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公开(公告)号：CN1538391A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031901.3
申请日：2004-03-31
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 公开了一种垂直磁记录介质(10)，包括非磁性基板(1)、包括具有39.5kA/m或更小的垂直矫顽力的铁磁底层(2)和具有50到150emu/cc的饱和磁化Ms的弱磁性底层(3)的多层底层(4)以及垂直磁记录层(5)。
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公开(公告)号：CN102027539B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980117004.5
申请日：2009-05-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/851
Abstract: 本发明提供使用同一个在线式装置进行介质的制造，由此能够减少处理造成的污染、提高生产率的磁记录介质的制造方法。该磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次地具有：将至少层叠有记录磁性层和用于将所述记录磁性层图案化的掩模层的非磁性基板装载于运载器的装载工序；通过对所述记录磁性层之中的没有被所述掩模层覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理而将磁特性改性，形成由残存的磁性体构成的磁记录图案的改性工序；除去所述掩模层的除去工序；在所述记录磁性层上形成保护膜的保护膜形成工序；以及，从所述运载器卸下所述非磁性基板的卸下工序。将所述改性工序、所述除去工序或所述保护膜形成工序中的任一个以上的工序分成多个室而连续处理。
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公开(公告)号：CN101971254A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108426.6
申请日：2009-01-09
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 公开了一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法。该方法包括：在非磁性基底上形成磁性层的步骤，该磁性层包含0.5原子％到6原子％的氧化物；以及将所述磁性层中的将要彼此磁性地分离的区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤。所述磁性层优选具有非颗粒状结构且是面内取向型磁性层。优选地，在将所述区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤之后，至少进行将惰性气体施加到已经暴露到所述反应等离子体或所述反应离子的所述区域中的表面。该方法可以以高生产率制造这样的磁记录介质，该磁记录介质包括高度精确的磁记录图形并具有高电磁转换特性和高记录密度。
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公开(公告)号：CN101960518A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106506.8
申请日：2009-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供能够效率良好地可靠地除去磁记录介质的表面的异物、不会残留残存于该磁记录介质的表面的掩模层、磁性层的图案形成的生产率高的磁记录介质的制造方法。这样的磁记录介质的制造方法，具有：在非磁性基板上至少形成磁性层的工序；在磁性层上形成掩模层的工序；对掩模层进行图案化而形成掩模图案的工序；使用掩模图案在磁性层上形成磁记录图案的工序；采用研磨材料对掩模图案的表面进行抛光的工序；和除去掩模图案的工序。
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公开(公告)号：CN101971254B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200980108426.6
申请日：2009-01-09
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 公开了一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法。该方法包括：在非磁性基底上形成磁性层的步骤，该磁性层包含0.5原子％到6原子％的氧化物；以及将所述磁性层中的将要彼此磁性地分离的区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤。所述磁性层优选具有非颗粒状结构且是面内取向型磁性层。优选地，在将所述区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤之后，至少进行将惰性气体施加到已经暴露到所述反应等离子体或所述反应离子的所述区域中的表面。该方法可以以高生产率制造这样的磁记录介质，该磁记录介质包括高度精确的磁记录图形并具有高电磁转换特性和高记录密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101960517A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880127437.4
申请日：2008-12-24
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供了一种制造磁记录介质的方法，所述磁记录介质具有在非磁性基底的至少一个表面上形成的磁性分离的磁记录图形，所述方法包括通过使形成在所述非磁性基底上的磁性层的一部分与臭氧反应并由此改变所述磁性层的该区域的磁特性而形成所述磁性分离的磁记录图形的步骤。所述磁性层还可以具有两层结构，在该两层结构中，具有非颗粒状结构的磁性层形成在具有颗粒状结构的磁性层上。该制造方法可以高效地制造其记录密度大幅提高的磁记录介质，同时保持等于或优于常规磁记录介质的记录和再现特性。
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公开(公告)号：CN1276412C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410031901.3
申请日：2004-03-31
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 公开了一种垂直磁记录介质(10)，包括非磁性基板(1)、包括具有39.5kA/m或更小的垂直矫顽力的铁磁底层(2)和具有50到150emu/cc的饱和磁化Ms的弱磁性底层(3)的多层底层(4)以及垂直磁记录层(5)。
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公开(公告)号：CN1725304A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510081819.6
申请日：2005-06-30
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/1278 , G11B5/656 , G11B2005/0005
Abstract: 一种包含垂直双层介质和磁头的垂直磁记录装置，其中垂直双层介质包括基底(1)、包含软磁性层(3a)、中间层(4)和另一个软磁性层(3b)的软垫层(2)、以及垂直记录层(5)，其中两个软磁性层(3a，3b)彼此反铁磁性耦合；磁头包括主磁极(51)、旁轭(52)、以及激励线圈(53)。当低频信号通过所述的磁头记录到所述的垂直记录层(5)的时候，包含在所述软垫层(2)中的两个所述的软磁性层(3a，3b)之间的反铁磁性耦合力Hex_afc与在联络测线方向上的MWW最大值一半处的整个宽度之间的关系满足下列公式：Hex_afc＞1.6*ln((0.23－MWW)2*100))+25.6。
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公开(公告)号：CN101960517B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200880127437.4
申请日：2008-12-24
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供了一种制造磁记录介质的方法，所述磁记录介质具有在非磁性基底的至少一个表面上形成的磁性分离的磁记录图形，所述方法包括通过使形成在所述非磁性基底上的磁性层的一部分与臭氧反应并由此改变所述磁性层的该区域的磁特性而形成所述磁性分离的磁记录图形的步骤。所述磁性层还可以具有两层结构，在该两层结构中，具有非颗粒状结构的磁性层形成在具有颗粒状结构的磁性层上。该制造方法可以高效地制造其记录密度大幅提高的磁记录介质，同时保持等于或优于常规磁记录介质的记录和再现特性。
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公开(公告)号：CN101809658A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109314.8
申请日：2008-07-24
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/865 , Y10T29/49025 , Y10T29/4903 , Y10T29/49032
Abstract: 本发明提供一种制造具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的方法，该方法的特征在于，包括按以下的(1)～(3)的顺序进行实施的3个工序：(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序；(2)除去将磁性层磁分离的区域的磁性层表层部分的工序；(3)将通过除去该磁性层表层部分而露出的磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，降低该磁性层区域的矫顽力和残余磁化，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。根据该方法能够高生产率地制造具有增大的记录密度并且消除了磁记录时溢写的磁记录介质。
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