公开(公告)号：CN1610246A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410085075.0

申请日：2004-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦润一 ,  上西荣一 ,  藤田典之

IPC: H03B5/32

CPC classification number: H03B5/32 ,  H03B2201/0266 ,  H03J2200/10

Abstract: 提供一种电压控制可变电容器，其可以在宽控制电压范围内改变其电容值，并容易地以高精度控制该电容值而不使其电路结构复杂化，以及，提供一种电压控制可变电容器，其可以以良好的线性改变其电容值。电压控制可变电抗器以这样的方式配置：可变电抗器VCk并联，其每一个由固定电容器Ck(k＝1，2，...，n)和N沟道型MOS晶体管Mk的串联形成。MOS晶体管M1至Mn以这样的方式配置：栅极宽度W相同，但是顺次延长栅极长度L1至Ln(即，L1＜L2＜...＜Ln)，使得其阈值电压彼此区分开。

公开(公告)号：CN1523750A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410005275.0

申请日：2004-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 新宫圭悟 ,  上西荣一 ,  竹内久人

IPC: H03B5/04

CPC classification number: H03L1/022 ,  H03L1/028

Abstract: 本发明涉及函数发生电路及温度补偿型晶体振荡器。级联第1、第2及第3电流变换电路(510、520、530)，向第1电流变换电路(510)输入与环境温度(Ta)和基准温度(Tr)之差成正比的电流(It2)。第1电流变换电路(510)将与Ta－Tr的2次方成正比的电流供给第2电流变换电路(520)，第2电流变换电路(520)将与Ta－Tr的4次方成正比的电流供给第3电流变换电路(530)，第3电流变换电路(530)输出与Ta－Tr的5次方成正比的电流(It5)。第1、第2及第3电流变换电路(510、520、530)中的任何一个，都不需要具有能够驱动3个以上的二极管的串联电路的那么高的电源电压的结构。从而可以提供温度补偿型晶体振荡器用的以低电压动作的函数发生电路。

公开(公告)号：CN100417013C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200410085075.0

申请日：2004-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦润一 ,  上西荣一 ,  藤田典之

IPC: H03B5/32

CPC classification number: H03B5/32 ,  H03B2201/0266 ,  H03J2200/10

Abstract: 本发明提供一种电压控制可变电容器，其可以在宽控制电压范围内改变其电容值，并容易地以高精度控制该电容值而不使其电路结构复杂化，以及，提供一种电压控制可变电容器，其可以以良好的线性改变其电容值。电压控制可变电抗器以这样的方式配置：可变电抗器VCk并联，其每一个由固定电容器Ck(k＝1，2，...，n)和N沟道型MOS晶体管Mk的串联形成。MOS晶体管M1至Mn以这样的方式配置：栅极宽度W相同，但是顺次延长栅极长度L1至Ln(即，L1＜L2＜…＜Ln)，使得其阈值电压彼此区分开。