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公开(公告)号：CN102891230B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201210230065.6
申请日：2012-07-04
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B41J2/45 , H01L27/156 , H01L33/0016 , H01L33/10 , H01L33/40
Abstract: 发光器件、发光器件阵列、光学记录头、图像成形装置和制造发光器件的方法。提供了一种发光器件，包括：第一导电类型的半导体基板；第一导电类型的半导体多层反射镜，形成在半导体基板上；第一导电类型的第一半导体层，形成在半导体多层反射镜上；第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层上；第一导电类型的第三半导体层，形成在第二半导体层上；第二导电类型的第四半导体层，形成在第三半导体层上；第一电极，形成在半导体基板的背面；以及第二电极，形成在第四半导体层上，其中，所述半导体多层反射镜包括被选择性地氧化的第一氧化区和与所述第一氧化区相邻的第一导电区，并且所述第一导电区电连接所述半导体基板和所述第一半导体层。
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公开(公告)号：CN102969421A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210102366.0
申请日：2012-04-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/04054 , B41J2/45 , H01L33/0016 , H01L33/145
Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件阵列、光写头、及图像形成设备。所述发光元件包括半导体衬底和形成在该半导体衬底上的岛结构。所述岛结构包括发光单元晶闸管和电流限制结构。所述发光单元晶闸管包括具有pnpn结构的堆叠的多个半导体层。所述电流限制结构包括高阻区和导电区，并限制所述导电区中的载流子。
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公开(公告)号：CN102891230A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210230065.6
申请日：2012-07-04
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B41J2/45 , H01L27/156 , H01L33/0016 , H01L33/10 , H01L33/40
Abstract: 发光器件、发光器件阵列、光学记录头、图像成形装置和制造发光器件的方法。提供了一种发光器件，包括：第一导电类型的半导体基板；第一导电类型的半导体多层反射镜，形成在半导体基板上；第一导电类型的第一半导体层，形成在半导体多层反射镜上；第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层上；第一导电类型的第三半导体层，形成在第二半导体层上；第二导电类型的第四半导体层，形成在第三半导体层上；第一电极，形成在半导体基板的背面；以及第二电极，形成在第四半导体层上，其中，所述半导体多层反射镜包括被选择性地氧化的第一氧化区和与所述第一氧化区相邻的第一导电区，并且所述第一导电区电连接所述半导体基板和所述第一半导体层。
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公开(公告)号：CN102468319A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110127384.X
申请日：2011-05-17
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L33/62 , G03G15/043
CPC classification number: G03G15/04036 , G03G15/04054 , G03G15/326 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/0016
Abstract: 本发明提供了发光芯片、发光装置、打印头及图像形成设备。其中发光芯片包括：衬底；多个发光元件，其在衬底上排列成一行，每个发光元件均包括发光区域，该发光区域在该排列的排列方向上的长度与在垂直于该排列方向的方向上的长度不同；以及点亮电流供给互连，其包括多个连接部分，每个连接部分均沿对应的一个发光元件的发光区域的排列方向或垂直于排列方向中较短的方向设置在该发光区域上，每个连接部分均连接至发光区域上设置的电极，点亮信号供给互连通过多个连接部分给多个发光元件提供用于进行点亮的电流。
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公开(公告)号：CN101814479A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010134380.X
申请日：2005-04-28
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L27/15
CPC classification number: H01L24/05 , H01L33/38 , H01L2224/05009 , H01L2224/05624 , H01L2224/45124 , H01L2224/48724 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/10329 , H01L2924/1301 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 提供可靠性高的电极接触结构。在由在GaAs衬底上形成的金电极、在该金电极的绝缘膜上开设的接触孔、以及通过该接触孔与金电极进行欧姆接触的铝布线构成的电极接触结构中，金电极上的铝布线的厚度最大的部分与厚度最小的部分的差，与绝缘膜的厚度大致相等或比绝缘膜的厚度小。且，金电极的膜厚为0.1μm～0.2μm。或者，将金电极的周边部分与上述绝缘膜的重合宽度控制在1μm以下。或者接触孔的大小至少在16μm2以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1691286B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200510068479.3
申请日：2005-04-28
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/44 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L31/0224 , H01L33/00
CPC classification number: H01L24/05 , H01L33/38 , H01L2224/05009 , H01L2224/05624 , H01L2224/45124 , H01L2224/48724 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/10329 , H01L2924/1301 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 提供可靠性高的电极接触结构。在由在GaAs衬底上形成的金电极、在该金电极的绝缘膜上开设的接触孔、以及通过该接触孔与金电极进行欧姆接触的铝布线构成的电极接触结构中，金电极上的铝布线的厚度最大的部分与厚度最小的部分的差，与绝缘膜的厚度大致相等或比绝缘膜的厚度小。且，金电极的膜厚为0.1μm～0.2μm。或者，将金电极的周边部分与上述绝缘膜的重合宽度控制在1μm以下。或者接触孔的大小至少在16μm2以上。
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公开(公告)号：CN106442217A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610520509.8
申请日：2016-07-04
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: A61B3/0025 , A61B3/0008 , A61B3/117 , A61B5/14507 , A61B5/14532 , A61B5/14558 , A61B5/6821 , A61M5/1723 , G01N21/21 , G01N2201/06113 , G01N2201/062 , G01N2201/0683 , G01N9/24 , G01N9/36
Abstract: 本发明的目的是与不考虑由角膜产生的影响的情况相比，高精度地测定眼房水中含有的光学活性物质的浓度。光学活性物质的浓度计算系统具备浓度计算部，其针对不同波长的光的每一种而获取由从入射侧角膜、前眼房的眼房水及出射侧角膜通过所引起的偏光状态的变化量，通过基于包含表示入射侧角膜及出射侧角膜的偏光特性的矩阵和表示眼房水的偏光特性的矩阵在内的、表示偏光状态的变化量的波长依存性的逻辑表达式的最小二乘法，对眼房水中含有的特定的光学活性物质的浓度进行计算，表示眼房水的偏光特性的矩阵，由表示特定的光学活性物质的旋光度的波长依存性的数学式的函数表示，该数学式包含特定的光学活性物质的浓度值作为未知数或者假设的已知数。
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公开(公告)号：CN105814435A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201580003067.3
申请日：2015-03-19
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: G01N21/21
CPC classification number: G01N21/21 , G01N21/31 , G01N33/492 , G01N2021/3129
Abstract: 数据处理单元(30)获得与多个波长λ1，λ2，λ3，…对应的旋光度αM1，αM2，αM3，…，并用非线性最小二乘法根据获得的成对的旋光度和波长(λ1：αM1，λ2：αM2：λ3：αM3，…)以及公式计算第一光学活性物质的浓度C，该公式用第一非线性函数和第二非线性函数的总和表示，第一非线性函数表示第一光学活性物质的旋光色散，第二非线性函数包括用于限定第二光学活性物质的旋光色散特性的固有值作为未知值。
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公开(公告)号：CN102969421B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201210102366.0
申请日：2012-04-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/04054 , B41J2/45 , H01L33/0016 , H01L33/145
Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件阵列、光写头、及图像形成设备。所述发光元件包括半导体衬底和形成在该半导体衬底上的岛结构。所述岛结构包括发光单元晶闸管和电流限制结构。所述发光单元晶闸管包括具有pnpn结构的堆叠的多个半导体层。所述电流限制结构包括高阻区和导电区，并限制所述导电区中的载流子。
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公开(公告)号：CN106466185A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610647789.9
申请日：2016-08-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: A61B5/1455
CPC classification number: A61B3/117 , A61B3/0041 , A61B3/0083 , A61B3/0091 , A61B3/10 , A61B5/14532 , A61B5/1459 , A61B5/6821 , A61B17/0231 , A61B5/1455
Abstract: 本发明公开了一种光学测量装置及光照射接收方法，所述光学测量装置包括：发射单元，以横穿被检测者的眼球的前房的方式发射光；光接收单元，接收横穿过所述前房的光；以及定位单元，在所述眼球内收的状态下从所述发射单元发射的光横穿所述前房而由所述光接收单元接收的位置上，对该发射单元及该光接收单元定位。
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