液晶显示装置、及具备该装置的显示装置

    公开(公告)号:CN100380199C

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN200480010776.6

    申请日:2004-04-21

    CPC classification number: G02F1/133504 G02F1/139

    Abstract: 本发明提供液晶显示装置,特征在于具备:液晶显示面板;向上述液晶显示面板射出光的背光源单元;和在与上述液晶显示面板的背光源单元侧相对一侧配置的散射各向异性光学单元。另外,散射各向异性光学单元形成为使相对于上述液晶显示面板的显示画面垂直入射的光的散射强度最大。由此,散射各向异性光学单元使相对于液晶显示面板的显示画面垂直入射的光散射,观测者可以以广视角观测到显示画面。另外,由于不使相对于显示画面垂直以外的斜方向上入射的光散射而保持原样地透过,所以能够抑制从斜方向的观测的泛白现象。由此,即使上述背光源单元不射出完全平行光,也能够抑制泛白现象。

    显示装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101218622B

    公开(公告)日:2011-01-05

    申请号:CN200680024614.7

    申请日:2006-05-19

    Abstract: 以在进行画面分割有源驱动时,不依赖于光源的最小模块单位,能够以更细小的单位进行发光区域的画面分割,并且能够将平面光源的制造工艺和驱动系统的成本升高抑制至最小限度为目的,本发明的显示装置包括:排列有单位显示像素(L(m,n))的显示面板(1);配设在该显示面板背面的平面光源;和将该平面光源的发光区域分割为分割发光区域(M(p,q)),根据输入的图像信号的亮度信息,针对每个分割发光区域(M(p,q))对平面光源的亮度进行控制的控制部,其特征在于:平面光源包括能够通过矩阵驱动对分割发光区域(M(p,q))的发光进行控制的单位发光像素(N(j,k)),并且,各单位发光像素(N(j,k))包括发射电子的电子发射元件和利用从该电子发射元件发出的电子进行激发发光的荧光体,单位发光像素(N(j,k))具有与单位显示像素(L(m,n))的多个像素相当的占有面积。

    逆变器控制装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105247779B

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201480030269.2

    申请日:2014-02-25

    CPC classification number: G05F1/67 H02P23/00 H02P29/10 H02P2205/03

    Abstract: 本发明的逆变器控制装置(6)包括:稳定控制模式,以在N档的转速(R1~RN)中的被选择的转速(Rn)旋转驱动电机(5);加速控制模式,使电机(5)的转速向比被选择的转速(Rn)高一档的目标转速(R(n+1))增大;减速控制模式,在加速控制模式时使电机(5)的转速向比目标转速(R(n+1))低二档的转速(R(n‑1))减小,加速控制模式时当太阳能电池(1)的输出电压(V)的变化量(ΔV)超过阈值电压(VTH)时,从加速控制模式向减速控制模式转换。由此降低电机(5)的耗电,所以能够避免因为供给电力不足而导致电机(5)停止。

    显示装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101218622A

    公开(公告)日:2008-07-09

    申请号:CN200680024614.7

    申请日:2006-05-19

    Abstract: 以在进行画面分割有源驱动时,不依赖于光源的最小模块单位,能够以更细小的单位进行发光区域的画面分割,并且能够将平面光源的制造工艺和驱动系统的成本升高抑制至最小限度为目的,本发明的显示装置包括:排列有单位显示像素(L(m,n))的显示面板(1);配设在该显示面板背面的平面光源;和将该平面光源的发光区域分割为分割发光区域(M(p,q)),根据输入的图像信号的亮度信息,针对每个分割发光区域(M(p,q))对平面光源的亮度进行控制的控制部,其特征在于:平面光源包括能够通过矩阵驱动对分割发光区域(M(p,q))的发光进行控制的单位发光像素(N(j,k)),并且,各单位发光像素(N(j,k))包括发射电子的电子发射元件和利用从该电子发射元件发出的电子进行激发发光的荧光体,单位发光像素(N(j,k))具有与单位显示像素(L(m,n))的多个像素相当的占有面积。

    制造半导体器件的方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1193211A

    公开(公告)日:1998-09-16

    申请号:CN98105474.9

    申请日:1998-03-11

    CPC classification number: H01L33/0062 H01S5/0421 H01S5/2231 H01S2304/04

    Abstract: 一种半导体激光器件的制造方法,该激光器件至少具有相继在半导体衬底上形成的光发射部分、顶层和电极,光发射部分包括大致位于该器件厚度中间的光发射层。所述方法包括使用气相外延法生长光发射部分和顶层的步骤,其中顶层的生长速率大于光发射部分的生长速率。

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