公开(公告)号：CN102906636B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201180025860.5

申请日：2011-04-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤裕一

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  H01L29/786

CPC classification number: G09G3/3659 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/134345 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2310/0205 ,  G09G2320/028 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225

Abstract: 在一个像素被分割为多个子像素的液晶显示装置，不使显示品质下降地通过配线区域的缩小而实现窄边框化。两个子像素部中的一个子像素部包括：栅极与第一扫描信号线（GL）连接、源极与数据信号线（SL）连接的第二晶体管（TB）；与第二晶体管（TB）的漏极连接像素电极（EB）；由共用电极（41）和像素电极（EB）形成的液晶电容（ClcB）；栅极与第二扫描信号线（G2L）连接、源极与配线SEL连接的第三晶体管（TC）；与第三晶体管（TC）的漏极连接的电容电极（EC）；和由像素电极（EB）和电容电极（EC）形成的电容（C1）。在配线SEL，按每一帧交替地施加高电位与低电位。第二扫描信号线（G2L）在第一扫描信号线（GL）被选择后被选择。

公开(公告)号：CN101926007A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200980102945.1

申请日：2009-01-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  齐藤裕一 ,  河野昭彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种实现兼顾高导通电流和低截止电流的半导体元件及其制造方法。本发明的半导体元件具备：玻璃基板1；半导体层4，其为岛状，具有第1区域4c、第2区域4a和第3区域4c；源极区域5a和漏极区域5b；源极电极6a；漏极电极6b；以及栅极电极2，其控制第1区域4c的导电性。第1区域4c的上表面位于比第2区域4a和第3区域4b中的第1区域4c侧的端部的上表面靠近玻璃基板1侧的位置，从第2区域4a和第3区域4b的端部的上表面到第1区域4c的上表面的、在半导体层4的厚度方向上的距离相互独立地为第1区域4b的厚度的1倍以上7倍以下。

公开(公告)号：CN101926007B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200980102945.1

申请日：2009-01-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  齐藤裕一 ,  河野昭彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种实现兼顾高导通电流和低截止电流的半导体元件及其制造方法。本发明的半导体元件具备：玻璃基板1；半导体层4，其为岛状，具有第1区域4c、第2区域4a和第3区域4c；源极区域5a和漏极区域5b；源极电极6a；漏极电极6b；以及栅极电极2，其控制第1区域4c的导电性。第1区域4c的上表面位于比第2区域4a和第3区域4b中的第1区域4c侧的端部的上表面靠近玻璃基板1侧的位置，从第2区域4a和第3区域4b的端部的上表面到第1区域4c的上表面的、在半导体层4的厚度方向上的距离相互独立地为第1区域4b的厚度的1倍以上7倍以下。

公开(公告)号：CN102906636A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025860.5

申请日：2011-04-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤裕一

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  H01L29/786

CPC classification number: G09G3/3659 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/134345 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2310/0205 ,  G09G2320/028 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225

Abstract: 在一个像素被分割为多个子像素的液晶显示装置，不使显示品质下降地通过配线区域的缩小而实现窄边框化。两个子像素部中的一个子像素部包括：栅极与第一扫描信号线（GL）连接、源极与数据信号线（SL）连接的第二晶体管（TB）；与第二晶体管（TB）的漏极连接像素电极（EB）；由共用电极（41）和像素电极（EB）形成的液晶电容（ClcB）；栅极与第二扫描信号线（G2L）连接、源极与配线SEL连接的第三晶体管（TC）；与第三晶体管（TC）的漏极连接的电容电极（EC）；和由像素电极（EB）和电容电极（EC）形成的电容（C1）。在配线SEL，按每一帧交替地施加高电位与低电位。第二扫描信号线（G2L）在第一扫描信号线（GL）被选择后被选择。

公开(公告)号：CN110223985B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201910156705.5

申请日：2019-03-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤裕一 ,  古川博章 ,  青木智久 ,  蜂谷笃史

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 提供一种有源矩阵基板，其具备具有能降低沟道长度的氧化物半导体TFT的多路分配电路。有源矩阵基板具备包含多个TFT的多路分配电路，各TFT具有：栅极电极；氧化物半导体层，其包含源极接触区域、漏极接触区域以及包含沟道区域的源极漏极间区域；沟道保护层，其仅覆盖源极漏极间区域的一部分；以及源极电极和漏极电极，该源极电极与源极接触区域接触，该漏极电极与漏极接触区域接触，在各TFT的沟道长度方向的一截面中，源极电极和漏极电极中的任意一方电极的沟道区域侧的端部与沟道保护层接触，另一方电极的沟道区域侧的端部与沟道保护层空开间隔配置。

公开(公告)号：CN110121765B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201780080973.2

申请日：2017-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中岛伸二 ,  锦博彦 ,  见村浩英 ,  齐藤裕一 ,  武田悠二郎 ,  村重正悟 ,  石田和泉 ,  冈部达

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。

公开(公告)号：CN110121765A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201780080973.2

申请日：2017-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中岛伸二 ,  锦博彦 ,  见村浩英 ,  齐藤裕一 ,  武田悠二郎 ,  村重正悟 ,  石田和泉 ,  冈部达

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。

公开(公告)号：CN102754021B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201080063421.9

申请日：2010-12-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤裕一

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3607 ,  G06F3/038 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3655 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0447 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/028

Abstract: 一种有源矩阵基板，具备：数据信号线、扫描信号线(GLi)、与数据信号线和扫描信号线(GLi)连接的晶体管以及保持电容配线(CSLi)，在1个像素区域内形成有多个像素电极，输出用于驱动保持电容配线(CSLi)的保持电容配线信号(CS信号)的CS驱动器(46)单片地形成，在1个像素区域内，在像素电极和与该像素电极对应的保持电容配线之间形成有保持电容。由此，在像素分割方式的液晶显示装置中谋求液晶面板的窄边框化。

公开(公告)号：CN102986012B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201180034015.4

申请日：2011-07-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中谷喜纪 ,  齐藤裕一 ,  冈本哲也 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133397 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288

Abstract: 各TFT（5a）包括：栅极电极（11aa）；以覆盖栅极电极（11aa）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11aa）重叠的方式设置有沟道区域（C）的半导体层（13b）；在半导体层（13b）上以使得沟道区域（C）露出并且隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（14aa）和漏极电极（14ba），各辅助电容（6a）包括：电容线（11ba）；以覆盖电容线（11ba）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与电容线（11ba）重叠的方式设置的半导体层（13b）；和在半导体层（13b）上设置、与各像素电极（16a）连接的漏极电极（14ba），包含氧化物半导体的半导体层（13b）与包含氧化物导电体的各像素电极（16a）相互接触。

公开(公告)号：CN102754021A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201080063421.9

申请日：2010-12-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤裕一

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3607 ,  G06F3/038 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3655 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0447 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/028

Abstract: 一种有源矩阵基板，具备：数据信号线、扫描信号线(GLi)、与数据信号线和扫描信号线(GLi)连接的晶体管以及保持电容配线(CSLi)，在1个像素区域内形成有多个像素电极，输出用于驱动保持电容配线(CSLi)的保持电容配线信号(CS信号)的CS驱动器(46)单片地形成，在1个像素区域内，在像素电极和与该像素电极对应的保持电容配线之间形成有保持电容。由此，在像素分割方式的液晶显示装置中谋求液晶面板的窄边框化。