公开(公告)号：CN102906304A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180026221.0

申请日：2011-06-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y-W·李 ,  V·佐泊考伏 ,  石美仪 ,  夏立群 ,  P·艾文加 ,  S·巴录佳 ,  S·A·亨德里克森 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  D·R·威蒂

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76898

Abstract: 使用包含有BDEAS及诸如臭氧之类的含氧气体的工艺气体将二氧化硅层沉积在衬底上。二氧化硅层可为包含有抗蚀剂层的抗蚀刻叠层的一部分。在另一方面中，将二氧化硅层沉积到穿孔中以形成用于硅通孔的氧化物衬垫。

公开(公告)号：CN103098174A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043422.1

申请日：2011-09-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·艾文加 ,  S·巴录佳 ,  D·R·杜波依斯 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  S·A·亨德里克森 ,  Y-W·李 ,  M-Y·石 ,  L-Q·夏 ,  D·R·威蒂

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/463 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02274

Abstract: 一种基板处理系统包含邻近处理腔室的热处理器或等离子体发生器。第一处理气体进入所述热处理器或等离子体发生器。所述第一处理气体随后直接流动穿过喷头进入所述处理腔室。第二处理气体流动穿过第二流径，所述第二流径经过所述喷头。所述第一处理气体及所述第二处理气体在所述喷头下方混合且在所述喷头下方的基板上沉积材料层。