公开(公告)号：CN102456791B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201110316512.5

申请日：2011-10-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 翁宇峰 ,  M.布罗克利

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 氮化物半导体发光元件在基板上的矩形氮化物半导体区域内包含有：一个以上的n型半导体层、活性层、一个以上的p型半导体层，n型半导体层具有通过蚀刻形成的局部露出区域，在p型半导体层上形成的电流扩散层上形成有与p侧电极焊盘成一体的p侧支电极，在n型半导体层的局部露出区域上形成有与n侧电极焊盘成一体的n侧支电极，p侧和n侧支电极沿矩形氮化物半导体区域相对的两边相互平行地延伸，在把p侧与n侧电极焊盘的中心间距离以L表示，把p侧与n侧支电极之间的距离以M表示，在把p侧和n侧电极焊盘形成在矩形氮化物半导体区域的对角位置的情况下这些电极焊盘的中心间距离以Lmax表示时，满足0.3＜M/L＜1.1和L＜Lmax的条件。

公开(公告)号：CN102456791A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110316512.5

申请日：2011-10-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 翁宇峰 ,  M.布罗克利

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 氮化物半导体发光元件在基板上的矩形氮化物半导体区域内包含有：一个以上的n型半导体层、活性层、一个以上的p型半导体层，n型半导体层具有通过蚀刻形成的局部露出区域，在p型半导体层上形成的电流扩散层上形成有与p侧电极焊盘成一体的p侧支电极，在n型半导体层的局部露出区域上形成有与n侧电极焊盘成一体的n侧支电极，p侧和n侧支电极沿矩形氮化物半导体区域相对的两边相互平行地延伸，在把p侧与n侧电极焊盘的中心间距离以L表示，把p侧与n侧支电极之间的距离以M表示，在把p侧和n侧电极焊盘形成在矩形氮化物半导体区域的对角位置的情况下这些电极焊盘的中心间距离以Lmax表示时，满足0.3＜M/L＜1.1和L＜Lmax的条件。