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公开(公告)号：CN108383076A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810105212.4
申请日：2018-02-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·德厄
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0005 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , H04R7/10 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 膜构件包括具有导电膜层的膜结构。导电膜层具有悬置区域和膜区域。另外，导电膜层的悬置区域布置在绝缘层上。此外，绝缘层布置在承载基体上。此外，膜构件包括对电极结构。在对电极结构和导电膜层的膜区域之间垂直地布置有空腔。此外，所述导电膜层的边缘以在所述导电膜层和所述对电极结构之间的垂直距离一半以上为幅度横向突出超过所述绝缘层的边缘。此外，所述导电膜层吸收在所述导电膜层的膜区域偏移时而施加在所述膜结构上的90％以上的力。
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公开(公告)号：CN106794981B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201580041645.2
申请日：2015-07-24
Applicant: ams国际有限公司
Inventor： 威廉·弗雷德里克·阿德里亚努斯·贝斯林 , 雷莫科·亨里卡斯·威廉默斯·皮嫩伯格 , 卡斯珀·万德尔阿武特 , 马滕·奥尔德森 , 马丁·古森斯
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2201/014 , G01L9/0042 , G01L9/0072 , G01L9/0073 , G01L9/12 , H01L29/84
Abstract: 一种用于形成悬置膜的方法的实施方式包括在牺牲层上方和边界沟槽内沉积第一导电材料。第一导电材料在边界沟槽上方形成角过渡部。该方法还包括去除第一导电材料的一部分，所述去除将第一导电材料的不平坦形貌的至少一部分去除。该方法还包括沉积第二导电材料。第二导电材料延伸到边界沟槽之外。该方法还包括通过蚀刻开口去除牺牲层并且在第二导电材料下方形成腔。第一导电材料限定腔的侧壁边界的一部分。
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公开(公告)号：CN108285125A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810019096.4
申请日：2018-01-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0081 , B81B2201/0214 , B81C1/00801 , G01N27/128 , G01N27/14 , G01N33/0009 , G01N33/0013 , B81C1/00349 , B81B7/02
Abstract: 本发明提出一种微机械传感器设备和一种相应的制造方法。微机械传感器设备配备有衬底(1)，该衬底具有膜片区域(M)，其中，在膜片区域(M)上构造有多个传感器层区域(S1-S3)，所述传感器层区域具有相应的结构化传感器层(200；300；400)；和各个电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)，传感器层区域(S1-S3)能够通过所述电极装置电连接所述膜片区域(M)的外部，其中，所述传感器层区域(S1-S3)这样结构化，使得所述传感器层区域具有1到10微米之间的数量级的长度和宽度尺寸。
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公开(公告)号：CN108017036A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710459683.0
申请日：2017-06-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H04R17/02 , B81B3/0037 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81C1/00158 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L41/042 , H01L41/1132 , H01L41/1138 , H01L41/312 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/003 , H04R2201/003
Abstract: 一种压电型MEMS传感器、具体地麦克风(50)，形成于采用半导体材料的容纳柔顺部分(54)的膜(52)中，该柔顺部分从该膜的第一表面(52a)延伸至第二表面(52b)。该柔顺部分(54)具有低于该膜(52)的其余部分的杨氏模量。具有半导体材料的敏感区域(57)在该柔顺部分(54)上方在该第一表面(52a)上延伸，并且在其端部在所述柔顺部分(54)的相反侧上固定至所述膜(52)上。所述膜的安排在所述柔顺部分(54)与所述第二表面(52b)之间的第三区域(55)形成铰链元件。
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公开(公告)号：CN107337174A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710498408.X
申请日：2017-06-27
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B2201/0257 , B81C1/00158 , B81C1/00182
Abstract: 本发明提供一种多晶硅振膜结构的制作方法。现有方法易导致薄膜的形状及尺寸偏离最优值，影响多晶硅振膜的工作性能。本发明方法首先在基底上依次制备下SiO2薄膜层和下多晶硅薄膜，然后将下多晶硅薄膜层刻穿，形成圆环形的沟槽结构，再在其上依次制备上SiO2薄膜层和上多晶硅薄膜层，依次将基底和下SiO2薄膜层刻穿，形成通孔，将下多晶硅薄膜层的圆环形的沟槽内填充的SiO2腐蚀干净，最后沿圆环形的沟槽，将上SiO2薄膜层刻穿，完全释放上多晶硅薄膜层以下的微腔，形成多晶硅振膜结构。本发明方法避免化学机械抛光工艺及其不利影响，能够精确控制多晶硅振膜的尺寸与形状，提高振膜的可靠性以及基于该振膜的器件的工作性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106986301A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201611128415.2
申请日：2016-12-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： 武震宇
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/019 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C2203/01 , B81C2203/0778 , H01L21/62 , H01L22/30 , H01L28/00 , H01L28/75 , B81C1/00134 , B81B7/02 , B81C1/00206 , B81C1/0038 , G01L9/12
Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器装置的制造方法和一种相应的微机械传感器装置。该方法包括下述步骤：提供具有至少第一至第四槽的基底，所述至少第一至第四槽从基底的正面出发平行地延伸并且彼此隔开间距；将一个层沉积到正面上，其中，所述至少第一至第四槽被封闭，并且使所述层结构化，其中，在所述层中在第二和第四槽的上方构造接触结构；将接触结构以及第二和第四槽的向外暴露的侧面至少部分地氧化；使第一金属接触材料沉积并且结构化，其中，将所述接触结构至少部分地以第一金属接触材料填充；打开第二槽和第四槽；将第二金属接触材料电沉积到所述第二和第四槽中，由此，形成压敏电容性的电容器结构；并且从所述基底的正面打开所述第一槽。
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公开(公告)号：CN104203806B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201380019462.1
申请日：2013-03-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R17/005 , B81B3/007 , B81B3/0086 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00158
Abstract: 本发明涉及一种微机电的膜片装置，所述微机电的膜片装置具有：基片，所述基片在表面上具有多个空隙；能够导电的第一电极层，所述第一电极层布置在所述基片的表面上并且所示第一电极层具有多个与所述空隙相一致的第一凹部；以及能够沿着与所述基片的有效的表面垂直的方向偏移的并且能够导电的膜片层，所述膜片层布置在所述第一电极层的上方并且以第一间距值与所述第一电极层隔开。
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公开(公告)号：CN106744642A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710009218.7
申请日：2017-01-06
Applicant: 中北大学
CPC classification number: B81B3/0021 , B06B1/02 , B81C1/00158 , G01S7/521
Abstract: 本发明公开了一种收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头，包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）的上表面为氧化层（2），所述氧化层（2）的上表面开设有若干空腔（3），若干空腔（3）成排、列布置，所述氧化层（2）的上表面键合振动薄膜（4），所述振动薄膜（4）的上表面设隔离层（5），围绕隔离层（5）的四周边缘处及其内部开设有下沉的隔离槽（6），所述隔离槽（6）贯穿隔离层（5）和振动薄膜（4）后，其槽底开设于氧化层（2）上；所述隔离层（5）的上表面上正对每个空腔（3）的中心位置处设有上电极（7）。本发明超声探头结构新颖、体积小、频带宽、灵敏度高，噪声低，稳定性好，收发性能平衡。
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公开(公告)号：CN104291262B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410239450.6
申请日：2014-06-03
Applicant: 应美盛股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B7/0006 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C2203/035 , B81C2203/0785 , H01L41/0926 , H01L41/0973 , H01L41/1132 , H01L41/1138 , H04R7/08 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明涉及具有嵌入式声道的电容性感测结构。MEMS器件包括双膜、电极和互连结构。该双膜具有顶膜和底膜。底膜位于顶膜和电极之间，并且互连结构限定顶膜和底膜之间的间隔。
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公开(公告)号：CN105555336A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480051996.7
申请日：2014-08-05
Applicant: 康迈德医疗器械有限公司
CPC classification number: A61M5/14248 , A61M5/14586 , A61M5/16881 , A61M39/24 , A61M2005/14252 , A61M2205/3334 , A61M2205/35 , A61M2205/581 , A61M2205/582 , A61M2207/00 , B32B37/12 , B32B2535/00 , B81B2201/036 , B81C1/00158 , B81C2201/034 , F04B43/043 , F04B53/10 , F16K2099/008 , F16K2099/0094
Abstract: 一种用于将一种或多种药物可控准确皮下输送到患者的柔性贴片泵包括层状分层结构。该泵可以具有：刚性储器层，所述刚性储器层包括布置在柔性材料中的多个刚性储器；柔性微流体层，所述柔性微流体层包括用于密封刚性储器的柔顺膜、连接刚性储器的微流体通道的网络和与刚性储器相对应的多个入口和/或出口阀；和柔性-刚性电子电路层，所述柔性-刚性电子电路层包括多个可单独寻址的致动器。在操作中，刚性储器可以容纳药物，所述药物例如由于在寻址的储器中通过柔顺膜或其它致动元件的位移导致的压力变化而在适当的时间以精确的体积来分配。
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