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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1164430C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01800023.1
申请日：2001-01-22
Applicant: 日本板硝子株式会社
Abstract: 提供一种在排列了具有在低电流区发光效率低的I-L特性的发光闸流晶体管的阵列中，不降低发光效率，获得规定的曝光能量的光量设定方法。为了获得规定的曝光能量，在将相当于电流密度为50MA/m2的电流值的I-L特性曲线的切线与电流轴的切点处的电流值所相当的电流密度定义为发光阈电流密度Dth的情况下，使流过发光闸流晶体管的电流密度D在3×Dth＜D＜100MA/m2的范围内。
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公开(公告)号：CN1358334A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01800021.5
申请日：2001-01-11
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: B41J2/45 , H01L27/153 , H01L33/0016
Abstract: 用其他元件实现与发光闸流晶体管同样的功能,降低发光元件矩阵阵列的成本。将由晶体管和发光二极管构成的多个组合元件排列成直线状,组成矩阵。将多个组合元件每n个分成一组,将各组的晶体管的基极分别连接在基极选择线上,将各组中的发光二极管的阳极在各组中分别连接在公用的阳极端子上。
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公开(公告)号：CN1321339A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN00801754.9
申请日：2000-09-05
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L33/00 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2002/453 , H01L27/156
Abstract: 提供在自扫描型发光装置中,制作兼有遮光层的金属布线时的最适当的掩模图形设计方法。在透明绝缘膜上形成的第一金属布线的掩模图形,在与传输元件的排列垂直的方向上与第一控制电极重叠的宽度为L1的情况下,选择L1,使其满足:L1>(S+dS)+a，其中,S是所述第一金属布线侧面的腐蚀量,dS是腐蚀量的偏差,a是所述掩模图形的对准误差。
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公开(公告)号：CN1358335A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01800022.3
申请日：2001-01-30
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/0016
Abstract: 在下述的发光闸流晶体管矩阵阵列中,即,将以基板为公用阴极的三端子发光闸流晶体管的阵列分成以每n(n为2以上的整数)个发光闸流晶体管为一块,将各块内的n个发光闸流晶体管的栅极与分别独立的n条栅选择线连接,而且将各块内的n个发光闸流晶体管的阳极连接在公用的电极上的发光闸流晶体管矩阵阵列中,提供一种使布线不会发生导电性连接地相交叉的结构。
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公开(公告)号：CN1358138A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01800023.1
申请日：2001-01-22
Applicant: 日本板硝子株式会社
Abstract: 提供一种在排列了具有在低电流区发光效率低的I－L特性的发光闸流晶体管的阵列中,不降低发光效率,获得规定的曝光能量的光量设定方法。为了获得规定的曝光能量,在将相当于电流密度为50MA/m2的电流值的I－L特性曲线的切线与电流轴的切点处的电流值所相当的电流密度定义为发光阈电流密度Dth的情况下,使流过发光闸流晶体管的电流密度D在3×Dth
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