公开(公告)号：CN109564946B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201780050299.3

申请日：2017-08-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 肥后辉明 ,  冈本亲扶 ,  小林正道 ,  石井真人 ,  森健史 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。

公开(公告)号：CN109564946A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780050299.3

申请日：2017-08-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 肥后辉明 ,  冈本亲扶 ,  小林正道 ,  石井真人 ,  森健史 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。