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公开(公告)号:CN1705908A
公开(公告)日:2005-12-07
申请号:CN200480001411.7
申请日:2004-03-18
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: G02F1/3551 , G02B6/12011 , G02B6/12023 , G02B2006/12142 , G02B2006/12145 , G02F1/225 , G02F1/3136 , G02F1/3137 , G02F1/365 , G02F2001/212 , G02F2201/124 , G02F2203/50
Abstract: 提供单纯的结构的低驱动电压的无偏振依赖并且高速的光开关、光调制器和波长可变滤光器。具备设置在输入侧的3dB耦合器(16)和设置在输出侧的3dB耦合器(17)和连接输入侧3dB耦合器以及输出侧3dB耦合器的2条光波导。此外,具备向2条光波导的一方或者双方施加电场的相位调制单元(18)。至少2条的光波导是由KTa1-xNbxO3(0<x<1)以及K1-yLiyTa1-xNbxO3(0<x<1,0<y<1)、或者KTa1-xNbxO3或者K1-yLiyTa1-xNbxO3组成的晶体材料。
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公开(公告)号:CN1799001A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200480014154.0
申请日:2004-06-11
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 涉及本发明的可变波长光学过滤器(1)具有:由具有立方结晶结构、呈现2次电光效应的电介质结晶形成的光透过性的电介质结晶部(2);与所述电介质结晶部一同构成法布里-配洛标准具的反射镜部(5,6);以及通过电光效应为为使该标准具的透过光的波长变化用于在电介质结晶部上施加电压的电极(3,4)。根据该结构,因为使用具有立方结晶结构、呈现2次电光效应的电介质结晶,所以可以实现高速而且能够以低电压驱动的可变波长光学过滤器。
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公开(公告)号:CN1717602A
公开(公告)日:2006-01-04
申请号:CN200480001454.5
申请日:2004-07-16
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: C30B29/30 , G02B2006/121 , G02F1/035 , Y10S117/918
Abstract: 本发明提供一种可以不改变Ta和Nb的比例而改变折射率的光波导材料。作为本发明光波导材料所适用的光波导的一个例子的一种光波导包括:下包层(1),和形成于下包层(1)上的、折射率比下包层(1)大的芯部(2)。例如,使用KTN(KTa1-xNbxO3)作为芯部(2),使用构成元素的一部分由Zr、Hf、Sn中的至少一种元素取代的、具有与KTN相同的钙钛矿型晶体结构的材料作为包层。因此,KTN的折射率可以明显降低,使光波导装置设计的自由程度提高。
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公开(公告)号:CN100410796C
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200480001411.7
申请日:2004-03-18
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: G02F1/3551 , G02B6/12011 , G02B6/12023 , G02B2006/12142 , G02B2006/12145 , G02F1/225 , G02F1/3136 , G02F1/3137 , G02F1/365 , G02F2001/212 , G02F2201/124 , G02F2203/50
Abstract: 提供单纯的结构的低驱动电压的无偏振依赖并且高速的光开关、光调制器和波长可变滤光器。具备设置在输入侧的3dB耦合器(16)和设置在输出侧的3dB耦合器(17)和连接输入侧3dB耦合器以及输出侧3dB耦合器的2条光波导。此外,具备向2条光波导的一方或者双方施加电场的相位调制单元(18)。至少2条的光波导是由KTa1-xNbxO3(0<x<1)以及K1-yLiyTa1-xNbxO3(0<x<1,0<y<1)、或者KTa1-xNbxO3或者K1-yLiyTa1-xNbxO3组成的晶体材料。
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公开(公告)号:CN100353193C
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200480001454.5
申请日:2004-07-16
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: C30B29/30 , G02B2006/121 , G02F1/035 , Y10S117/918
Abstract: 本发明提供一种可以不改变Ta和Nb的比例而改变折射率的光波导材料。作为本发明光波导材料所适用的光波导的一个例子的一种光波导包括:下包层(1),和形成于下包层(1)上的、折射率比下包层(1)大的芯部(2)。例如,使用KTN(KTa1-xNbxO3)作为芯部(2),使用构成元素的一部分由Zr、Hf、Sn中的至少一种元素取代的、具有与KTN相同的钙钛矿型晶体结构的材料作为包层。因此,KTN的折射率可以明显降低,使光波导装置设计的自由程度提高。
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