公开(公告)号：CN1056459C

公开(公告)日：2000-09-13

申请号：CN96190234.5

申请日：1996-03-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 服部章良 ,  堀喜博 ,  池田正树 ,  吉田昭彦 ,  进藤泰宏 ,  五十岚幸造

IPC: H01C7/00

CPC classification number: H01C7/06 ,  H01C17/06533

Abstract: 本发明的金属氧化物薄膜电阻器，具备：有绝缘性的基体材料、至少由电阻温度系数显示正值的金属氧化物薄膜和/或其电阻温度系数显示负值的金属氧化物薄膜构成的金属氧化物电阻薄膜及/或金属氧化物绝缘薄膜；是一种不受水分的影响，也不受绝缘基体材料中的碱离子的影响，膜本身的电阻值不变，可靠性高的电阻器。

公开(公告)号：CN1148902A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：CN96190234.5

申请日：1996-03-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 服部章良 ,  堀喜博 ,  池田正树 ,  吉田昭彦 ,  进藤泰宏 ,  五十岚幸造

IPC: H01C7/00

CPC classification number: H01C7/06 ,  H01C17/06533

Abstract: 本发明的金属氧化物薄膜电阻器，具备：有绝缘性的基体材料、至少由电阻温度系数显示正值的金属氧化物薄膜和/或其电阻温度系数显示负值的金属氧化物薄膜构成的金属氧化物电阻薄膜及/或金属氧化物绝缘薄膜；是一种不受水分的影响，也不受绝缘基体材料中的碱离子的影响，膜本身的电阻值不变，可靠性高的电阻器。