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公开(公告)号：CN107267962B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710525409.9
申请日：2013-01-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 提供一种用于处理多个基板的基板处理系统及方法，且该基板处理系统大体上包括至少一个基板处理平台以及至少一个基板储备平台。该基板处理平台包括旋转轨道系统，该旋转轨道系统能够支撑多个基板支撑组件，且能够连续地旋转该等基板支撑组件，每一基板支撑组件上搭载基板。每一基板定位在配置于旋转轨道系统上的基板支撑组件上，且透过至少一个喷头站与至少一个缓冲站受处理，该至少一个喷头站与至少一个缓冲站定位在该基板处理平台的该旋转轨道系统顶上。配置在该等基板支撑组件上的多个基板进出该基板处理平台而受处理。该基板储备平台包括至少一个双基板处理站，每一双基板处理站包括两个基板支撑组件，以在该等基板支撑组件上支撑两个基板。
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公开(公告)号：CN103348461A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180066914.2
申请日：2011-12-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/045 , H01L23/055
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/02074 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/6835 , H01L21/68792 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76898 , H01L24/11 , H01L24/742 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2224/11002 , H01L2224/11452 , H01L2224/1182 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/13687 , H01L2224/742 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/05042 , H01L2924/00
Abstract: 一种直通硅穿孔制造方法包括：在硅板中蚀刻多个直通孔。将氧化物衬垫沉积在硅板的表面上并且沉积在直通孔的侧壁及底壁上。然后，在直通孔中沉积金属导体。在可与氧化物衬垫同时使用的另一方案中，将氮化硅钝化层沉积在基板的硅板的暴露后表面上。
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公开(公告)号：CN104900578A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510100266.8
申请日：2015-03-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76224 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31116
Abstract: 本文中揭示的实施例一般是关于在高深宽比特征中形成电介质材料。在一个实施例中，揭示一种用于在一个处理腔室中充填高深宽比沟槽的方法。所述方法包括将基板置于处理腔室内部，在所述腔室中，基板具有一表面，所述表面具有数个高深宽比沟槽，及所述表面面向气体/等离子体分配组件。所述方法进一步包括执行以下序列：在基板表面上及数个沟槽中的每一个内侧沉积电介质材料层，在此情况下，电介质材料层位于每一沟槽底部及侧壁上；并去除安置在基板表面上的电介质材料层的一部分，在此情况下，每一沟槽的开口被扩大。重复进行所述序列，直至利用电介质材料无缝充填了沟槽为止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104081514A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380007166.X
申请日：2013-01-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/45519 , C23C16/45551 , C23C16/54 , H01L21/67742
Abstract: 在此提供一种用于处理多个基板的基板处理系统，且该基板处理系统大体上包括至少一个基板处理平台以及至少一个基板储备平台。该基板处理平台包括旋转轨道系统，该旋转轨道系统能够支撑多个基板支撑组件，且能够连续地旋转该等基板支撑组件，每一基板支撑组件上搭载基板。每一基板定位在配置于旋转轨道系统上的基板支撑组件上，且透过至少一个喷头站与至少一个缓冲站受处理，该至少一个喷头站与至少一个缓冲站定位在该基板处理平台的该旋转轨道系统顶上。配置在该等基板支撑组件上的多个基板进出该基板处理平台而受处理。该基板储备平台包括至少一个双基板处理站，每一双基板处理站包括两个基板支撑组件，以在该等基板支撑组件上支撑两个基板。
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公开(公告)号：CN107267962A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710525409.9
申请日：2013-01-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 提供一种用于处理多个基板的基板处理系统及方法，且该基板处理系统大体上包括至少一个基板处理平台以及至少一个基板储备平台。该基板处理平台包括旋转轨道系统，该旋转轨道系统能够支撑多个基板支撑组件，且能够连续地旋转该等基板支撑组件，每一基板支撑组件上搭载基板。每一基板定位在配置于旋转轨道系统上的基板支撑组件上，且透过至少一个喷头站与至少一个缓冲站受处理，该至少一个喷头站与至少一个缓冲站定位在该基板处理平台的该旋转轨道系统顶上。配置在该等基板支撑组件上的多个基板进出该基板处理平台而受处理。该基板储备平台包括至少一个双基板处理站，每一双基板处理站包括两个基板支撑组件，以在该等基板支撑组件上支撑两个基板。
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公开(公告)号：CN104081514B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380007166.X
申请日：2013-01-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/45519 , C23C16/45551 , C23C16/54 , H01L21/67742
Abstract: 在此提供一种用于处理多个基板的基板处理系统，且该基板处理系统大体上包括至少一个基板处理平台以及至少一个基板储备平台。该基板处理平台包括旋转轨道系统，该旋转轨道系统能够支撑多个基板支撑组件，且能够连续地旋转该等基板支撑组件，每一基板支撑组件上搭载基板。每一基板定位在配置于旋转轨道系统上的基板支撑组件上，且透过至少一个喷头站与至少一个缓冲站受处理，该至少一个喷头站与至少一个缓冲站定位在该基板处理平台的该旋转轨道系统顶上。配置在该等基板支撑组件上的多个基板进出该基板处理平台而受处理。该基板储备平台包括至少一个双基板处理站，每一双基板处理站包括两个基板支撑组件，以在该等基板支撑组件上支撑两个基板。
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公开(公告)号：CN104900513A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510098387.3
申请日：2015-03-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/24 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/347 , C23C16/36 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 本文中揭露的实施方式大体上涉及衬底的处理，且更具体而言，涉及用于形成电介质膜的方法。在一实施方式中，所述方法包括：将多个衬底放置在处理腔室内部，且执行以下序列：将所述衬底暴露于包含硅的第一反应性气体，且然后将所述衬底暴露于包含氮以及氧或碳中的至少一个的第二反应性气体的等离子体，以及重复所述序列以在所述衬底的每一个上形成包含碳氮化硅或碳氮氧化硅的所述电介质膜。
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公开(公告)号：CN103098174A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043422.1
申请日：2011-09-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·艾文加 , S·巴录佳 , D·R·杜波依斯 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , S·A·亨德里克森 , Y-W·李 , M-Y·石 , L-Q·夏 , D·R·威蒂
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/463 , C23C16/5096 , H01L21/02274
Abstract: 一种基板处理系统包含邻近处理腔室的热处理器或等离子体发生器。第一处理气体进入所述热处理器或等离子体发生器。所述第一处理气体随后直接流动穿过喷头进入所述处理腔室。第二处理气体流动穿过第二流径，所述第二流径经过所述喷头。所述第一处理气体及所述第二处理气体在所述喷头下方混合且在所述喷头下方的基板上沉积材料层。
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