公开(公告)号：CN1519861A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410001442.4

申请日：2004-01-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 角谷范彦 ,  法邑茂夫 ,  中井洋次 ,  金原旭成 ,  辻村和树

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C11/419

Abstract: 本发明涉及半导体存储器，提供了即使是存取晶体管和激励晶体管的栅极幅度相等的场合也稳定地动作的半导体存储装置。当在位线对31、32之间设置空位线33，将位线对31、32设定为电源电压，将空位线33设定为接地电压之后，对它们进行均衡。在以后的读出中，当激活字线30时，由于位线对31、32是已变成比电源电压低的中间电位的状态，因此存储晶体管11、21的电流驱动能力在外观上下降，存储单元10的静态噪声容限变大。

公开(公告)号：CN102834869A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180017622.X

申请日：2011-04-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小池刚 ,  中井洋次

IPC: G11C11/419 ,  G11C11/401 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/41 ,  G11C11/417

CPC classification number: G11C7/18 ,  G11C7/12 ,  G11C11/413 ,  G11C2207/002

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置。晶体管(TP0)具有与电源节点连接的源极、与局部位线(104)连接的漏极、以及与写入全局位线(107)连接的栅极。晶体管(TP1)具有与电源节点连接的源极、与局部位线(105)连接的漏极、以及与写入全局位线(106)连接的栅极。晶体管(TN0)具有与写入全局位线(106)连接的源极、与局部位线(104)连接的漏极、以及被提供控制信号(PASS )的栅极。晶体管(TN1)具有与写入全局位线(107)连接的源极、与局部位线(105)连接的漏极、以及被提供控制信号(PASS )的栅极。读出电路(112)与局部位线(104、105)和读出全局位线(108、109)连接。

公开(公告)号：CN100356478C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200410001442.4

申请日：2004-01-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 角谷范彦 ,  法邑茂夫 ,  中井洋次 ,  金原旭成 ,  辻村和树

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C11/419

Abstract: 本发明涉及半导体存储器，提供了即使是存取晶体管和激励晶体管的栅极幅度相等的场合也稳定地动作的半导体存储装置。当在位线对31、32之间设置空位线33，将位线对31、32设定为电源电压，将空位线33设定为接地电压之后，对它们进行均衡。在以后的读出中，当激活字线30时，由于位线对31、32是已变成比电源电压低的中间电位的状态，因此存储晶体管11、21的电流驱动能力在外观上下降，存储单元10的静态噪声容限变大。