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公开(公告)号：CN105324824B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201480035180.5
申请日：2014-06-13
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0525 , H01G9/0029 , H01G9/042 , H01G9/052
Abstract: 通过如下的制造方法得到电容器的阳极体，该制造方法包括：使线材植入含有钨粉和高氧亲和性金属粉的混合粉并将该混合粉成形，将该成形体焙烧而得到烧结体；前述高氧亲和性金属为具有高于钨的氧亲和性的金属；以烧结体中的高氧亲和性金属相对于钨成为0.1～3质量％的方式调节混合粉中的高氧亲和性金属粉的量；前述线材由钽或铌形成。使用该阳极体而得到电解电容器。
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公开(公告)号：CN105828981B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201480069457.6
申请日：2014-10-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/042 , B22F1/02 , B22F9/04 , B22F2009/041 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/045 , H01G9/052 , H01G9/0525 , H01G9/15 , B22F2207/01 , B22F9/082 , B22F1/0003 , B22F1/0088 , B22F3/02 , B22F3/1007
Abstract: 本发明提供一种漏电流(LC)性能良好的电解电容器用的钨粉，其仅在粒子表面区域中具有锗元素，锗元素的含量为0.05～7质量％。优选的是，钨粉的体积平均一次粒径为0.1～1μm，锗元素局部存在于从其粒子表面到向粒子内部深入50nm的位置的区域中，仅在粒子表面区域中具有硅化钨、碳化钨、硼化钨、固溶有氮的钨中的至少一种，磷元素的含量为1～500质量ppm，氧含量为0.05～8质量％。
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公开(公告)号：CN104205270B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380017330.5
申请日：2013-05-17
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/042 , B22F3/10 , B22F5/00 , H01G9/0032 , H01G9/0036 , H01G9/052 , H01G9/0525 , H01G9/15
Abstract: 本发明提供一种电容器的阳极体，由钨粉与三氧化钨粉的混合粉烧结而成的烧结体构成，所述三氧化钨粉相对于所述钨粉与所述三氧化钨粉的合计量的比例为1～13质量％。根据本发明，能够减少在电介质层上进行多次半导体前驱物的聚合的半导体层的形成次数，因此能够高效地制造在形成于钨烧结体的细孔内层与外表层的电介质层上，形成了由导电性高分子构成的半导体层的固体电解电容器元件。
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公开(公告)号：CN102667988B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201080058716.7
申请日：2010-12-08
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0032 , H01G13/00 , Y10T29/43
Abstract: 本发明提供一种电容器元件制造用反应容器，其能够将容器的各个室（区划）中的液面调整为同一高度，并且也能够进行各个室中的电解液的均一化的调整，对于多个导电体可以将其形成范围维持为一定地稳定地形成均一的电介质层和/或均一的半导体层。本发明涉及的电容器元件制造用反应容器（1）具备：在其中收容电解液（19）的容器（2）、可以将所述容器（2）内分隔成多个个室（9）的区划框体（3）、分别个别地配置于所述各个室（9）的阴极体（6）、和与所述阴极体（6）电连接的恒流源（7），并开闭自如地设置有在所述个室（9）与和该个室相邻的个室之中的至少1个个室（9）之间能够进行电解液（19）的移动的通路（8）。
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公开(公告)号：CN101479819B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200780024193.2
申请日：2007-06-15
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 内藤一美
Abstract: 在由具有阀作用的金属材料或导电性氧化物形成的阳极体的表面，形成电介质层、固体电解质层，接着，层叠导电性碳膏以及含有金属导电性粉末和重均分子量为60000以下的丙烯酸系树脂的导电性金属膏，形成导电体层，得到固体电解电容器元件，将该固体电解电容器元件进行树脂封装，得到即使受到钎焊时的热应力，等效串联电阻(ESR)也不上升、漏电流也不上升的大容量的固体电解电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101147219B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200680009604.6
申请日：2006-03-23
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 内藤一美
CPC classification number: H01G9/0029 , H01G9/012 , H01G9/042 , H01G13/006 , Y10T29/417
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种用于高效、廉价且均匀地制造ESR值良好的固体电解电容器的制造装置以及制造方法。本发明的固体电解电容器的制造装置，该制造装置，将多个固体电解电容器用导电体固定在电容器制造用夹具上，将所述夹具移送到处理液槽上，将导电体顺次浸渍在处理液中并通电，由此在导电体上形成电介质层以及半导体层，其特征在于，在电容器制造用夹具上设置用于对从所述导电体引出的引线的端部进行固定的多个插座，通过机械手装置将所述引线的端部插入并固定在所述插座中。
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公开(公告)号：CN101510468A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910126633.6
申请日：2002-04-10
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种铌电容器的制备方法，包括在铌烧结体表面形成氧化物膜，在氧化物膜上形成有机半导体层，在有机半导体层上形成导电层，和外壳成型的步骤，其中将表面形成有氧化物膜、氧化物膜上形成有有机半导体层且在有机半导体层上形成有导电层的烧结体在用树脂进行外壳成型之前置于100至300℃中处理。
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公开(公告)号：CN100487838C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN02824689.6
申请日：2002-12-10
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及作为合金组分含有0.01至10原子%的至少一种选自元素周期表第2到16族元素的元素、并且还含有0.1至70质量%的一氮化二铌结晶的用于电容器的铌合金、其中铌合金粉末的平均颗粒度为0.05到5μm并且BET比表面积为0.5到40m2/g，平均颗粒度为10到500μm的铌颗粒状产品，铌合金粉末或其颗粒状产品的烧结体，是用烧结体的电容器及其制造方法。使用本发明的铌合金粉末或其颗粒状产品的铌电容器具有高容量和低泄漏电流，并具有优异的高温特性和耐热特性。
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公开(公告)号：CN100440400C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN01818013.2
申请日：2001-10-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 平均粒径为0.01-0.5μm、平均圆度为0.8或更高的铌初始粉，圆度用4πA/L2定义(其中A为在平面上的实心投影面积，L为投影图的外周边长度)；平均粒径为0.03-20μm的铌一次聚结粉，它是铌初始粉的聚结；平均粒径为50-150μm的铌二次聚结粉，它通过粒化一次聚结粉获得；铌一次聚结粉或铌二次聚结粉的烧结体；以及使用这种烧结体的电容器。通过采用铌一次聚结粉或铌二次聚结粉的烧结体，可制造具有大的单位体积电容和良好的耐电压特性的电容器。
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公开(公告)号：CN100383900C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN02801681.5
申请日：2002-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供(1)由式：NbOx(x＝0.8～1.2)表示，并可含有50～200，000ppm的其他元素，振实密度为0.5～2.5g/ml，平均粒径为10～1000μm，休止角为10～60度，BET比表面积为0.5～40m2/g，孔径分布具有多个孔径峰值的电容器用一氧化铌粉及其制造方法；(2)烧结上述一氧化铌粉得到的，在0.01μm～500μm范围内具有多个孔径峰值，优选在多个孔径峰值内，相对强度最大的两个峰的峰值分别处于0.2～0.7μm及0.7～3μm范围，相对强度最大的峰的峰值比相对强度其次大的峰的峰值处于大直径侧的一氧化铌粉及其制造方法；(3)使用上述烧结体的电容器及其制造方法；(4)使用上述电容器的电子电路及电子仪器。
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