公开(公告)号：CN110878429A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910826274.9

申请日：2019-09-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 余佳 ,  石桥直人 ,  深田启介 ,  梅田喜一 ,  渥美广范

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供基座和化学气相生长装置。该基座是被用于在晶片的主面上采用化学气相生长法使外延膜生长的化学气相生长装置的基座，具有基台和配置于所述基台的外周部的用于支持所述晶片的外周部的3个突起部。

公开(公告)号：CN108475635B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201680071748.8

申请日：2016-12-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 余佳 ,  石桥直人 ,  深田启介 ,  歌代智也 ,  渥美广范

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

Abstract: 一种晶片支承机构，具备：晶片支承台；和由所述晶片支承台支承的可动部，所述晶片支承台具有运送用晶片支承部，所述运送用晶片支承部从所述晶片支承台的与所载置的晶片的背面对向的第1面立起，且设置在比所载置的晶片的外周端靠内侧的位置，所述可动部具有成膜用晶片支承部，且能够在所述运送用晶片支承部的立起方向上相对于所述晶片支承台相对地移动，所述成膜用晶片支承部位于比所述运送用晶片支承部靠所载置的晶片的外周侧的位置。

公开(公告)号：CN108475635A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680071748.8

申请日：2016-12-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 余佳 ,  石桥直人 ,  深田启介 ,  歌代智也 ,  渥美广范

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 一种晶片支承机构，具备：晶片支承台；和由所述晶片支承台支承的可动部，所述晶片支承台具有运送用晶片支承部，所述运送用晶片支承部从所述晶片支承台的与所载置的晶片的背面对向的第1面立起，且设置在比所载置的晶片的外周端靠内侧的位置，所述可动部具有成膜用晶片支承部，且能够在所述运送用晶片支承部的立起方向上相对于所述晶片支承台相对地移动，所述成膜用晶片支承部位于比所述运送用晶片支承部靠所载置的晶片的外周侧的位置。