公开(公告)号：CN107924958A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680050114.4

申请日：2016-08-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浅野直城 ,  小林正道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件包括：n型的半导体基板(1)；半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)；半导体基板的第一面侧的n型非晶态半导体膜；p型非晶态半导体膜(3)上的p电极(7)；以及n型非晶态半导体膜(4)上的n电极(8)。p电极(7)位于被配置在半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)上。

公开(公告)号：CN105684159A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480058657.1

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  邹柳民 ,  小林正道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/036 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变大，从而提高元件特性的光电转换装置。光电转换元件(10)具备硅基板(12)、第1非晶态半导体层(20n)、第2非晶态半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。一方的电极(22n)包括第1导电层(26n、26p)和第2导电层(28n、28p)。第1导电层(26n、26p)将第1金属作为主要成分。第2导电层(28n、28p)包含比第1金属更容易被氧化的第2金属，与第1导电层(26n、26p)相接地形成，并且与第1导电层(26n、26p)相比更配置于硅基板(12)的附近。

公开(公告)号：CN109564946B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201780050299.3

申请日：2017-08-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 肥后辉明 ,  冈本亲扶 ,  小林正道 ,  石井真人 ,  森健史 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。

公开(公告)号：CN109564946A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780050299.3

申请日：2017-08-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 肥后辉明 ,  冈本亲扶 ,  小林正道 ,  石井真人 ,  森健史 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。

公开(公告)号：CN105684159B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201480058657.1

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  邹柳民 ,  小林正道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L31/0747

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变大，从而提高元件特性的光电转换装置。光电转换元件(10)具备硅基板(12)、第1非晶态半导体层(20n)、第2非晶态半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。一方的电极(22n)包括第1导电层(26n、26p)和第2导电层(28n、28p)。第1导电层(26n、26p)将第1金属作为主要成分。第2导电层(28n、28p)包含比第1金属更容易被氧化的第2金属，与第1导电层(26n、26p)相接地形成，并且与第1导电层(26n、26p)相比更配置于硅基板(12)的附近。

公开(公告)号：CN107980180A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201580082362.2

申请日：2015-08-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 稗田健 ,  小林正道 ,  冈本亲扶 ,  松本雄太 ,  木本贤治

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/50

Abstract: 光电转换元件具备：半导体基板(1)；第一i型半导体膜(2)，其设置于半导体基板(1)的一侧的表面的一部分；第一半导体区域，其由设置在第一i型半导体膜(2)上的第一导电型半导体膜(3)构成；以及第一电极层(9)，其设置在第一半导体区域上，所述光电转换元件具有第一导电膜(11a)，其夹装在第一半导体区域与第一电极层(9)之间的局部。

公开(公告)号：CN107980180B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201580082362.2

申请日：2015-08-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 稗田健 ,  小林正道 ,  冈本亲扶 ,  松本雄太 ,  木本贤治

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224

Abstract: 光电转换元件具备：半导体基板(1)；第一i型半导体膜(2)，其设置于半导体基板(1)的一侧的表面的一部分；第一半导体区域，其由设置在第一i型半导体膜(2)上的第一导电型半导体膜(3)构成；以及第一电极层(9)，其设置在第一半导体区域上，所述光电转换元件具有第一导电膜(11a)，其夹装在第一半导体区域与第一电极层(9)之间的局部。

公开(公告)号：CN107924958B

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201680050114.4

申请日：2016-08-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浅野直城 ,  小林正道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件包括：n型的半导体基板(1)；半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)；半导体基板的第一面侧的n型非晶态半导体膜；p型非晶态半导体膜(3)上的p电极(7)；以及n型非晶态半导体膜(4)上的n电极(8)。p电极(7)位于被配置在半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)上。

公开(公告)号：CN107924957A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680049532.1

申请日：2016-09-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宋怡潇 ,  钱谷嘉高 ,  小林正道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种太阳能电池,具有:第一导电型或是第二导电型的半导体基板(1)、半导体基板(1)上的非晶硅膜(6、7)、及非晶硅膜(6、7)上的电极(8、9)。非晶硅膜(6、7)的电极(8、9)侧的区域与电极(8、9)含有银及银以外的金属。