公开(公告)号：CN108028291A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053329.1

申请日：2016-08-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森健史 ,  松本雄太 ,  钱谷嘉高

IPC: H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此，可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。

公开(公告)号：CN108028291B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201680053329.1

申请日：2016-08-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森健史 ,  松本雄太 ,  钱谷嘉高

IPC: H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此，可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。

公开(公告)号：CN110364587A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910231029.3

申请日：2019-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 肥后辉明 ,  森健史 ,  东川诚

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明的光电转换元件具备半导体基板、n型非晶质半导体层、p型非晶质半导体层、及电极。半导体基板由n型单晶硅构成。p型非晶质半导体层配置于半导体基板的一侧的面。n型非晶质半导体层在半导体基板的一侧的面上配置于与p型非晶质半导体层的配置区域不同的区域。电极配置于n型非晶质半导体层上。电极配置于p型非晶质半导体层上。在半导体基板的面内方向上位于相邻的n型非晶质半导体层之间的p型非晶质半导体层沿从n型非晶质半导体层朝向相邻的n型非晶质半导体层的第一方向具有：配置有电极的第一以及第二电极配置区域、及在其间未配置有电极的非电极配置区域。

公开(公告)号：CN109564946B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201780050299.3

申请日：2017-08-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 肥后辉明 ,  冈本亲扶 ,  小林正道 ,  石井真人 ,  森健史 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。

公开(公告)号：CN109564946A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780050299.3

申请日：2017-08-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 肥后辉明 ,  冈本亲扶 ,  小林正道 ,  石井真人 ,  森健史 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。