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公开(公告)号：CN1816556A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480019086.7
申请日：2004-04-30
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: C07F15/00
CPC classification number: C07F15/0033
Abstract: 本发明涉及制备式(I)的三－邻－金属化铱络合物的方法。其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和X具有说明书中所述含义。本发明还涉及可以通过本发明的方法制备的Ir络合物、所述Ir络合物作为有机发光二极管(OLEDs)中发射体分子的用途、包含所述Ir络合物的发光层、包含所述发光层的OLED、和包含本发明的OLED的装置。
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公开(公告)号：CN1802759A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480015781.6
申请日：2004-04-16
Applicant: 巴斯福股份公司
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/228 , H01L51/001 , H01L51/0078 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种将一种或几种化合物气相沉积到基体上的方法，该方法包括：i)以固态或气态将该化合物供入载体气流中，ii)所述化合物以气态存在于载体气流中，iii)凝结该气态化合物，iv)将步骤(iii)中凝结的化合物返回气态，和v)随后该气态化合物凝结在基体上，通过供入气流将含有该气态化合物的载体气流冷却到所述化合物升华温度以下的温度。
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公开(公告)号：CN100383150C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200480019086.7
申请日：2004-04-30
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: C07F15/00
CPC classification number: C07F15/0033
Abstract: 本发明涉及制备式(I)的三-邻-金属化铱络合物的方法，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和X具有说明书中所述含义。本发明还涉及可以通过本发明的方法制备的Ir络合物、所述Ir络合物作为有机发光二极管(OLEDs)中发射体分子的用途、包含所述Ir络合物的发光层、包含所述发光层的OLED、和包含本发明的OLED的装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101040027A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580035388.8
申请日：2005-08-17
Applicant: 巴斯福股份公司
Inventor： M·博尔德 , M·埃根 , G·瓦根布拉斯特 , K·卡勒 , C·伦纳茨 , F·德兹 , S·诺德 , H-W·施密特 , M·特拉卡特 , W·科瓦尔斯基 , C·席尔德克内希特 , M·贝特 , H-H·约翰内斯
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/06 , C09K2211/14 , C09K2211/188 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5016
Abstract: 本发明涉及包含至少一种过渡金属－碳烯配合物的聚合物材料在有机发光二极管(OLED)中的用途，包含至少一种选定的过渡金属－碳烯配合物的聚合物材料，一种制备本发明聚合物材料的方法，包含至少一种根据本发明使用的聚合物材料或至少一种根据本发明聚合物材料的发光层，包含本发明发光层的有机发光二极管(OLED)以及包含本发明有机发光二极管(OLED)的器件。
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公开(公告)号：CN1871322A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480030649.2
申请日：2004-08-18
Applicant: 巴斯福股份公司
CPC classification number: H01L51/0085 , B01J31/2265 , B01J31/2273 , B01J2531/16 , B01J2531/17 , B01J2531/18 , B01J2531/57 , B01J2531/60 , B01J2531/70 , B01J2531/821 , B01J2531/822 , B01J2531/827 , B01J2531/828 , C07F15/0033 , C09B57/00 , C09B57/10 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1018 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/18 , C09K2211/185 , H01L51/0081 , H01L51/5016 , H01L51/5096 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及式(I)的过渡金属配合物在有机发光二极管中的用途，其中：M1是金属原子；碳烯是碳烯配体；L是一价阴离子或二价阴离子配体；K是中性的单齿或二齿配体，其选自膦、CO、吡啶、腈类以及与M1形成π配合物的共轭二烯；n是碳烯配体的数量，其中n至少为1；m是配体L的数量，其中m可以为0或≥1；o是配体K的数量，其中o可以为0或≥1；其中n+m+o之和取决于所用金属原子的氧化态和配位数，取决于配体碳烯、L和K的齿数以及取决于配体碳烯和L上的电荷，前提是n至少为1。本发明还涉及包含这类过渡金属配合物的OLED，包含这类过渡金属配合物的发光层，包含这种发光层的OLED，包含本发明OLED的器件，以及包含至少两种碳烯配体的特定过渡金属配合物。
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公开(公告)号：CN101065389B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200580040471.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 巴斯福股份公司
Inventor： M·埃根 , K·卡勒 , M·博尔德 , T·格斯纳 , C·伦纳茨 , S·诺德 , H-W·施密特 , M·特拉卡特 , M·贝特 , C·诺伊贝尔 , W·科瓦尔斯基 , C·席尔德克内希特 , H-H·约翰内斯
CPC classification number: H01L51/0085 , C09K11/06 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H05B33/14
Abstract: 本发明涉及过渡金属-卡宾配合物在有机发光二极管(OLED)中的应用，涉及含有这些过渡金属-卡宾配合物的发光层，电子或激子的阻挡层或空穴的阻挡层，涉及包含这些过渡金属-卡宾配合物的OLED，涉及包含本发明OLED的器件以及涉及过渡金属-卡宾配合物。
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公开(公告)号：CN100573961C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200480030649.2
申请日：2004-08-18
Applicant: 巴斯福股份公司
CPC classification number: H01L51/0085 , B01J31/2265 , B01J31/2273 , B01J2531/16 , B01J2531/17 , B01J2531/18 , B01J2531/57 , B01J2531/60 , B01J2531/70 , B01J2531/821 , B01J2531/822 , B01J2531/827 , B01J2531/828 , C07F15/0033 , C09B57/00 , C09B57/10 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1018 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/18 , C09K2211/185 , H01L51/0081 , H01L51/5016 , H01L51/5096 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及式(I)的过渡金属配合物在有机发光二极管中的用途，其中：M1是金属原子；碳烯是碳烯配体；L是一价阴离子或二价阴离子配体；K是中性的单齿或二齿配体，其选自膦、CO、吡啶、腈类以及与M1形成π配合物的共轭二烯；n是碳烯配体的数量，其中n至少为1；m是配体L的数量，其中m可以为0或≥1；o是配体K的数量，其中o可以为0或≥1；其中n+m+o之和取决于所用金属原子的氧化态和配位数，取决于配体碳烯、L和K的齿数以及取决于配体碳烯和L上的电荷，前提是n至少为1。本发明还涉及包含这类过渡金属配合物的OLED，包含这类过渡金属配合物的发光层，包含这种发光层的OLED，包含本发明OLED的器件，以及包含至少两种碳烯配体的特定过渡金属配合物。
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公开(公告)号：CN101065389A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580040471.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 巴斯福股份公司
Inventor： M·埃根 , K·卡勒 , M·博尔德 , T·格斯纳 , C·伦纳茨 , S·诺德 , H-W·施密特 , M·特拉卡特 , M·贝特 , C·诺伊贝尔 , W·科瓦尔斯基 , C·席尔德克内希特 , H-H·约翰内斯
CPC classification number: H01L51/0085 , C09K11/06 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H05B33/14
Abstract: 本发明涉及过渡金属－卡宾配合物在有机发光二极管(OLED)中的应用，涉及含有这些过渡金属－卡宾配合物的发光层，电子或激子的阻挡层或空穴的阻挡层，涉及包含这些过渡金属－卡宾配合物的OLED，涉及包含本发明OLED的器件以及涉及过渡金属－卡宾配合物。
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