6)侧而部分形成的n型GaP电流阻止层(8)；由AuGe构成的n型电极(2)。其中，通过由中央区域部分(8a)和从该中央区域部分(8a)介由电流扩散层(9)的区域部分包围的外侧区域部分(8b)形成电流阻止层(8)，从而将在光取出侧面得到的发光部分(7)形成为环状，并且使电极(10)朝向所述中央区域部分(8a)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105229807A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480028673.6
申请日：2014-04-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/56
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L24/97 , H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发光装置的制造方法包括如下步骤：将含有荧光体(18)的固体状的密封树脂(17)和含有荧光体(19)的固体状的密封树脂(17)配置至载置有LED芯片的封装件树脂(14)的凹部之后，通过加热来熔化，进而通过加热来固化。
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公开(公告)号：CN101614340A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910161120.9
申请日：2006-08-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V9/10 , C09K11/08 , H01L33/00 , F21Y101/02
Abstract: 提供一种发光装置(10)，具备：发出一次光的发光元件(11)；和吸收所述一次光的一部分，发出具有一次光的波长以上长度波长的二次光的波长变换部(12)，其中，所述波长变换部(12)包含多个绿色或黄色系发光荧光体(14)及红色系发光荧光体(13)，绿色或黄色系发光荧光体(14)由从特定的2价的铕激活硅酸盐荧光体(A－1)、及特定的3价的铈激活硅酸盐荧光体(A－2)中选择的至少1种构成，所述红色系发光荧光体(13)由特定的2价的铕激活氮化物荧光体(B)构成，与原有的发光装置相比效率高，且发出高演色性的白色光。
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公开(公告)号：CN100377377C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510118739.3
申请日：2005-10-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0%的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。
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公开(公告)号：CN1924427A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128820.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种发光装置(10)，具备：发出一次光的发光元件(11)；和吸收所述一次光的一部分，发出具有一次光的波长以上长度波长的二次光的波长变换部(12)，其中，所述波长变换部(12)包含多个绿色或黄色系发光荧光体(14)及红色系荧光发光体(13)，绿色或黄色系发光荧光体(14)由从特定的2价的铕激活硅酸盐荧光体(A－1)、及特定的3价的铈激活硅酸盐荧光体(A－2)中选择的至少1种构成，所述红色系发光荧光体(13)由特定的2价的铕激活氮化物荧光体(B)构成，与原有的发光装置相比效率高，且发出高演色性的白色光。
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公开(公告)号：CN1854858A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610074605.0
申请日：2006-04-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/13357 , H01L33/00
CPC classification number: H01L25/0756 , C09K11/0883 , C09K11/665 , C09K11/7728 , C09K11/7789 , C09K11/7794 , G02F1/133603 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H05B33/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光装置包括：半导体发光元件，其能够发射两种波长成分的光；和荧光材料部分，其中含有荧光材料，能够发射光，当由两种波长成分激发所述的荧光材料时，作为来自荧光材料的荧光的结果而发射光，其中调节所述的两种波长成分和由荧光得到的波长成分，以将其设置在黑体辐射的特性曲线上的任意色温。
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