公开(公告)号：CN107408615A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580077862.7

申请日：2015-11-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 金子和昭 ,  松田诚 ,  大沼宏彰

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供通过来自单一电源的电力供给而能够调整色温的发光装置。该发光装置，具备阳极用电极连接盘、阴极用电极连接盘、以及以与上述阳极用电极连接盘及上述阴极用电极连接盘连接的方式并联设置的三根以上的布线，上述三根以上的布线中的至少三根布线，分别具有不同的正向电流-正向电压特性，且分别与不同的发光部连接，能够调整上述发光部整体发出的光的色温。

公开(公告)号：CN107431112A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680020625.1

申请日：2016-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 金子和昭 ,  大沼宏彰 ,  后藤清人 ,  松田诚

IPC: H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种发光装置，其至少搭载有一个以上一种发光元件，并且具备被上述发光元件的输出光激发的荧光体，其中，在搭载荧光体之前的上述发光装置中，在使搭载的全部的发光元件发光的情况下，在440nm以上且小于460nm的第一波长区域具有输出光的峰值波长，并且在460nm以上490nm以下的第二波长区域具有输出光的峰值波长。

公开(公告)号：CN110233138B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201910165495.6

申请日：2019-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤茂稔 ,  金子和昭 ,  大松照幸

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/02255 ,  H01S5/023 ,  H01S5/0222 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/024

Abstract: 本发明提供一种在将罐形的半导体发光元件安装于散热板来使用时，能够进一步提高散热性的半导体发光装置。半导体发光装置(10)形成为将半导体发光元件(100)搭载于散热板(130)上。在半导体发光元件(100)的基座(101)的基座底面(107)的一部分区域与散热板(130)的上表面之间设置有间隔(140)，引线(105)配置为在设置有间隔(140)的区域上下贯通基座(101)。半导体激光芯片(122)以其波导长边方向与基座(101)的上表面大致平行的方式配置在未设置有间隔(140)的区域。引线(105)的下端位于间隔(140)内并与柔性基板(150)连接。

公开(公告)号：CN110233138A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910165495.6

申请日：2019-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤茂稔 ,  金子和昭 ,  大松照幸

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024

Abstract: 本发明提供一种在将罐形的半导体发光元件安装于散热板来使用时，能够进一步提高散热性的半导体发光装置。半导体发光装置(10)形成为将半导体发光元件(100)搭载于散热板(130)上。在半导体发光元件(100)的基座(101)的基座底面(107)的一部分区域与散热板(130)的上表面之间设置有间隔(140)，引线(105)配置为在设置有间隔(140)的区域上下贯通基座(101)。半导体激光芯片(122)以其波导长边方向与基座(101)的上表面大致平行的方式配置在未设置有间隔(140)的区域。引线(105)的下端位于间隔(140)内并与柔性基板(150)连接。

公开(公告)号：CN107431112B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201680020625.1

申请日：2016-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 金子和昭 ,  大沼宏彰 ,  后藤清人 ,  松田诚

IPC: H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种发光装置，其至少搭载有一个以上一种发光元件，并且具备被上述发光元件的输出光激发的荧光体，其中，在搭载荧光体之前的上述发光装置中，在使搭载的全部的发光元件发光的情况下，在440nm以上且小于460nm的第一波长区域具有输出光的峰值波长，并且在460nm以上490nm以下的第二波长区域具有输出光的峰值波长。

公开(公告)号：CN105723531B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201580002625.4

申请日：2015-01-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 金子延容 ,  名田智一 ,  英贺谷诚 ,  幡俊雄 ,  地主修 ,  曾田义树 ,  纳文·文卡塔·拉曼·戴维塞提 ,  金子和昭 ,  大沼宏彰

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/50

Abstract: 提供一种能够通过来自单一电源的电力供给来调整色温的发光装置。发光装置的特征在于，具备：阳极用电极连接盘、阴极用电极连接盘、对阳极用电极连接盘和阴极用电极连接盘进行连接的第1布线以及第2布线，第1布线的电气电阻大于第2布线的电气电阻，能够调整包含与第1布线电连接的第1发光部以及与第2布线电连接的第2发光部的发光部整体所发出的光的色温。

公开(公告)号：CN106104822B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201580012783.8

申请日：2015-04-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 金子和昭 ,  大沼宏彰 ,  松田诚

IPC: H01L33/50

Abstract: 发光装置具备：放射在380nm以上且480nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的光的至少一个发光元件；被从发光元件放射的一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光的第1绿色荧光体；被一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光的第2绿色荧光体；和被一次光激励，放射在红色区域具有峰值发光波长的光的红色荧光体。第2绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长比第1绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长短。

公开(公告)号：CN105723531A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201580002625.4

申请日：2015-01-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 金子延容 ,  名田智一 ,  英贺谷诚 ,  幡俊雄 ,  地主修 ,  曾田义树 ,  纳文·文卡塔·拉曼·戴维塞提 ,  金子和昭 ,  大沼宏彰

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/50

CPC classification number: H05B33/0857 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L33/504 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48137 ,  H05B33/0827 ,  H05B33/0884

Abstract: 提供一种能够通过来自单一电源的电力供给来调整色温的发光装置。发光装置的特征在于，具备：阳极用电极连接盘、阴极用电极连接盘、对阳极用电极连接盘和阴极用电极连接盘进行连接的第1布线以及第2布线，第1布线的电气电阻大于第2布线的电气电阻，能够调整包含与第1布线电连接的第1发光部以及与第2布线电连接的第2发光部的发光部整体所发出的光的色温。

公开(公告)号：CN109672081A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811169889.0

申请日：2018-10-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤茂稔 ,  大松照幸 ,  金子和昭

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024

Abstract: 提供一种在将罐型半导体发光元件安装在散热板上使用时，可进一步提高散热性的半导体发光元件及半导体发光装置。半导体发光元件(100)包括：由金属构成的基座(101)、载置在基座(101)的罩(110)、搭载在基座(101)的上表面的半导体激光芯片(122)、和对半导体激光芯片(122)提供电力的引线(104)。在基座(101)的底面的一部分区域中设置切口部(102)。引线(104)在设置了切口部(102)的区域中以上下贯通基座(101)的方式配置。半导体激光芯片(122)搭载在基座(101)的未设置有切口部(102)的区域上。引线(104)的上端及半导体激光芯片(122)收纳在由罩(110)和基座(101)包围而成的内部空间中。

公开(公告)号：CN109417268A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780039047.0

申请日：2017-01-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川口佳伸 ,  尾崎信二 ,  森田隆敏 ,  柳濑祥吾 ,  香川利雄 ,  大松照幸 ,  金子和昭 ,  伊藤茂稔

IPC: H01S5/022

Abstract: 光模块(第一模块(1))中，从发光点射出相互不同波长的光的多个半导体激光元件(第一半导体激光元件(21)至第三半导体激光元件(23))搭载在基座部件(10)上。基座部件(10)具有作为高度方向(Z)上的基准的基准面(11)，和搭载有半导体激光元件的搭载面(第一搭载面(12a)及第二搭载面(12b))。多个半导体激光元件中的至少一部分，从与搭载面相接的面开始到发光点为止的高度(第一发光高度(TL1)至第三发光高度(TL3))互不相同，从基准面开始到发光点为止的高度(基准高度(HL))大致相等。