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公开(公告)号：CN1667943A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200410094231.X
申请日：2004-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 松浦润一
IPC: H03B5/32
Abstract: 函数产生电路包括：用于输出具有线性温度特性的输出电流(Ilin)或具有线性温度特性的输出电压(Vlin)的温度传感器1，用于接收传感器1的输出电流(Ilin)或输出电压(Vlin)来作为输入并产生三次温度特性电压(Vcub)的三次函数产生电路2，以及用于记录控制数据来控制三次函数产生电路2的输出特性的控制数据存储电路3，在该函数产生电路中，从外部控制终端4将外部控制信号提供给温度传感器1，以使该传感器可变地输出输出电流(Ilin)或输出电压(Vlin)，从而可以在通常温度下控制三次函数产生电路2的温度特性。
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公开(公告)号：CN1610246A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410085075.0
申请日：2004-10-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/32 , H03B2201/0266 , H03J2200/10
Abstract: 提供一种电压控制可变电容器，其可以在宽控制电压范围内改变其电容值，并容易地以高精度控制该电容值而不使其电路结构复杂化，以及，提供一种电压控制可变电容器，其可以以良好的线性改变其电容值。电压控制可变电抗器以这样的方式配置：可变电抗器VCk并联，其每一个由固定电容器Ck(k＝1，2，...，n)和N沟道型MOS晶体管Mk的串联形成。MOS晶体管M1至Mn以这样的方式配置：栅极宽度W相同，但是顺次延长栅极长度L1至Ln(即，L1＜L2＜...＜Ln)，使得其阈值电压彼此区分开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1261993A
公开(公告)日：2000-08-02
申请号：CN98806935.0
申请日：1998-07-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06G7/26 , H03B5/362 , H03B5/368 , H03B2201/0208 , H03L1/022 , H03L1/025 , H03L1/026 , H03L1/028
Abstract: 一种带温度补偿功能的晶体振荡装置包括输出不依赖于环境温度的给定电压的定电压电路(12)、输出和环境温度成比例的电压的温度传感器电路(13)、接受来自定电压电路(12)的定电压输出和来自温度传感器电路(13)的和温度成比例的电压输出、在环境温度区域的整个区域将为补偿晶振的温度特性的负的3次曲线采用连续的直线进行折线近似的产生控制电压(Vc)的控制电路(14)。还包括由控制电压Vc将振荡频率控制在给定值的VCXO(15)、对于控制电路输出的控制电压Vc,为将VCXO(15)输出的振荡频率最优化保存补偿该控制电压Vc的温度特性的温度补偿用参数的ROM/RAM电路(16)。
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公开(公告)号：CN1812252A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610004546.X
申请日：2006-01-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 松浦润一
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/366 , H03B2201/0208
Abstract: 使用振荡电路的包括负荷电容器的可变电容器和在MOS晶体管4和5的漏极端子和栅极端子之间产生的静态电容在晶体振荡器3的一端和另一端之间形成DC截断电容器9、10和可变电容器(MOS晶体管)4和5的串联，所述振荡电路具有反馈电阻器1、反相器2和晶体振荡器3，在MOS晶体管4和5中，源极和后栅极端子彼此短路。例如，MOS晶体管4和5的门限电压控制信号通过高频消除电阻器11、12而被输入到漏极端子，并且通过高频消除电阻器7、8而被输入到源极－后栅极端子。另外，通过叠加MOS晶体管4和5的温度特性补偿信号和门限电压控制信号而获得的信号被输入到栅极端子。因此，有可能无区别地确定温度补偿控制电路或外部电压频率控制电路的输出偏压。
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公开(公告)号：CN1237706C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN98806935.0
申请日：1998-07-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06G7/26 , H03B5/362 , H03B5/368 , H03B2201/0208 , H03L1/022 , H03L1/025 , H03L1/026 , H03L1/028
Abstract: 一种带温度补偿功能的晶体振荡装置包括输出不依赖于环境温度的给定电压的定电压电路(12)、输出和环境温度成比例的电压的温度传感器电路(13)、接受来自定电压电路(12)的定电压输出和来自温度传感器电路(13)的和温度成比例的电压输出、在环境温度区域的整个区域将为补偿晶振的温度特性的负的3次曲线采用连续的直线进行折线近似的产生控制电压(Vc)的控制电路(14)。还包括由控制电压Vc将振荡频率控制在给定值的VCXO(15)、对于控制电路输出的控制电压Vc，为将VCXO(15)输出的振荡频率最优化保存补偿该控制电压Vc的温度特性的温度补偿用参数的ROM/RAM电路(16)。
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公开(公告)号：CN1812252B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610004546.X
申请日：2006-01-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 松浦润一
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/366 , H03B2201/0208
Abstract: 使用振荡电路的包括负荷电容器的可变电容器和在MOS晶体管4和5的漏极端子和栅极端子之间产生的静态电容在晶体振荡器3的一端和另一端之间形成DC截断电容器9、10和可变电容器(MOS晶体管)4和5的串联，所述振荡电路具有反馈电阻器1、反相器2和晶体振荡器3，在MOS晶体管4和5中，源极和后栅极端子彼此短路。例如，MOS晶体管4和5的门限电压控制信号通过高频消除电阻器11、12而被输入到漏极端子，并且通过高频消除电阻器7、8而被输入到源极-后栅极端子。另外，通过叠加MOS晶体管4和5的温度特性补偿信号和门限电压控制信号而获得的信号被输入到栅极端子。因此，有可能无区别地确定温度补偿控制电路或外部电压频率控制电路的输出偏压。
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公开(公告)号：CN100417013C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200410085075.0
申请日：2004-10-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/32 , H03B2201/0266 , H03J2200/10
Abstract: 本发明提供一种电压控制可变电容器，其可以在宽控制电压范围内改变其电容值，并容易地以高精度控制该电容值而不使其电路结构复杂化，以及，提供一种电压控制可变电容器，其可以以良好的线性改变其电容值。电压控制可变电抗器以这样的方式配置：可变电抗器VCk并联，其每一个由固定电容器Ck(k＝1，2，...，n)和N沟道型MOS晶体管Mk的串联形成。MOS晶体管M1至Mn以这样的方式配置：栅极宽度W相同，但是顺次延长栅极长度L1至Ln(即，L1＜L2＜…＜Ln)，使得其阈值电压彼此区分开。
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