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公开(公告)号：CN101548347A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000859.5
申请日：2008-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种防静电部件及其制造方法，其中，使用电阻率较小的材料将设置在氧化铝基板(1)的上表面的一对第一电极(2)构成为膜厚较厚的状态，且将位于上述一对第一电极(2)之间的、由熔点较高的材料构成的第二电极(3)设置为膜厚较薄的状态，并且在该第二电极(3)上形成间隙(4)。能够使构成引出电极的第一电极(2)的发热以及损坏减少，且能够较窄且高精度地形成第二电极(3)的间隙宽度。由此，提供一种对静电的反复施加具有耐受性且防静电部件承受的峰值电压较低、静电放电抑制特性稳定的防静电部件。
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公开(公告)号：CN100495700C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510067312.5
申请日：2005-04-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体装置中，抑制浪涌保护二极管的元件面积的增大和控制电路等的误动作。具有在第1导电型半导体区域上形成的输出焊盘的半导体装置的浪涌吸收部，备有：第2导电型岛状半导体区域；在第2导电型岛状半导体区域的底部和第1导电型半导体区域之间形成的第2导电型埋入层；在第2导电型岛状半导体区域上形成的且与第1导电型半导体区域同电位连接的第1导电型杂质层；在第1导电型杂质层上形成且与输出焊盘电气连接的第2导电型杂质层；包围第1导电型杂质层且到达第2导电型埋入层的环状第2导电型层。其中环状第2导电型层与规定的电位连接并且包含比第2导电型岛状半导体区域浓度高的第2导电型杂质。
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公开(公告)号：CN1684257A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510067312.5
申请日：2005-04-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体装置中，抑制浪涌保护二极管的元件面积的增大和控制电路等的误动作。具有在第1导电型半导体区域上形成的输出焊盘的半导体装置的浪涌吸收部，备有：第2导电型岛状半导体区域；在第2导电型岛状半导体区域的底部和第1导电型半导体区域之间形成的第2导电型埋入层；在第2导电型岛状半导体区域上形成的且与第1导电型半导体区域同电位连接的第1导电型杂质层；在第1导电型杂质层上形成且与输出焊盘电气连接的第2导电型杂质层；包围第1导电型杂质层且到达第2导电型埋入层的环状第2导电型层。其中环状第2导电型层与规定的电位连接并且包含比第2导电型岛状半导体区域浓度高的第2导电型杂质。
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公开(公告)号：CN203931711U
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201420322855.1
申请日：2014-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本实用新型的目的在于提供一种能提高Scd21特性的共模噪声滤波器。本实用新型的共模噪声滤波器交替配置构成第一线圈(14)的第一、第二线圈导体(16、17)和构成第二线圈(15)的第三、第四线圈导体(18、19)，进一步，第一线圈导体(16)和第三线圈导体(18)磁气结合而形成第一共模滤波器部(20)，第二线圈导体(17)和第四线圈导体(19)磁气结合而形成第二共模滤波器部(21)，并且，第一～第四线圈导体(16-19)中的、位于层叠方向上的靠近磁性体(13a、13b)侧的2个线圈导体(16、19)的长度比位于层叠方向上的中央部分的2个线圈导体(17、18)的长度短。
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