公开(公告)号：CN106842760B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201710134608.7

申请日：2017-03-08

Applicant: 暨南大学

Inventor： 卢惠辉 ,  何冬辉 ,  陈哲 ,  王媛 ,  余健辉 ,  关贺元 ,  罗云瀚 ,  丘文涛 ,  董江莉

IPC: G02F1/313 ,  G02B6/134

Abstract: 本专利涉及电光调制器件的技术领域，公开了一种用阵列电极进行光束偏转的铌酸锂波导，由上而下依次为阵列电极、缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、绝缘层、金属电极和衬底，所述阵列电极由形状为平行四边形的微结构电极单元组成，所述单晶铌酸锂薄膜中间包裹有条状的质子交换铌酸锂波导，设置在缓冲层下方并正对阵列电极。本专利制造工艺简单，且损耗低、稳定性强，兼顾器件的高速调制特性和电光效应引起折射率变化的有效性，能够通过电光效应达到光模式偏转和光模场调控目的。

公开(公告)号：CN106842760A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710134608.7

申请日：2017-03-08

Applicant: 暨南大学

Inventor： 卢惠辉 ,  何冬辉 ,  陈哲 ,  王媛 ,  余健辉 ,  关贺元 ,  罗云瀚 ,  丘文涛 ,  董江莉

IPC: G02F1/313 ,  G02B6/134

Abstract: 本发明涉及电光调制器件的技术领域，公开了一种用阵列电极进行光束偏转的铌酸锂波导，由上而下依次为阵列电极、缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、绝缘层、金属电极和衬底，所述阵列电极由形状为平行四边形的微结构电极单元组成，所述单晶铌酸锂薄膜中间包裹有条状的质子交换铌酸锂波导，设置在缓冲层下方并正对阵列电极。本发明制造工艺简单，且损耗低、稳定性强，兼顾器件的高速调制特性和电光效应引起折射率变化的有效性，能够通过电光效应达到光模式偏转和光模场调控目的。