公开(公告)号：CN108292637A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068468.1

申请日：2016-10-13

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A.乔德胡里 ,  J.比蒂 ,  P.乔德哈里

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29021 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29149 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29163 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29172 ,  H01L2224/29176 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/16153 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1659 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/00012

Abstract: 描述了帮助冷却半导体封装（诸如多芯片封装（MCP））的方法、系统和装置。一种半导体封装包括衬底上的部件。该部件可以包括一个或多个半导体管芯。该封装还可以包括多基准集成式散热器（IHS）解决方案（也被称为智能IHS解决方案），在这里该智能IHS解决方案包括智能IHS盖。该智能IHS盖包括在智能盖的中心区域中形成的腔。该智能IHS盖可以在部件上，以使得该腔对应于该部件。第一热界面材料层（TIM层1）可以在部件上。单独IHS盖（IHS块）可以在TIM层1上。该IHS块可以被插入腔中。此外，中间热界面材料层（TIM-1A层）可以在IHS块和腔之间。

公开(公告)号：CN103747616B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201410043635.X

申请日：2009-06-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 野村雅人

IPC: H05K1/18 ,  H05K3/46 ,  H01L23/498

CPC classification number: H05K1/183 ,  H01L24/24 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H05K3/284 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4614 ,  H05K3/4644 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4697 ,  H05K2203/063 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能不使用胶带和粘接剂、而简单制造的元器件内置模块的制造方法及元器件内置模块。将具有开口部(2)的芯板(1)层叠在未固化状态的第一树脂层(10)上，并使第一电路元器件(3)附着于开口部内的第一树脂层露出的部分。接下来，将未固化状态的第二树脂层(20)层叠在芯板(1)上，在开口部(2)的内壁与第一电路元器件(3)之间的间隙中填充第二树脂层，之后，使第一树脂层(10)及第二树脂层(20)固化。

公开(公告)号：CN104201162B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201410379898.8

申请日：2009-12-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 河村拓史 ,  冈田安弘

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/66 ,  H01L23/49 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01P3/12 ,  H01Q9/04 ,  H01Q23/00

CPC classification number: H01Q21/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H01P3/121 ,  H01P3/122 ,  H01Q9/0407 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供了一种毫米波电介质内传输装置，能够容易地在不使用具有大量端子的连接器和具有较大安装面积的布线线缆的情况下进行构造。该毫米波电介质内传输装置包括：设置在夹置衬底(4)的两个相对表面之一上并能够进行毫米波电介质内传输的半导体芯片(30)；连接至半导体芯片(30)的天线结构(32)；包括覆盖半导体芯片(30)及天线结构(32)的模制树脂(8)的两个半导体封装(20a)(20b)；以及设置在两个半导体封装(20a)(20b)之间并能够传输毫米波信号的电介质波导(21)。半导体封装(20a)(20b)被安装为使得其天线结构(32)将电介质波导(21)保持在两者之间。

公开(公告)号：CN105296788B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201510783547.8

申请日：2015-11-13

Applicant: 汕头市骏码凯撒有限公司

Inventor： 周振基 ,  周博轩 ,  任智

IPC: C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  H01L23/49 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

Abstract: 一种用于BBOS、BSOB打线方式银合金键合丝及其制造方法，含2‑3.5％的Pd；元素Ca在5‑10ppm范围内；元素Fe在3‑8ppm范围内；Cu含量小于15ppm，余量为Ag。晶体的[100]方向与银合金键合丝轴心方向上的夹角小于20度的晶体占总晶体数目的80％以上。线材整体退火挛晶密度小于20％。该银合金键合丝的制造中包括在0.0911－0.0384mm之间进行两次中间退火，退火温度为420－560℃，退火速率为50－120m/min；最后退火的退火温度为400－500℃，退火速率为60－100m/min；退火过程中的张力设定保持在0.2‑0.6g。

公开(公告)号：CN104576519B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201410738151.7

申请日：2006-08-07

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： P·M·恩奎斯特 ,  小盖厄斯·G·方丹 ,  童勤义

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/603 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81931 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明提供一种三维地集成元件诸如被分切管芯或晶片的方法以及具有连接元件诸如被分切管芯或晶片的集成结构。管芯和晶片之一或全部可以具有形成于其中的半导体器件。具有第一接触结构的第一元件被键合到具有第二接触结构的第二元件。第一和第二接触结构可以在键合时被暴露并由于键合的结果被电互连。通孔可以在键合之后被蚀刻和填充以暴露和形成电互连以电互连第一和第二接触结构并提供从表面到该互连的电通路。替代地，第一和/或第二接触结构在键合时不被暴露，而通孔在键合后被蚀刻和填充以将第一和第二接触结构电连接，并对表面提供对互连了的第一和第二接触结构的电通路。并且，器件可以被形成于第一衬底中，该器件被放置于第一衬底的器件区中并具有第一接触结构。通孔可以在键合之前被蚀刻、或蚀刻并填充，其穿过器件区并进入到第一衬底中，并且第一衬底可以在键合之后被减薄以暴露出通孔或被填充的通孔。

公开(公告)号：CN104465515B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410568379.6

申请日：2010-01-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L23/544 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/544 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  Y10T428/1467 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的，并且所述有色晶片背面保护膜具有3GPa以上的弹性模量(23℃)。优选所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。所述切割带集成晶片背面保护膜可适用于倒装芯片安装的半导体器件。

公开(公告)号：CN104465414B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201410658118.3

申请日：2010-06-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 藤泽敦 ,  藤井浩志

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  B23K26/402

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/52 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法焊锡角焊缝，该制造方法是使用了具有将多个引线的外端部合并在一起的堤坝的多级引线框的QFN型封装的半导体器件的制造方法，通过激光去除填充于模腔外周与堤坝之间的密封树脂时，对外引线的侧面(4s)倾斜地照射激光(61)。

公开(公告)号：CN104362101B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410547244.1

申请日：2011-01-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤修康

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75743 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85148 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4554

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。所述方法抑制了当执行使用刀片的切片步骤以获取具有半导体晶片的减小厚度的半导体芯片时发生的芯片开裂。当在用于半导体晶片的切片步骤中切割半导体晶片时，如下使刀片前进：在沿着第一直线在第一方向(在图12中的Y方向)上进行切割时，使刀片从第一点前进到第二点。第一点位于第一部分中且第二点与第一点相对，在其之间具有穿过半导体晶片的中心点的第二直线。

公开(公告)号：CN104103565B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410351062.7

申请日：2010-01-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  松村健

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/1467 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的。优选所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。所述切割带集成晶片背面保护膜可适用于倒装芯片安装的半导体器件。

公开(公告)号：CN104103616B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201410108153.8

申请日：2014-03-21

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 安德优希 ,  安原和彦 ,  千叶淳 ,  陈炜 ,  冈崎纯一 ,  前田菜那子

IPC: H01L23/49 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14

CPC classification number: H01L24/45 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/48511 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2924/00011 ,  Y10T428/2958 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2924/01048

Abstract: 本发明的目的在于提供一种Ag-Pd-Pt三元合金或Ag-Pd-Pt三元系合金的高速信号线用接合线，即使在该接合线的表面形成不稳定的硫化银层时，仍无坚固的硫化银(Ag2S)膜，并可传送稳定的数千兆赫频带等的超高频信号。该高速信号线用接合线是由0.8～2.5质量%的钯(Pd)、0.1～0.7质量%的铂(Pt)、及剩余部分为纯度99.99质量%以上的银(Ag)所构成的三元合金、或于该三元合金中添加微量元素所构成的三元系合金，该接合线的剖面是由表皮膜与芯材构成，该银合金的表皮膜中存在具有高浓度银(Ag)的表面偏析层。