公开(公告)号：CN1322595C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN02822568.6

申请日：2002-12-10

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: B41J2/45 ,  B41J2002/453 ,  H01L27/153

Abstract: 本发明提供一种自扫描型发光元件阵列，使用Si作为构造材料并在Si衬底上形成。在Si衬底30上形成栅失配缓和层32。通过外延成长，在栅失配缓和层32上依次层叠n型AlGaAs层14、p型AlGaAs层16、n型AlGaAs层18、p型AlGaAs层20。在AlGaAs层20上设置有阳极电极22，在AlGaAs层18上设置有栅电极24，在GaAs衬底的背面设置有阴极电极26。

公开(公告)号：CN1880092A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610103145.X

申请日：2001-09-04

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治 ,  小木秀也

IPC: B41J2/45 ,  G06K15/12

Abstract: 提供了使每个芯片上的多个发光元件能同时发光的自扫描型发光元件阵列的驱动方法。在由传送部与发光部组成的自扫描型发光元件阵列中，可使发光部相邻的2个发光元件同时发光时的写入信号的幅度为1个发光元件发光时写入信号的幅度的2倍。自扫描型发光元件阵列由多个自扫描型发光元件阵列芯片排成直线状构成，而2相时钟脉冲则能为多个自扫描型发光元阵列芯片所共用。

公开(公告)号：CN1196206C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN01800018.5

申请日：2001-01-31

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治 ,  楠田幸久

IPC: H01L33/00

Abstract: 提供一种能够减小芯片面积的发光闸流晶体管矩阵阵列。把多个三端子发光闸流晶体管与芯片长边平行地排列成一行，把多个键合焊盘与芯片长边平行地排列成一行。由此可以使芯片面积最小化。

公开(公告)号：CN1586016A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02822568.6

申请日：2002-12-10

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: B41J2/45 ,  B41J2002/453 ,  H01L27/153

Abstract: 本发明提供一种自扫描型发光元件阵列，使用Si作为构造材料并在Si衬底上形成。在Si衬底30上形成栅失配缓和层32。通过外延成长，在栅失配缓和层32上依次层叠n型AlGaAs层14、p型AlGaAs层16、n型AlGaAs层18、p型AlGaAs层20。在AlGaAs层20上设置有阳极电极22，在AlGaAs层18上设置有栅电极24，在GaAs衬底的背面设置有阴极电极26。

公开(公告)号：CN1171736C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN00801752.2

申请日：2000-09-19

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治

IPC: B41J2/45 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 提供在pnpn结构上构成交叉连接布线的情况下，也可防止闩锁的金属布线结构。该金属布线结构具有：在用隔离沟岛状隔离的pnpn结构的最上层之上设置的下部布线；和通过对覆盖着用隔离沟岛状隔离的pnpn结构的绝缘膜开口的第一接触孔，与下部布线连接的上部布线，通过开口于绝缘膜中的第二接触孔，上部布线与最上层正下方的层连接。

公开(公告)号：CN1166517C

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN01800367.2

申请日：2001-04-06

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治

IPC: B41J2/44 ,  B41J2/45 ,  B41J2/455

CPC classification number: G06K15/1247 ,  B41J2/45 ,  B41J2002/453

Abstract: 减少因外接在芯片上的用于限制写入电流的电阻所造成的功率损耗，提供可以减小光写入头的升温的自扫描型发光元件阵列。与驱动电路内的控制传送部的电路中的H-L电平差相比，通过降低设定控制发光部的电路中的H-L电平差，能够减少外接在芯片上的用于限制写入电流的电阻所造成的功率消耗，抑制光写入头的温度上升。

公开(公告)号：CN1358334A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN01800021.5

申请日：2001-01-11

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治 ,  楠田幸久 ,  大塚俊介 ,  黑田靖尚 ,  有马尊久 ,  齐藤英昭

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  B41J2/44

CPC classification number: B41J2/45 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0016

Abstract: 用其他元件实现与发光闸流晶体管同样的功能,降低发光元件矩阵阵列的成本。将由晶体管和发光二极管构成的多个组合元件排列成直线状,组成矩阵。将多个组合元件每n个分成一组,将各组的晶体管的基极分别连接在基极选择线上,将各组中的发光二极管的阳极在各组中分别连接在公用的阳极端子上。

公开(公告)号：CN1322169A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN00802049.3

申请日：2000-10-10

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治

IPC: B41J2/45 ,  H01L33/00

Abstract: 提供一种使用于自扫描型发光器件阵列,并且能够以简单的电路构成实现于电压源同样功能的驱动电路。驱动电路具有第1和第2缓冲器,和接这些缓冲器的输出端子的第1和第2电阻。第1缓冲器的输入端子接到第1脉冲电压源,且栅极端子接地。第2缓冲器的输入端子接+5V,且栅极端子接第2脉冲电压源。第1和第2电阻一起接驱动电路的输出端子,且该输出端子接到时钟脉冲端子上。

公开(公告)号：CN1321339A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN00801754.9

申请日：2000-09-05

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 楠田幸久 ,  大塚俊介 ,  大野诚治

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: B41J2/45 ,  B41J2002/453 ,  H01L27/156

Abstract: 提供在自扫描型发光装置中,制作兼有遮光层的金属布线时的最适当的掩模图形设计方法。在透明绝缘膜上形成的第一金属布线的掩模图形,在与传输元件的排列垂直的方向上与第一控制电极重叠的宽度为L1的情况下,选择L1,使其满足:L1>(S+dS)+a，其中,S是所述第一金属布线侧面的腐蚀量,dS是腐蚀量的偏差,a是所述掩模图形的对准误差。

公开(公告)号：CN1813358A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200480017931.7

申请日：2004-06-24

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 浜中贤二郎 ,  桥本隆宽 ,  永田秀史 ,  大野诚治 ,  村口功 ,  驹场信幸

IPC: H01L33/00

Abstract: 提供一种提高光利用效率的带有透镜的发光元件阵列。对于发光元件的近似U字形的发光部，在其上设置复合透镜。连接近似U字形的发光部的发光强度最大的位置形成折线。设置中心位于该折线的3个线段的各两端的4个球面透镜的一部分，在其中间部分设置具有与3个各个线段平行的轴的3个圆柱透镜的一部分，将其邻接配置形成复合透镜。进一步，发光元件具有覆盖发光部的反射防止膜，复合透镜设置在反射防止膜表面上。