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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101510468B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200910126633.6
申请日：2002-04-10
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种铌电容器的制备方法，包括在铌烧结体表面形成氧化物膜，在氧化物膜上形成有机半导体层，在有机半导体层上形成导电层，和外壳成型的步骤，其中将表面形成有氧化物膜、氧化物膜上形成有有机半导体层且在有机半导体层上形成有导电层的烧结体在用树脂进行外壳成型之前置于100至300℃中处理。
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公开(公告)号：CN101203925A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680022115.4
申请日：2006-06-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及在阀作用金属上形成的介电膜上包含在聚合物链之间具有交联的自掺杂型导电聚合物层的固体电解电容器。本发明能够稳定地制造适用于叠置型固体电解电容器的薄电容器元件，其表现出更少的短路故障和更低的元件形状波动，这能够增加固体电解电容器芯片中的叠置元件的数量以制造具有高电容并具有更低的等效串联电阻波动的电容器。
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公开(公告)号：CN101536127A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780034878.5
申请日：2007-09-21
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/15 , H01G9/0032 , H01G9/0036 , H01G9/07 , Y10T29/417
Abstract: 一种固体电解电容器，在表面具有多孔质层的固体电解电容器用基材的分隔阳极部区域和阴极部区域的区域具有多层叠层形成的掩蔽层，其特征在于，该叠层形成的掩蔽层中的、直接在所述固体电解电容器用基材上叠层形成的第1掩蔽层是由耐热性树脂或其前体的溶液或分散液形成的，所述耐热性树脂或其前体的溶液或分散液不含有掩蔽层改性用添加剂、或该掩蔽层改性用添加剂的含量基于耐热性树脂或其前体的质量为0.1质量％以下，所述掩蔽层改性用添加剂不包括硅烷偶合剂。根据本发明，提供了由能够切实地将固体电解电容器的阳极部和阴极部绝缘的掩蔽剂形成掩蔽层的固体电解电容器用基材、和使用它的电容器、及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101510468A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910126633.6
申请日：2002-04-10
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种铌电容器的制备方法，包括在铌烧结体表面形成氧化物膜，在氧化物膜上形成有机半导体层，在有机半导体层上形成导电层，和外壳成型的步骤，其中将表面形成有氧化物膜、氧化物膜上形成有有机半导体层且在有机半导体层上形成有导电层的烧结体在用树脂进行外壳成型之前置于100至300℃中处理。
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