公开(公告)号：CN117127207A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311067089.9

申请日：2023-08-23

Applicant: 大连大学

Inventor： 钟和香 ,  王江豪 ,  许爽 ,  王艺桥 ,  潘立卫

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/052 ,  C25B3/03 ,  C25B3/26 ,  C25B11/056 ,  C25B11/061 ,  C25D5/18

Abstract: 本发明属于二氧化碳电化学还原技术领域，公开了一种原位生长二氧化碳电还原电催化剂制备方法及应用。制备方法包括：基底的处理；在电解质溶液中进行不对称循环电压脉冲制备得到Cu纳米电催化剂。本发明无需在电解质中再引入Cu源，只需要在简单的碱性电解质中，就能在铜基底表面原位生长Cu纳米颗粒，从而使制备得到的铜电催化剂具有更多的活性位点及更高的比表面积，且该方法可以实现催化剂颗粒的“可控生长”。通过周期性氧化还原(即在阳极电位氧化，在阴极电位还原)，使催化剂表面不断快速再生。该电催化剂不仅可以降低二氧化碳电还原的过电位，抑制析氢副反应，而且可以提高碳氢产物的选择性。

公开(公告)号：CN117026291A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311067085.0

申请日：2023-08-23

Applicant: 大连大学

Inventor： 钟和香 ,  王江豪 ,  潘立卫 ,  王艺桥 ,  许爽

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/052 ,  C25B3/03 ,  C25B3/26 ,  C25B11/061 ,  C25D5/18

Abstract: 本发明属于二氧化碳电化学还原技术领域，公开了一种二氧化碳电化学还原用Cu电极制备方法及应用。制备方法包括：基底的处理，前驱体铜盐溶液及表面活性剂混合均匀，循环伏安法电沉积氧化亚铜和铜电极。本发明通过循环伏安法电沉积法在基底上生长出具有微纳米结构的Cu电极；通过引入了铜络合物和表面活性剂，改变电极的形貌；循环伏安法沉积过程中，通过小的幅度的电压变化，避免了电极的过度氧化而失活，使得氧化亚铜和Cu能在表面可控生长；通过在二氧化碳电还学还原过程中的原位线型扫描还原过程，改变电极表面的Cu的结构和组成，进一步防止单质铜和一价铜在制备过程中被氧化，提高了催化剂表面的C‑C偶联，尤其提高了C2H4的选择性。