公开(公告)号：CN1498395A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03800114.4

申请日：2003-01-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 池田正树 ,  伊藤博之

IPC: G09G5/36

CPC classification number: G09G5/14 ,  G09G5/393 ,  G09G5/397 ,  G09G2310/04 ,  G09G2320/103 ,  G09G2340/12

Abstract: 一种图像合成装置和图像合成方法，其占用更少总线、高性能、低功耗地合成图像。图像数据存储器(100)产生指示图像数据已经被更新的更新历史信息。合成器(110)根据所述更新历史信息仅读出被更新的图像数据，以产生合成图像更新数据。显示控制信息发生器(120)产生包含透明数据和不透明数据的显示控制信息，该透明数据和不透明数据分别表示所述合成图像更新数据的透明部分和不透明部分。写入器(150)将所述合成图像更新数据写入到合成图像存储器(160)。然后，写入器(150)发送对应于显示控制信息的透明数据的部分，但是不发送对应于不透明数据的部分，以便用合成图像更新数据覆盖先前生成的合成图像。

公开(公告)号：CN1056459C

公开(公告)日：2000-09-13

申请号：CN96190234.5

申请日：1996-03-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 服部章良 ,  堀喜博 ,  池田正树 ,  吉田昭彦 ,  进藤泰宏 ,  五十岚幸造

IPC: H01C7/00

CPC classification number: H01C7/06 ,  H01C17/06533

Abstract: 本发明的金属氧化物薄膜电阻器，具备：有绝缘性的基体材料、至少由电阻温度系数显示正值的金属氧化物薄膜和/或其电阻温度系数显示负值的金属氧化物薄膜构成的金属氧化物电阻薄膜及/或金属氧化物绝缘薄膜；是一种不受水分的影响，也不受绝缘基体材料中的碱离子的影响，膜本身的电阻值不变，可靠性高的电阻器。

公开(公告)号：CN1148902A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：CN96190234.5

申请日：1996-03-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 服部章良 ,  堀喜博 ,  池田正树 ,  吉田昭彦 ,  进藤泰宏 ,  五十岚幸造

IPC: H01C7/00

CPC classification number: H01C7/06 ,  H01C17/06533

Abstract: 本发明的金属氧化物薄膜电阻器，具备：有绝缘性的基体材料、至少由电阻温度系数显示正值的金属氧化物薄膜和/或其电阻温度系数显示负值的金属氧化物薄膜构成的金属氧化物电阻薄膜及/或金属氧化物绝缘薄膜；是一种不受水分的影响，也不受绝缘基体材料中的碱离子的影响，膜本身的电阻值不变，可靠性高的电阻器。