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公开(公告)号：CN107735543B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201680034416.2
申请日：2016-05-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种调光系统，例如调光窗户(1)，具备：窗户玻璃(11)、调光装置(40)、驱动装置(50)、以及框(20)，具有装入窗户玻璃(11)及驱动装置(50)的装入部(24)；在框(20)的一部分，设置收容驱动装置(50)的至少一部分的收容部(26)、与自由开闭地覆盖收容部(26)的开闭部(27)。
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公开(公告)号：CN107735543A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680034416.2
申请日：2016-05-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种调光系统，例如调光窗户(1)，具备：窗户玻璃(11)、调光装置(40)、驱动装置(50)、以及框(20)，具有装入窗户玻璃(11)及驱动装置(50)的装入部(24)；在框(20)的一部分，设置收容驱动装置(50)的至少一部分的收容部(26)、与自由开闭地覆盖收容部(26)的开闭部(27)。
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公开(公告)号：CN102738376A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210119992.0
申请日：2012-03-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。在基板的同一面侧形成有n侧及p侧电极焊盘的氮化物半导体发光元件中，形成从p侧电极焊盘(及n侧电极焊盘)以枝状延伸的延长部，由此得到改善发光元件中的电流分布的电极结构的氮化物半导体发光元件，其中，在n侧及p侧的薄层电阻两者都充分低的情况下，通过在一定条件下提高在p型氮化物半导体层上形成的由透光性导电膜构成的电流扩散层的薄层电阻，降低了p型氮化物半导体层和电流扩散层的接触电阻，而且薄层电阻在面内的分布变得更加均匀，从而光输出得以提高。
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公开(公告)号：CN102456791A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110316512.5
申请日：2011-10-18
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 氮化物半导体发光元件在基板上的矩形氮化物半导体区域内包含有：一个以上的n型半导体层、活性层、一个以上的p型半导体层，n型半导体层具有通过蚀刻形成的局部露出区域，在p型半导体层上形成的电流扩散层上形成有与p侧电极焊盘成一体的p侧支电极，在n型半导体层的局部露出区域上形成有与n侧电极焊盘成一体的n侧支电极，p侧和n侧支电极沿矩形氮化物半导体区域相对的两边相互平行地延伸，在把p侧与n侧电极焊盘的中心间距离以L表示，把p侧与n侧支电极之间的距离以M表示，在把p侧和n侧电极焊盘形成在矩形氮化物半导体区域的对角位置的情况下这些电极焊盘的中心间距离以Lmax表示时，满足0.3＜M/L＜1.1和L＜Lmax的条件。
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公开(公告)号：CN108431686A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680075886.3
申请日：2016-08-24
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 实现一种使用于调光装置时,可以稳定地切换光的透射及反射的光反射材料。光反射材料(10)包括基底(1)、层叠于基底的表面的导电膜(2)、层叠于导电膜的表面的绝缘膜(3),导电膜的层中,存在未形成导电膜的第一区域(2a),在绝缘膜的层中,存在未形成绝缘膜的第二区域(3a),第一区域与第二区域至少在一部分中重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102956770B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210303036.8
申请日：2012-08-23
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 翁宇峰
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/54
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置以及氮化物半导体发光元件的制造方法。该氮化物半导体发光装置包括氮化物半导体发光元件、封装基板和透光的树脂密封部分。该氮化物半导体发光元件包括基板、具有发光层的氮化物半导体多层部分以及保护层。氮化物半导体多层部分设置在基板上。保护层设置在氮化物半导体多层部分的上部上。树脂密封部分密封安装在封装基板上的氮化物半导体发光元件。气隙层形成在氮化物半导体发光元件中的基板和发光层之间的区域、氮化物半导体发光元件中的发光层和保护层之间的区域以及封装基板中的区域至少之一中。
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公开(公告)号：CN102738376B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210119992.0
申请日：2012-03-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。在基板的同一面侧形成有n侧及p侧电极焊盘的氮化物半导体发光元件中，形成从p侧电极焊盘(及n侧电极焊盘)以枝状延伸的延长部，由此得到改善发光元件中的电流分布的电极结构的氮化物半导体发光元件，其中，在n侧及p侧的薄层电阻两者都充分低的情况下，通过在一定条件下提高在p型氮化物半导体层上形成的由透光性导电膜构成的电流扩散层的薄层电阻，降低了p型氮化物半导体层和电流扩散层的接触电阻，而且薄层电阻在面内的分布变得更加均匀，从而光输出得以提高。
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公开(公告)号：CN102456791B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201110316512.5
申请日：2011-10-18
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 氮化物半导体发光元件在基板上的矩形氮化物半导体区域内包含有：一个以上的n型半导体层、活性层、一个以上的p型半导体层，n型半导体层具有通过蚀刻形成的局部露出区域，在p型半导体层上形成的电流扩散层上形成有与p侧电极焊盘成一体的p侧支电极，在n型半导体层的局部露出区域上形成有与n侧电极焊盘成一体的n侧支电极，p侧和n侧支电极沿矩形氮化物半导体区域相对的两边相互平行地延伸，在把p侧与n侧电极焊盘的中心间距离以L表示，把p侧与n侧支电极之间的距离以M表示，在把p侧和n侧电极焊盘形成在矩形氮化物半导体区域的对角位置的情况下这些电极焊盘的中心间距离以Lmax表示时，满足0.3＜M/L＜1.1和L＜Lmax的条件。
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公开(公告)号：CN104620398B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201480002009.4
申请日：2014-06-10
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/325 , H01L33/42 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体发光元件(10)具备：基板(11)；半导体层叠部(22)，设置在基板(11)上，至少具有第一导电型半导体层(14)、发光层(16)和第二导电型半导体层(18)。基板(11)相对于来自发光层(16)的光而具有透光性，并具有六面体形状，包括设置半导体层叠部(22)的第一面(11a)、位于与第一面(11a)相反的一侧的第二面(11b)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交的一对第三面(11c)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交且与一对第三面(11c)不同的一对第四面(11d)。第一面(11a)具有交替地形成凹部(31A)和凸部(31B)而成的凹凸构造(31)。第三面(11c)分别在与第二面(11b)相距第一距离的位置具有第一改质层(41)。第四面(11d)分别具有两层以上的改质层(42，43，44)。
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公开(公告)号：CN104620398A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201480002009.4
申请日：2014-06-10
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/325 , H01L33/42 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体发光元件(10)具备：基板(11)；半导体层叠部(22)，设置在基板(11)上，至少具有第一导电型半导体层(14)、发光层(16)和第二导电型半导体层(18)。基板(11)相对于来自发光层(16)的光而具有透光性，并具有六面体形状，包括设置半导体层叠部(22)的第一面(11a)、位于与第一面(11a)相反的一侧的第二面(11b)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交的一对第三面(11c)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交且与一对第三面(11c)不同的一对第四面(11d)。第一面(11a)具有交替地形成凹部(31A)和凸部(31B)而成的凹凸构造(31)。第三面(11c)分别在与第二面(11b)相距第一距离的位置具有第一改质层(41)。第四面(11d)分别具有两层以上的改质层(42，43，44)。
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