公开(公告)号：CN100385668C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN03106095.1

申请日：2003-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籘 ,  李廷凯 ,  张风燕 ,  庄维佛

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/56 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/28291 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种多晶存储结构，其包含：被覆盖提供在基质上的多晶存储层，该多晶存储层具有在临近的微晶之间形成间隙的结晶晶粒间界；和至少部分地位于间隙中的第一绝缘材料。

公开(公告)号：CN1298887C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200410030292.X

申请日：2004-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 李廷凯 ,  庄维佛 ,  L·J·查内斯基 ,  D·R·埃文斯 ,  许胜籐

IPC: C23C16/40 ,  H01C17/14

CPC classification number: G11C13/0007 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616

Abstract: 提供一种单一溶液MOCVD先驱物，以便淀积PCMO。提供采用决定先驱物溶液内各金属分成的淀积速度，根据在衬底温度和蒸发器温度的温度范围内各自的淀积速度和淀积的PCMO的组成决定金属的摩尔比，控制PCMO的组成的MOCVD工艺。PCMO的组成通过调节衬底温度，蒸发器温度或其两者而进一步控制。

公开(公告)号：CN1497735A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03110616.1

申请日：2003-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  张风燕 ,  李廷凯

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/105 ,  H01L21/335 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明提供一种非易失性铁电存储器件，这种存储器件消除了与漏电流相关的晶体管存储保持性能变劣的问题。本发明的铁电存储晶体管包括：具有源区、栅区和漏区的衬底；位于栅区的栅极叠层，该栅极叠层包括：包含第一高k杯和第二高k杯在内的高k绝缘体元件、封闭在所述高k绝缘体元件内的铁电元件，以及位于所述高k绝缘体元件上部的上电极；位于所述衬底和栅极叠层上方的钝化氧化物层；以及喷涂金属，用于为源区、漏区、和栅极叠层形成相应的触点。

公开(公告)号：CN1444282A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03106095.1

申请日：2003-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籘 ,  李廷凯 ,  张风燕 ,  庄维佛

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/56 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/28291 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种多晶存储结构，其包含：被覆盖提供在基质上的多晶存储层，该多晶存储层具有在临近的微晶之间形成间隙的结晶晶粒间界；和至少部分地位于间隙中的第一绝缘材料。

公开(公告)号：CN1245764C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN03110616.1

申请日：2003-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  张风燕 ,  李廷凯

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/105 ,  H01L21/335 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明提供一种非易失性铁电存储器件，这种存储器件消除了与漏电流相关的晶体管存储保持性能变劣的问题。本发明的铁电存储晶体管包括：具有源区、栅区和漏区的衬底；位于栅区的栅极叠层，该栅极叠层包括：包含第一高k杯和第二高k杯在内的高k绝缘体元件、封闭在所述高k绝缘体元件内的铁电元件，以及位于所述高k绝缘体元件上部的上电极；位于所述衬底和栅极叠层上方的钝化氧化物层；以及喷涂金属，用于为源区、漏区、和栅极叠层形成相应的触点。

公开(公告)号：CN1581372A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410049027.6

申请日：2004-06-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 庄维佛 ,  李廷凯 ,  D·R·埃文斯 ,  许胜籐 ,  潘威

IPC: H01C17/00 ,  H01C17/14 ,  H01C17/065 ,  H01C7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 一种当与高度结晶的晶种层结合时，在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法，其包括：通过MOCVD以高度结晶的形式沉积厚度为约50A～300A的PCMO薄膜的晶种层；通过旋涂法将厚度为约500A～3000A的第二PCMO薄膜层沉积在该晶种层上以形成复合PCMO层；通过施加脉冲宽度为约75ns～1μs的、约－4V～－5V的负电脉冲提高半导体设备中复合PCMO膜的电阻；通过施加脉冲宽度大于2.0μs的、约+2.5V～+4V的正电脉冲降低半导体设备中复合PCMO层的电阻。

公开(公告)号：CN1574288A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045714.0

申请日：2004-05-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜藤 ,  李廷凯 ,  D·R·埃范斯 ,  庄维佛 ,  潘威

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10 ,  G11C11/15

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1625

Abstract: 提供不对称晶体结构存储单元及其制造方法。该方法包括：形成底部电极；在底部电极上形成具有多晶结构的电脉冲变化电阻(EPVR)第一层；邻近第一层形成具有纳米晶或非晶结构的EPVR第二层；以及覆在第一和第二EPVR层上形成顶部电极。EPVR材料包括CMR、高温超导体(HTSC)，或钙钛矿金属氧化物材料。在一种情况下，在550和700℃之间的温度范围内用金属有机旋涂(MOD)工艺淀积EPVR第一层。在小于或等于第一层的淀积温度的温度下形成EPVR第二层。在去除溶剂步骤之后，在小于或等于550℃的温度下形成MOD淀积的EPVR第二层。

公开(公告)号：CN1532303A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410030292.X

申请日：2004-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 李廷凯 ,  庄维佛 ,  L·J·查内斯基 ,  D·R·埃文斯 ,  许胜籐

IPC: C23C16/40 ,  H01C17/14

CPC classification number: G11C13/0007 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616

Abstract: 提供一种单一溶液MOCVD先驱物，以便淀积PCMO。提供采用决定先驱物溶液内各金属分成的淀积速度，根据在衬底温度和蒸发器温度的温度范围内各自的淀积速度和淀积的PCMO的组成决定金属的摩尔比，控制PCMO的组成的MOCVD工艺。PCMO的组成通过调节衬底温度，蒸发器温度或其两者而进一步控制。

公开(公告)号：CN1574295A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045716.X

申请日：2004-05-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  李廷凯 ,  D·R·埃文斯

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/82 ,  H01L27/115 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0007 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/52 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147

Abstract: 本发明提供一种不对称存储单元和用于形成不对称存储单元的方法。方法包括：形成具有第一面积的底部电极；在底部电极上形成电脉冲变化电阻(EPVR)材料；在EPVR层上形成具有比第一面积小的第二面积的顶部电极。在一些方面，第二面积比第一面积小至少20％。EPVR材料是诸如超大磁致电阻(CMR)材料、高温超导(HTSC)材料或钙钛矿金属氧化物材料的材料。本方法进一步包括：在电极之间感应电场；感应电流使其流过邻近顶部电极的EPVR；以及响应流过邻近顶部电极的EPVR的感应电流，调整EPVR的电阻。典型地，在100欧姆－10兆欧范围内调整电阻。