公开(公告)号：CN116761448A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310971584.6

申请日：2023-08-03

Applicant: 扬州大学

Inventor： 王芹芹 ,  丁建宁 ,  李绿洲 ,  王爱丽 ,  张罗正 ,  袁宁一

IPC: H10K39/15 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明属于太阳能光伏行业领域，尤其涉及一种钙钛矿/IBC三端叠层电池及其制备方法。晶硅底电池的结构为：以N/P型高少子寿命的硅片作为基体，正面依次为前表面场和钝化层；背面依次为宽量子阱双势垒隧穿层、掺杂硼的纳米晶硅形成的p+层、隧穿氧化层、掺杂磷的多晶硅形成的n+层、钝化层、p+ finger、n+ finger和n/p之间的隧穿氧化层隔绝带；钙钛矿顶电池的结构从上到下依次为：n+ finger、透明导电层、缓冲层、电子传输层、钙钛矿层和空穴传输层，空穴传输层设置在晶硅底电池的正面。本发明将宽量子阱设置在了p型掺杂纳米晶硅下方，降低B的偏析系数进而抑制B的扩散，提供更好钝化效果。