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公开(公告)号：CN110223985B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910156705.5
申请日：2019-03-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 提供一种有源矩阵基板，其具备具有能降低沟道长度的氧化物半导体TFT的多路分配电路。有源矩阵基板具备包含多个TFT的多路分配电路，各TFT具有：栅极电极；氧化物半导体层，其包含源极接触区域、漏极接触区域以及包含沟道区域的源极漏极间区域；沟道保护层，其仅覆盖源极漏极间区域的一部分；以及源极电极和漏极电极，该源极电极与源极接触区域接触，该漏极电极与漏极接触区域接触，在各TFT的沟道长度方向的一截面中，源极电极和漏极电极中的任意一方电极的沟道区域侧的端部与沟道保护层接触，另一方电极的沟道区域侧的端部与沟道保护层空开间隔配置。
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公开(公告)号：CN104704627B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201380053007.3
申请日：2013-10-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 古川博章
IPC: H01L21/768 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L23/522 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78609 , H01L29/7866
Abstract: 即使是在数据配线间产生了导电性膜残余物的情况下，也能可靠地切断电流泄漏路径。TFT面板(100)的层间绝缘膜(6)在与绝缘性保护膜开口部(61)。(8)的图案边缘(81)相应的位置具备层间绝缘膜
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公开(公告)号：CN102217075A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980146111.0
申请日：2009-11-02
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 古川博章
IPC: H01L29/786 , H01L21/3065 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/12 , H01L21/0335 , H01L29/0657
Abstract: 本发明的半导体层(100)具备上表面(100o)、下表面(100u)以及侧面(100s)。在侧面(100s)中的侧面(100s)与上表面(100o)的边界附近部分，其切线(T1)相对于下表面(100u)的法线倾斜。在侧面(100s)中的比边界附近部分远离上表面(100o)的某部分，其切线(T2)与由下表面(100u)所规定的平面形成的角度比边界附近部分的切线(T1)与由下表面(100u)所规定的平面形成的角度大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115917636A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202080101372.7
申请日：2020-05-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/3208 , G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09F9/30
Abstract: 一种具备像素电路(PC)的显示装置(10)，在像素电路中形成有包括结晶性硅半导体膜(SC)的第一结构的驱动晶体管(T4)和电容元件(Cp)，电容元件包括与驱动晶体管的第一栅极(15a)电连接的第一电容电极(17a)、与第一电容电极相对的第二电容电极(19a)、以及配置在第一电容电极与第二电容电极之间的介电膜(18a)，介电膜(18a)形成在与第一层间绝缘膜(16)和第二层间绝缘膜(20)不同的层。
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公开(公告)号：CN110223985A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910156705.5
申请日：2019-03-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 提供一种有源矩阵基板，其具备具有能降低沟道长度的氧化物半导体TFT的多路分配电路。有源矩阵基板具备包含多个TFT的多路分配电路，各TFT具有：栅极电极；氧化物半导体层，其包含源极接触区域、漏极接触区域以及包含沟道区域的源极漏极间区域；沟道保护层，其仅覆盖源极漏极间区域的一部分；以及源极电极和漏极电极，该源极电极与源极接触区域接触，该漏极电极与漏极接触区域接触，在各TFT的沟道长度方向的一截面中，源极电极和漏极电极中的任意一方电极的沟道区域侧的端部与沟道保护层接触，另一方电极的沟道区域侧的端部与沟道保护层空开间隔配置。
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公开(公告)号：CN105144364B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201480023469.5
申请日：2014-03-04
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 古川博章
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1248 , H01L23/522 , H01L27/1222 , H01L27/1244 , H01L27/1259 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置(100T、100B)具备：基板(30)；第1金属层(10)，其被基板(30)支撑，包含多条第1配线(12)；绝缘层(70)，其形成于第1金属层(10)上；第2金属层(20)，其形成于绝缘层(70)上，包含多条第2配线(22)；绝缘性保护层(80)，其覆盖多条第2配线(22)各自的一部分；以及导电层(90)，其形成于绝缘性保护层(80)上。在包含形成有绝缘性保护层(80)的第1区域(R1)与没有形成绝缘性保护层(80)的第2区域(R2)之间的边界的截面中，绝缘层(70)的绝缘性保护层(80)侧的表面在相互相邻的2条第2配线之间具有台阶。
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公开(公告)号：CN105144364A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480023469.5
申请日：2014-03-04
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 古川博章
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1248 , H01L23/522 , H01L27/1222 , H01L27/1244 , H01L27/1259 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置(100T、100B)具备：基板(30)；第1金属层(10)，其被基板(30)支撑，包含多条第1配线(12)；绝缘层(70)，其形成于第1金属层(10)上；第2金属层(20)，其形成于绝缘层(70)上，包含多条第2配线(22)；绝缘性保护层(80)，其覆盖多条第2配线(22)各自的一部分；以及导电层(90)，其形成于绝缘性保护层(80)上。在包含形成有绝缘性保护层(80)的第1区域(R1)与没有形成绝缘性保护层(80)的第2区域(R2)之间的边界的截面中，绝缘层(70)的绝缘性保护层(80)侧的表面在相互相邻的2条第2配线之间具有台阶。
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公开(公告)号：CN104704627A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380053007.3
申请日：2013-10-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 古川博章
IPC: H01L21/768 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L23/522 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78609 , H01L29/7866
Abstract: 即使是在数据配线间产生了导电性膜残余物的情况下，也能可靠地切断电流泄漏路径。TFT面板(100)的层间绝缘膜(6)在与绝缘性保护膜(8)的图案边缘(81)相应的位置具备层间绝缘膜开口部(61)。
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