公开(公告)号：CN1514250A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN200310125460.9

申请日：2003-12-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤政晴 ,  石田琢磨 ,  小林拓

IPC: G01P9/04

CPC classification number: H03G3/007

Abstract: 为了获得增益与电源电压成正比的放大器，将第1和第2P沟道MOS－FET的漏－源间电压形成零偏置，以对电源电压进行了电阻分压后的电压为基准，将向高电压侧偏移了所述P沟道MOS－FET的阈值电压那部分的电压施加在运算放大器的同相输入端子上。所述第1和第2MOS－FET的其中一个MOS－FET的栅极与电路地连接，在另一个晶体管的栅极上施加以电阻分压所述电源电压后的电位为基准的负的固定电压，将这两个MOS－FET的导通电阻分别用作运算放大器的输入电阻和反馈电阻。

公开(公告)号：CN1630185A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410101305.8

申请日：2004-12-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤政晴

IPC: H03F1/52

CPC classification number: H03F3/185 ,  H03F1/30 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/228

Abstract: 本发明公开了一种运算放大器。运算放大器对通过直接连接到压电器件的输入端接收到的信号进行放大。偏置电压发生部分包括在电源端与接地端之间的分压器。p－沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极和源极分别连接到运算放大器的输入端和接地端。由于分压器向栅极和背栅极上施加偏置电压，所以p－沟道金属氧化物半导体场效应晶体管保持OFF状态。由于漏极－背栅极寄生二极管将漏极电位钳制在偏置电压，因此，偏置电压被施加到运算放大器的输入端。然后，漏极－背栅极之间的电阻值极大。p－沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和放大器件的其他电路一起嵌入在衬底上。从而，具有极高输入阻抗的放大器件为单一集成电路结构。

公开(公告)号：CN101536307A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040735.5

申请日：2007-10-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤田典之 ,  政井茂雄 ,  佐藤政晴

IPC: H03F1/52

CPC classification number: H03F1/52 ,  H03F1/56 ,  H03F3/45475 ,  H03F2203/45136 ,  H03F2203/45576

Abstract: 提供了一种放大设备，其中，输入阻抗被设置为几GΩ至几十GΩ，并且提高了ESD电阻。ECM连接到输入端(21)。通过CMOS放大器(20)的高输入阻抗，使得频率特性直到语音频带都变得平坦，并且输入阻抗被设置为几GΩ至几十GΩ，以便通过增大在对ECM供电之后和在大的声音检测之后的响应速度来实现期望的电特性。通过连接P沟道MOS晶体管(27)和N沟道MOS晶体管(28)作为ESD保护元件，可以构成用于将在组装期间在IC外部产生并且来自输入端(21)的浪涌电压释放到电源端子或接地端子而不影响来自输入端(21)的声音频带的信号(20Hz至20kHz)的路径。

公开(公告)号：CN101308160A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810085369.1

申请日：2003-12-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤政晴 ,  石田琢磨 ,  小林拓

IPC: G01P9/04

CPC classification number: H03G3/007

Abstract: 本发明提供一种增益与电源电压成正比的放大器及使用它的角速度传感器装置。为了获得增益与电源电压成正比的放大器，将第一和第二P沟道MOS－FET的漏－源间电压形成零偏置，以对电源电压进行了电阻分压后的电压为基准，将向高电压侧偏移了所述P沟道MOS－FET的阈值电压那部分的电压施加在运算放大器的同相输入端上。所述第一和第二MOS－FET的其中一个MOS－FET的栅极与电路地连接，在另一个晶体管的栅极上施加以电阻分压所述电源电压后的电位为基准的负的固定电压，将这两个MOS－FET的导通电阻分别用作运算放大器的输入电阻和反馈电阻。

公开(公告)号：CN100430732C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200310125460.9

申请日：2003-12-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤政晴 ,  石田琢磨 ,  小林拓

IPC: G01P9/04

CPC classification number: H03G3/007

Abstract: 本发明提供一种增益与电源电压成正比的放大器。为了获得增益与电源电压成正比的放大器，将第一和第二P沟道MOS-FET的漏-源间电压形成零偏置，以对电源电压进行了电阻分压后的电压为基准，将向高电压侧偏移了所述P沟道MOS-FET的阈值电压那部分的电压施加在运算放大器的同相输入端子上。所述第一和第二MOS-FET的其中一个MOS-FET的栅极与电路地连接，在另一个晶体管的栅极上施加以电阻分压所述电源电压后的电位为基准的负的固定电压，将这两个MOS-FET的导通电阻分别用作运算放大器的输入电阻和反馈电阻。