一种高性能复合氧化锆粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN111072383A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911309152.9

    申请日:2019-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种高性能复合氧化锆粉体的制备方法,包括以下微晶诱导沉淀:将配置好的氯氧化锆溶液加入到反应器中,同时加入氧化锆微晶和分散剂,反应器的温度控制在50~80℃,恒温搅拌均匀后向反应器中缓慢加入8~12wt%的氨水,待体系的pH值达到3~4以后,再按照复合氧化锆中元素的摩尔百分比向反应器中加入配置好的氯化钇溶液,继续恒温搅拌并添加氨水直至体系的pH值达到10~11,结束投料,继续保温搅拌待其完全反应后,再沉化制得沉淀产物;离心洗涤沉降;纳米磨分散;干燥;煅烧稳定;砂磨成品。本发明制得的粉末纯度高、粒度可控且分布均匀、结晶度高、性能优良,因此其陶瓷制品的烧结温度相比现有技术下降明显,同时陶瓷制品的透度明显提高。

    硅微通道板中生长异质结的方法

    公开(公告)号:CN108584866A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810498549.6

    申请日:2018-05-23

    CPC classification number: B81C1/00349 B81C2201/01

    Abstract: 一种微机电系统技术领域硅微通道板中生长异质结的方法,包括以下步骤:S1,将硅微通道板浸入表面活性剂中,排除硅微通道内空气并且活化硅,然后放入化学镀镍溶液中镀多孔镍;S2,将镀镍硅微通道板放入混有钠盐催化剂的多元醇中超声,然后进行溶剂热反应形成碳化镍包覆内壁的镀镍硅微通道板;S3,再退火得到石墨烯包覆内壁的镀镍硅微通道板;S4,将石墨烯包覆内壁的镀镍硅微通道板投入硫源和钼源混合溶剂中加热反应,形成二硫化钼/石墨烯异质结包覆内壁的镀镍硅微通道板。本发明通过逐步进行的化学镀镍、溶剂热渗碳和水热合成能够在硅微通道内生长异质结,该方法环境友好、简单易行、成本低廉。

    一种氮硫硒共掺杂SnS0.5Se0.5@CNF自支撑电极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN114937760A

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202210380232.9

    申请日:2022-04-12

    Abstract: 本发明公开了一种氮硫硒共掺杂SnS0.5Se0.5@CNF自支撑电极材料的制备方法,其步骤为:(1)纺丝溶液配置;(2)高压静电纺丝;(3)高温煅烧;(4)电池组装和测试。本发明通过调控Sn、S和Se的元素比例,原位硫/硒化合成了高质量氮硫硒共掺杂SnS0.5Se0.5@碳纤维复合材料。复合材料有效地将SnS0.5Se0.5的高比容量和碳纤维的高导电性和稳定性结合在一起,有效地改善了SnS0.5Se0.5较低的电导率和碳纤维较低的储钠能力。氮硫硒共掺杂碳纤维可以提供丰富的活性位点、缓解SnS0.5Se0.5的体积变化和防止电极材料与电解质发生副反应,造成活性物质的溶解,从而提高电极材料的循环稳定性。上述负极材料具有三维自支撑结构,能够直接用作电极,无粘结剂和导电剂,成本低,操作简单,适合规模化生产,具有应用潜力。

    一种基于硅微通道板的钠离子电池负极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109935814A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201910196580.9

    申请日:2019-03-15

    Abstract: 本发明公开了一种基于硅微通道板的钠离子电池负极材料的制备方法,包括预处理:将硅微通道板浸泡在BHF腐蚀液中;化学镀镍:将清洗后的硅微通道板放入化学镀镍溶液中,进行化学镀多孔镍形成镀镍硅微通道板;电镀镍:将镀镍硅微通道板放入电镀镍溶液中,通电进行电镀镍形成宏孔导电网络;溶剂热渗碳:将表面活性剂浸泡后的宏孔导电网络放入装有多元醇和钠盐催化剂的水热反应釜中反应;退火:将渗碳后的宏孔导电网络在管式炉中退火形成石墨烯微通道板;水热制备多元氧化物:将石墨烯微通道板投入装有锰源、镍源和钴源溶剂的反应釜中反应;退火:将所得材料放入管式炉。本发明提高了石墨烯复合二元过渡金属氧化物的有效界面,且简单易行成本低廉。

    一种硒掺杂的Mn3O4纳米花及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119503884A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411531593.4

    申请日:2024-10-30

    Abstract: 本发明公开了一种硒掺杂的Mn3O4纳米花及其制备方法和应用,其步骤为:(1)溶液配置;(2)沉淀反应;(3)真空干燥;(4)低温硒化诱导反应。本发明先采用沉淀反应制备MnO2纳米花,然后对MnO2纳米花进行低温硒化诱导反应,成功合成了硒掺杂的Mn3O4纳米花正极材料。硒掺杂不仅可以改善Mn3O4的导电性,增加材料的活性位点,而且可以提高电极在充放电过程中的结构稳定性,表现出更加优异的储锌性能。此外,该合成方法成本低,操作简单,适合规模化生产,具有应用潜力。

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