成膜装置、载体和制造成膜基板的方法

    公开(公告)号:CN104746032B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201410150985.6

    申请日:2014-04-15

    Inventor: 歌代智也

    Abstract: 本发明涉及成膜装置、载体和制造成膜基板的方法。在抑制在输送载体过程中产生的载体振动的同时稳定地输送载体。由于第一杆状构件(310)的从下方支撑载体(25)的第一支撑面(7X)相对于水平方向倾斜45°,因此,作用于水平方向上的第一水平方向负载(7B)施加于载体(25)。此外,由于第二杆状构件(320)的从下方支撑载体(25)的第二支撑面(7Y)相对于水平方向倾斜45°,因此,作用于水平方向上的第二水平方向负载(7C)施加于载体(25)。在这种情况下,载体(25)通过第一水平方向负载(7B)压抵第二杆状构件(320),且通过第二水平方向负载(7C)压抵第一杆状构件(310)。因此,抑制了载体(25)在其厚度方向上的振动。

    SiC单晶制造装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111058094B

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN201910972545.1

    申请日:2019-10-14

    Inventor: 歌代智也

    Abstract: 本公开提供一种晶体生长用容器内的温度分布的均匀性高的SiC单晶制造装置。SiC单晶制造装置具备:容纳SiC原料的晶体生长用容器、覆盖上述晶体生长用容器的周围的绝热件、对上述晶体生长用容器进行加热的加热器、以及以悬空状态保持上述晶体生长用容器的保持构件。

    SiC单晶制造装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111058094A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201910972545.1

    申请日:2019-10-14

    Inventor: 歌代智也

    Abstract: 本公开提供一种晶体生长用容器内的温度分布的均匀性高的SiC单晶制造装置。SiC单晶制造装置具备:容纳SiC原料的晶体生长用容器、覆盖上述晶体生长用容器的周围的绝热件、对上述晶体生长用容器进行加热的加热器、以及以悬空状态保持上述晶体生长用容器的保持构件。

    气体配管系统、化学气相生长装置、成膜方法和SiC外延晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN109314048A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780038036.0

    申请日:2017-06-12

    Abstract: 该气体配管系统是向在内部进行气相生长的反应炉供给多种气体的运行放气方式的气体配管系统,其具备:将上述多种气体分别送入的多条供给管线,从上述反应炉的排气口向排气泵连接的排气管线,具备从上述多条供给管线分别分支、并向上述反应炉供给上述多种气体的1个或多个配管的运行管线,从上述多条供给管线分别分支、并与上述排气管线连接的多条放气管线,以及分别设置在上述多条供给管线的分支点、并将向运行管线侧流通气体或向放气管线侧流通气体进行切换的多个阀;上述多条放气管线被分离直到达到上述排气管线,上述排气管线的内径大于上述多条放气管线各自的内径。

    成膜装置、载体和制造成膜基板的方法

    公开(公告)号:CN104746032A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201410150985.6

    申请日:2014-04-15

    Inventor: 歌代智也

    Abstract: 本发明涉及成膜装置、载体和制造成膜基板的方法。在抑制在输送载体过程中产生的载体振动的同时稳定地输送载体。由于第一杆状构件(310)的从下方支撑载体(25)的第一支撑面(7X)相对于水平方向倾斜45°,因此,作用于水平方向上的第一水平方向负载(7B)施加于载体(25)。此外,由于第二杆状构件(320)的从下方支撑载体(25)的第二支撑面(7Y)相对于水平方向倾斜45°,因此,作用于水平方向上的第二水平方向负载(7C)施加于载体(25)。在这种情况下,载体(25)通过第一水平方向负载(7B)压抵第二杆状构件(320),且通过第二水平方向负载(7C)压抵第一杆状构件(310)。因此,抑制了载体(25)在其厚度方向上的振动。

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