薄膜形成方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101528978B

    公开(公告)日:2011-05-25

    申请号:CN200780022302.7

    申请日:2007-06-14

    Abstract: 在接近大气压的压力气氛的条件下,使用等离子体在基板上形成薄膜时,即使将电极和基板之间的间隙设定得比以往宽,也可以抑制反应气体反应而产生的微粒,且稳定地形成均质的薄膜。通过向旋转中心轴相对于基板平行的圆筒状的旋转电极(12)供给电力,从而在所述旋转电极(12)和基板(S)之间的间隙中生成等离子体,使用生成的等离子体,使所供给的反应气体(G)活化而在基板(S)上形成薄膜时,使旋转电极(12)和基板(S)之间的间隙宽度为2mm~7mm,向旋转电极(12)供给频率为100kHz~1GHz的高频电力。

    薄膜形成方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101528978A

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200780022302.7

    申请日:2007-06-14

    Abstract: 在接近大气压的压力气氛的条件下,使用等离子体在基板上形成薄膜时,即使将电极和基板之间的间隙设定得比以往宽,也可以抑制反应气体反应而产生的微粒,且稳定地形成均质的薄膜。通过向旋转中心轴相对于基板平行的圆筒状的旋转电极(12)供给电力,从而在所述旋转电极(12)和基板(S)之间的间隙中生成等离子体,使用生成的等离子体,使所供给的反应气体(G)活化而在基板(S)上形成薄膜时,使旋转电极(12)和基板(S)之间的间隙宽度为2mm~7mm,向旋转电极(12)供给频率为100kHz~1GHz的高频电力。

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