公开(公告)号：CN100495700C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200510067312.5

申请日：2005-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 今桥学 ,  小仓弘义 ,  绳手优克

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体装置中，抑制浪涌保护二极管的元件面积的增大和控制电路等的误动作。具有在第1导电型半导体区域上形成的输出焊盘的半导体装置的浪涌吸收部，备有：第2导电型岛状半导体区域；在第2导电型岛状半导体区域的底部和第1导电型半导体区域之间形成的第2导电型埋入层；在第2导电型岛状半导体区域上形成的且与第1导电型半导体区域同电位连接的第1导电型杂质层；在第1导电型杂质层上形成且与输出焊盘电气连接的第2导电型杂质层；包围第1导电型杂质层且到达第2导电型埋入层的环状第2导电型层。其中环状第2导电型层与规定的电位连接并且包含比第2导电型岛状半导体区域浓度高的第2导电型杂质。

公开(公告)号：CN1684257A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510067312.5

申请日：2005-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 今桥学 ,  小仓弘义 ,  绳手优克

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体装置中，抑制浪涌保护二极管的元件面积的增大和控制电路等的误动作。具有在第1导电型半导体区域上形成的输出焊盘的半导体装置的浪涌吸收部，备有：第2导电型岛状半导体区域；在第2导电型岛状半导体区域的底部和第1导电型半导体区域之间形成的第2导电型埋入层；在第2导电型岛状半导体区域上形成的且与第1导电型半导体区域同电位连接的第1导电型杂质层；在第1导电型杂质层上形成且与输出焊盘电气连接的第2导电型杂质层；包围第1导电型杂质层且到达第2导电型埋入层的环状第2导电型层。其中环状第2导电型层与规定的电位连接并且包含比第2导电型岛状半导体区域浓度高的第2导电型杂质。