公开(公告)号：CN104291262A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410239450.6

申请日：2014-06-03

Applicant: 应美盛股份有限公司

Inventor： M-L.陈 ,  X.李 ,  M.林

IPC: B81B5/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0785 ,  H01L41/0926 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1138 ,  H04R7/08 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明涉及具有嵌入式声道的电容性感测结构。MEMS器件包括双膜、电极和互连结构。该双膜具有顶膜和底膜。底膜位于顶膜和电极之间，并且互连结构限定顶膜和底膜之间的间隔。

公开(公告)号：CN104291262B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201410239450.6

申请日：2014-06-03

Applicant: 应美盛股份有限公司

Inventor： M-L.陈 ,  X.李 ,  M.林

IPC: B81B5/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0785 ,  H01L41/0926 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1138 ,  H04R7/08 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明涉及具有嵌入式声道的电容性感测结构。MEMS器件包括双膜、电极和互连结构。该双膜具有顶膜和底膜。底膜位于顶膜和电极之间，并且互连结构限定顶膜和底膜之间的间隔。